专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2005006436A1 INTEGRIERTE KÜHL-SCHALTUNGSANORDNUNG, BETRIEBSVERFAHREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：集成式冷却回路，运行程序和过程
公开(公告)号：WO2005006436A1
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/EP2004/051116
申请日：2004-06-15
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LEHMANN, Volker , STENGEL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： LEHMANN, Volker , STENGEL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L23/473
CPC分类号： H01L23/473 , H01L21/30604 , H01L21/3063 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Erläutert wird unter anderem eine Schaltungsanordnung (110), die zur Kühlung Hauptkanäle (150 bis 156) sowie in die Hauptkanäle (150 bis 156) mündende Querkanäle (160 bis 196) enthält. Die Schaltungsanordnung (110) hat hervorragende Kühleigenschaften und ist auf einfache Art herzustellen.
摘要翻译：除其他事项外，用于冷却所述主通道（150〜156），以及在开口到横向通道的主要信道（150〜156）进行说明的电路（110）包含（160至196）。所述的电路装置（110）具有优良的冷却性能，使容易。

2. 发明申请

WO2004095584A1 BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：双极和方法生产同样
公开(公告)号：WO2004095584A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/EP2004/050335
申请日：2004-03-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/417
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L29/0821 , H01L29/41708 , H01L29/732
摘要： Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Bipolartransistor (1), bestehend aus zumindest einem Emitterkontakt (2), der an einen Emitteranschlussbereich (3) angrenzt, einem Basiskontakt (4), der an einem Basisanschlussbereich (5) angrenzt, einem Kollektorkontakt (6), der an einen Kollektoranschlussbereich (7) angrenzt, wobei als Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) mit einem Kollektorgebiet (14) verbindet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines (15) Hochfrequenz-Bipolartransistors (1). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) niederohmig an das Kollektorgebiet (14) anschliesst.
摘要翻译：本发明涉及一种高频双极晶体管（1）由至少一个发射极接触（2），其邻近于发射极端子区的（3），一个基极接触（4），其是邻近于基体终端区域（5），一个集电极接触（6），集电极端子区域（7）相邻，其中的隐埋层（7）被作为连接集电极接触（6），其具有集电区（14）的集电极连接区提供。此外，本发明涉及一种用于制造这样的（15）的高频双极晶体管（1）的方法。本发明的特征在于，所述掩埋层（7）上形成硅化物区域（8）被提供时，集电极接触（6）具有低阻抗到集电极区域（14）邻接。

3. 发明申请

WO2004090968A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产双极晶体管
公开(公告)号：WO2004090968A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/EP2004/003125
申请日：2004-03-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/7371 , H01L29/7378
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einem darin eingebetteten, nach oben freiliegenden Kollektorbereich (25) eines ersten Leitungstyps (n); Vorsehen eines monokristallinen Basisgrundbereichs (30; 32; 120) ; Vorsehen eines Basisanschlussbereichs (40; 160) des zweiten Leitungstyps (p) über dem Basisbereich (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines Isolationsbereichs (35; 35''; 170) über dem Basisanschlussbereich (40; 160); Bilden eines Fensters (F) im Isolationsbereich (35; 35''; 170) und Basisanschlussbereich (40; 160) zum zumindest teilweisen Freilegen des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines isolierenden Seitenwandspacers (55'; 80; 180) im Fenster zum Isolieren des Basisanschlussbereichs (40; 160; differentielles Abscheiden und Strukturieren einer Emitterschicht (60a, 60b), welche oberhalb des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130) einen monokristallinen Emitterbereich (60a) und oberhalb des Isolationsbereich (35; 35''; 170) und des Seitenwandspacers (55'; 80; 180) einen polykristallinen Emitterbereich (60a) bildet; und Durchführen eines Temperschritts.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造双极晶体管，包括以下步骤的方法：提供半导体衬底（1），具有第一导电类型（n）的一个嵌入的朝上暴露的集电区（25）; 提供了一个单晶基体底座部分（30; 32; 120）; 基部上方的第二导电类型（p）的;一个基极连接区域（160 40）的规定（32，34; 30 120，130）; 提供了一个隔离区域（35; 35'; 170）的基极端子区域（40; 160）; （35'; 170 35）和基极连接区域（40; 160）在所述隔离区中形成一个窗口（F）用于至少部分地暴露所述基极区域（30; 32，34; 120，130）; 提供绝缘侧壁间隔物（55“; 80; 180）; 160;在窗口的基极端子区域（40隔离差动沉积和图案化的发射极层（60A，60B），其（基极区域30的上方; 32，34; 120，130）单晶发射极区（60A）和所述隔离区上方（35; 35'; 170）和所述侧壁间隔物（55“; 80; 180）形成发射极区域（60A）的多晶;以及执行退火步骤。

4. 发明申请

WO2004090989A1 BIPOLAR-TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极型晶体管
公开(公告)号：WO2004090989A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/EP2004/003124
申请日：2004-03-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0821 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft einen Bipolar-Transistor mit einem Kollektorbereich (25, 25a) eines ersten Leitungstyps (n); einem Subkollektorbereich (10; 10a, 10b) des ersten Leitungstyps (n+), welcher an einer ersten Seite des Kollektorbereichs (25, 25a) elektrisch an den Kollektorbereich (25, 25a) angeschlossen ist; einem Basisbereich (30) des zweiten Leitungstyps (p), der an einer zweiten Seite des Kollektorbereichs (25, 25a) vorgesehen ist; einem Emitterbereich (50) des ersten Leitungstyps (n+), der auf der vom Kollektorbereich (25, 25a) abgelegenen Seite über dem Basisbereich (30) vorgesehen ist; und einem kohlenstoffdotierten Halbleiterbereich (10; 10a; 24, 24a), der auf der ersten Seite neben dem Kollektorbereich (25, 25a) vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明提供了具有第一导电类型（n）的集电区（25，25A）的双极晶体管; 第一导电型（n +），其上的集电极区的第一侧（25，25A）电连接到所述集电极区域（25，25A）被连接的;（10A，10B 10）一个子集电极区; 第二导电类型（p）时，（25，25A）的底部区域（30）设置在所述集电极区域的第二侧; 远程侧基极区（30）的上方设置的第一导电型（n +），形成在从所述区域中的收集器（25，25A）的发射极区域（50）; 和碳掺杂的半导体区域（10; 10A; 24，24a）的（25，25A）被设置在第一侧沿着所述集电区。

5. 发明申请

WO2004040643A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TRANSISTORSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产晶体管结构
公开(公告)号：WO2004040643A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003552
申请日：2003-10-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , LACHNER, Rudolf , MEISTER, Thomas , SCHÄFER, