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1. 发明公开

KR20180067449A 반도체 디바이스, 전자 부품 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180067449A
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR20170170107
申请日：2017-12-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： KOTZBAUER MARTIN , PAYE JULIE MATHILDE SUZANNE , STECHER MATTHIAS , ZANKL ANDREAS
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/00 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49894 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49822 , H01L23/5222 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/03464 , H01L2224/03831 , H01L2224/03848 , H01L2224/039 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05556 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/49171 , H01L2224/85375 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H04L25/0266 , H01L2924/01015 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013 , H01L2924/01042 , H01L2924/00012 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753
摘要： 실시예에서, 반도체디바이스는접촉패드를포함하는갈바닉전기로격리된신호전달커플러를포함한다. 접촉패드는금속베이스층과, 금속베이스층 상에배치된금속확산배리어층과, 금속확산배리어층 상에배치된금속와이어본딩가능한층을포함한다. 금속확산배리어층은제 1 부분및 제 2 부분을포함한다. 제 1 부분은제 1 표면및 제 1 표면에대향하는제 2 표면을갖는다. 제 1 표면은주변부에곡면을포함한다. 제 1 부분은횡단면으로연장되고폭을갖는다. 제 2 부분은상기제 1 부분의폭의중간에서제 2 표면으로부터돌출된다.

2. 发明专利

DE102013206900B4 Halbleiterbauelement mit kernlosem Übertrager und Verfahren zum Betrieb eines solchen Halbleiterbauelements 未知
公开(公告)号：DE102013206900B4
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：DE102013206900
申请日：2013-04-17
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： MENATH MARKUS , ROBL WERNER , STECHER MATTHIAS , ZANKL ANDREAS
IPC分类号： H01L23/528 , H01F17/02 , H01L27/08
摘要： Halbleiterbauelement mit einem eine Oberseite (11) aufweisenden Halbleiterkörper (10), sowie mit einem kernlosen Übertrager, der Folgendes umfasst:einen ersten Anschlusskontakt (45);einen zweiten Anschlusskontakt (46);eine elektrisch leitende, spiralförmige erste Spule (41), die elektrisch leitend zwischen den ersten Anschlusskontakt (45) und den zweiten Anschlusskontakt (46) geschaltet ist;einen elektrisch leitenden ersten Ring (30), der die erste Spule (41) umgibt, sowie den ersten Anschlusskontakt (45) und/oder den zweiten Anschlusskontakt (46);einen elektrisch leitenden zweiten Ring (70), der- zwischen der ersten Spule (41) und dem ersten Ring (30) angeordnet ist;- elektrisch leitend an die erste Spule (41) angeschlossen ist; und- die erste Spule (41) umgibt, sowie den ersten Anschlusskontakt (45) und/oder den zweiten Anschlusskontakt (46); wobeidie Oberfläche des zweiten Rings (70) in einer zu einer Verlaufsrichtung (r70) des zweiten Rings (70) senkrechten Schnittebene (E3-E3) an ihren dem ersten Ring (30) und/oder der Oberseite (11) zugewandten Abschnitten abgerundet ist.

3. 发明专利

DE102017101662B4 Halbleiterbauelement mit einer Isolationsstruktur und einer Verbindungsstruktur sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102017101662B4
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：DE102017101662
申请日：2017-01-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： GRUBER HERMANN , STECHER MATTHIAS , MÜLLAUER MARKUS
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L27/22
摘要： Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900), umfassend:ein Halbleitersubstrat (110) umfassend eine erste Region (120) und eine zweite Region (130);eine Isolationsstruktur (140), die lateral zwischen der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, wobei die zweite Region (130) des Halbleitersubstrats (110) die erste Region (120) des Halbleitersubstrats (110) lateral umgibt, und wobei die Isolationsstruktur (140) die erste Region (120) lateral von der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) isoliert;eine Verbindungsstruktur (150), die an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die Verbindungsstruktur (150) in Kontakt mit zumindest einer Teilstruktur der Isolationsstruktur (140) und mit zumindest einer der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) ist, und wobei zumindest eine Teilstruktur der Verbindungsstruktur (150) einen spezifischen elektrischen Widerstand größer als 1*10Ωm und kleiner als 1*10Ωm aufweist; undeine vergrabene Isolationsschicht (310), die innerhalb des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die vergrabene Isolationsschicht (310) zumindest eine der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) vertikal von einem Volumen des Halbleitersubstrats (110) isoliert, und wobei sich die Isolationsstruktur (140) vertikal von der Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) zu der vergrabenen Isolationsschicht (310) erstreckt.

