专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

DE102017114568B4 LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT UNTERSCHIEDLICHEN GATEKREUZUNGEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DAVON 未知
公开(公告)号：DE102017114568B4
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：DE102017114568
申请日：2017-06-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： OUVRARD CEDRIC , NÖBAUER GERHARD , BRAZ CESAR AUGUSTO , GUILLEMANT OLIVIER , YIP LI JUIN , LAFORET DAVID
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L29/06
摘要： Leistungshalbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101);mehrere aktive Transistorzellen (171, 172), die in einem aktiven Bereich (104) des Halbleitersubstrats (100) gebildet sind, wobei jede der mehreren aktiven Transistorzellen (171, 172) einen nadelförmigen Graben (130) umfasst, der sich von der ersten Seite (101) in das Halbleitersubstrat (100) hinein erstreckt und eine Feldelektrode (131) umfasst;eine Gateelektrodenstruktur, die mehrere sich schneidende Gategräben (140, 145) umfasst, die zwischen den nadelförmigen Gräben (130) verlaufen, wobei die sich schneidenden Gategräben (140, 145) bei Betrachtung in ebener Projektion auf die erste Seite (101) der Leistungshalbleitervorrichtung Gatekreuzungsgebiete (140b, 145b) unterschiedlicher Form bilden.

2. 发明专利

DE102017114568A1 LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT UNTERSCHIEDLICHEN GATEKREUZUNGEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DAVON 未知
公开(公告)号：DE102017114568A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：DE102017114568
申请日：2017-06-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： OUVRARD CEDRIC , NÖBAUER GERHARD , BRAZ CESAR AUGUSTO , GUILLEMANT OLIVIER , YIP LI JUIN , LAFORET DAVID
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L29/06
摘要： Eine Leistungshalbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101). Mehrere aktive Transistorzellen (171, 172) sind in einem aktiven Bereich (104) des Halbleitersubstrats (100) gebildet, wobei jede der mehreren aktiven Transistorzellen (171, 172) einen nadelförmigen Graben (130) beinhaltet, der sich von der ersten Seite (101) in das Halbleitersubstrat (100) hinein erstreckt und eine Feldelektrode (131) aufweist. Eine Gateelektrodenstruktur weist mehrere sich schneidende Gategräben (140, 145) auf, die zwischen den nadelförmigen Gräben (130) verlaufen, wobei die sich schneidenden Gategräben (140, 145) bei Betrachtung in ebener Projektion auf die erste Seite (101) der Leistungshalbleitervorrichtung Gatekreuzungsgebiete (140b, 145b) unterschiedlicher Form bilden.

3. 发明专利

DE102016106113A1 Halbbrückenschaltung und Clip-Draht-Packung 未知
公开(公告)号：DE102016106113A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：DE102016106113
申请日：2016-04-04
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： OTREMBA RALF , HÖGLAUER JOSEF , NÖBAUER GERHARD
IPC分类号： H02M1/00 , H02M3/155
摘要： Halbbrückenschaltung (100), umfassend einen Eingangsanschluss (102) zum Liefern einer elektrischen Eingabe, einen Ausgangsanschluss (104) zum Liefern einer elektrischen Ausgabe an eine mit dem Ausgangsanschluss (104) zu verbindende Last, einen Schalter (106) und eine Diode (108) zwischen dem Eingangsanschluss (102) und dem Ausgangsanschluss (104) sowie eine Spannungsbegrenzungsinduktivität (110), die zwischen dem Schalter (106) und der Diode (108) angeordnet und zum Begrenzen einer Spannung bei Schalten des Schalters konfiguriert ist.

4. 发明专利

DE102016015712A1 Halbbrückenschaltung und Clip-Draht-Packung 未知
公开(公告)号：DE102016015712A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：DE102016015712
申请日：2016-04-04
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： HÖGLAUER JOSEF , NÖBAUER GERHARD , OTREMBA RALF
IPC分类号： H02M1/00 , H02M3/155
摘要： Halbbrückenschaltung (100), umfassend einen Eingangsanschluss (102) zum Liefern einer elektrischen Eingabe, einen Ausgangsanschluss (104) zum Liefern einer elektrischen Ausgabe an eine mit dem Ausgangsanschluss (104) zu verbindende Last, einen Schalter (106) und eine Diode (108) zwischen dem Eingangsanschluss (102) und dem Ausgangsanschluss (104) sowie eine Spannungsbegrenzungsinduktivität (110), die zwischen dem Schalter (106) und der Diode (108) angeordnet und zum Begrenzen einer Spannung bei Schalten des Schalters konfiguriert ist.

5. 发明专利

DE102015112462B4 Schaltwandlersteuerung 未知
公开(公告)号：DE102015112462B4
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE102015112462
申请日：2015-07-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： NÖBAUER GERHARD
IPC分类号： H02M3/158
摘要： Eine Schaltung, die aufweist:einen Schaltwandler, der eine Halbbrücke mit einem High-Side-Halbleiterschalter (THS) und einem mit diesem verbundenen Low-Side-Halbleiterschalter (TLS) sowie eine mit einen Halbbrücken-Ausgangsknoten verbundene Spule (LOUT) aufweist; undeine Steuerschaltung (10), die dazu ausgebildet ist, Treibersignale (VGHS, VGLS) zu erzeugen, um zum Betrieb des Schaltwandlers im Continuous-Conduction Modus (CCM) den High-Side-Halbleiterschalter (THS) und den Low-Side-Halbleiterschalter (TLS) ein- und auszuschalten,wobei die Treibersignale (VGHS, VGLS) so erzeugt werden, dass eine Totzeit (TDEL) zwischen einem Ausschalten des Low-Side-Schalters (TLS) und einem darauf folgenden Einschalten des High-Side-Schalters (THS) sichergestellt ist, undwobei, im CCM, die Totzeit (tDEL) auf einen ersten Wert gesetzt wird, wenn ein durch die Spule (LOUT) fließender Spulenstrom (iL) zum Schaltzeitpunkt negativ ist, und wobei die Totzeit (tDEL) auf einen zweiten Wert, der niedriger als der erste Wert ist, gesetzt wird, wenn der Spulenstrom (iL) zum Schaltzeitpunkt positiv ist,wobei die Steuerschaltung weiter dazu ausgebildet ist, Treibersignale (VGHS, VGLS) zu erzeugen, um den Schaltwandler zumindest in einem Discontinuous-Conduction-Modus (DCM) zu betreiben,wobei der Low-Side-Schalter (TLS) ein Transistor ist, der aus einer Vielzahl von Transistorzellen zusammengesetzt ist, undwobei die Steuerschaltung (10) weiter dazu ausgebildet ist, wenn die Steuerschaltung (10) den Schaltwandler im DCM betreibt und der Spulenstrom (iL) im Wesentlichen Null ist, ein Steuersignal (VGAUX) zu erzeugen, um einen Teil der Transistorzellen des Low-Side-Schalters (TAUX) für ein bestimmtes Zeitintervall einzuschalten, wodurch bewirkt wird, dass der Spulenstrom (iL) negativ wird.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式