4. 发明专利

DE102012213099B4 VERTIKALER TRANSISTOR MIT VERBESSERTER ROBUSTHEIT 未知
公开(公告)号：DE102012213099B4
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：DE102012213099
申请日：2012-07-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： ASAM MICHAEL , SANDER RAINALD , STECHER MATTHIAS , WINKLER MARKUS
IPC分类号： H01L29/78
摘要： Transistor, der aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (101); ein Driftgebiet (13), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; mehrere Gateelektroden (21), die in Gräben des Halbleiterkörpers (100) angeordnet sind, wobei die Gräben eine Längsrichtung aufweisen und wenigstens annäherungsweise parallel zueinander verlaufen, wobei die Längsrichtung der Gräben einer ersten lateralen Richtung (x) des Halbleiterkörpers (100) entspricht; Bodygebiete (121, 122), die zwischen den Gräben angeordnet sind; und Sourcegebiete (11), die zwischen den Gräben angeordnet sind, wobei die Bodygebiete (121, 122) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zwischen dem Driftgebiet (13) und den Sourcegebieten (11) angeordnet sind, wobei die Sourcegebiete (11) und die Bodygebiete (121, 122) in der ersten lateralen Richtung in der ersten horizontalen Oberfläche (101) abwechselnd angeordnet sind und wobei eine Sourceelektrode (31) in der ersten horizontalen Oberfläche (101) elektrisch an die Sourcegebiete (11) und die Bodygebiete (121, 122) angeschlossen ist und Elektrodenabschnitte (32) aufweist, die sich durch die Sourcegebiete (11) in die Bodygebiete (121, 122) erstrecken.

5. 发明专利

DE102017012262B9 Halbleiterbauelement aufweisend eine vergrabene Isolationsschicht, eine Isolationsstruktur und eine Verbindungsstruktur sowie Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102017012262B9
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：DE102017012262
申请日：2017-01-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： GRUBER HERMANN , STECHER MATTHIAS , MÜLLAUER MARKUS
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L27/22
摘要： Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900), umfassend:ein Halbleitersubstrat (110) umfassend eine erste Region (120) und eine zweite Region (130);eine Isolationsstruktur (140), die lateral zwischen der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, wobei die Isolationsstruktur (140) die erste Region (120) lateral von der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) isoliert, und wobei die Isolationsstruktur (140) die erste Region (120) des Halbleitersubstrats (110) lateral umgibt;eine Verbindungsstruktur (150), die an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die Verbindungsstruktur (150) in Kontakt mit zumindest einer Teilstruktur der Isolationsstruktur (140) und mit zumindest einer der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) ist, und wobei zumindest eine Teilstruktur der Verbindungsstruktur (150) einen spezifischen elektrischen Widerstand größer als 1*103Ωm und kleiner als 1*1012Ωm aufweist; undeine vergrabene Isolationsschicht (310), die innerhalb des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die vergrabene Isolationsschicht (310) zumindest eine der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) vertikal von einem Volumen des Halbleitersubstrats (110) isoliert, und wobei sich die Isolationsstruktur (140) vertikal von der Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) zu der vergrabenen Isolationsschicht (310) erstreckt.

6. 发明专利

DE102017101662A1 Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen 未知
公开(公告)号：DE102017101662A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：DE102017101662
申请日：2017-01-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： GRUBER HERMANN , STECHER MATTHIAS , MÜLLAUER MARKUS
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L27/22
摘要： Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat umfassend eine erste Region und eine zweite Region. Zusätzlich umfasst das Halbleiterbauelement eine Isolationsstruktur, die lateral zwischen der ersten Region und der zweiten Region in dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Die Isolationsstruktur isoliert die erste Region lateral von der zweiten Region in dem Halbleitersubstrat. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Verbindungsstruktur, die an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die Verbindungsstruktur ist in Kontakt mit zumindest einer Teilstruktur der Isolationsstruktur und mit zumindest einer der ersten Region und der zweiten Region. Ferner weist zumindest eine Teilstruktur der Verbindungsstruktur einen spezifischen elektrischen Widerstand größer als 1*10Ωm und kleiner als 1*10Ωm auf.

7. 发明专利

DE102017012262B3 Halbleiterbauelement aufweisend eine vergrabene Isolationsschicht, eine Isolationsstruktur und eine Verbindungsstruktur sowie Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102017012262B3
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：DE102017012262
申请日：2017-01-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： GRUBER HERMANN , STECHER MATTHIAS , MÜLLAUER MARKUS
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L27/22
摘要： Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900), umfassend:ein Halbleitersubstrat (110) umfassend eine erste Region (120) und eine zweite Region (130);eine Isolationsstruktur (140), die lateral zwischen der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, wobei die Isolationsstruktur (140) die erste Region (120) lateral von der zweiten Region (130) in dem Halbleitersubstrat (110) isoliert, und wobei die Isolationsstruktur (140) die erste Region (120) des Halbleitersubstrats (110) lateral umgibt;eine Verbindungsstruktur (150), die an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die Verbindungsstruktur (150) in Kontakt mit zumindest einer Teilstruktur der Isolationsstruktur (140) und mit zumindest einer der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) ist, und wobei zumindest eine Teilstruktur der Verbindungsstruktur (150) einen spezifischen elektrischen Widerstand größer als 1*103Ωm und kleiner als 1*1012Ωm aufweist; undeine vergrabene Isolationsschicht (310), die innerhalb des Halbleitersubstrats (110) angeordnet ist, wobei die vergrabene Isolationsschicht (310) zumindest eine der ersten Region (120) und der zweiten Region (130) vertikal von einem Volumen des Halbleitersubstrats (110) isoliert, und wobei sich die Isolationsstruktur (140) vertikal von der Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) zu der vergrabenen Isolationsschicht (310) erstreckt.

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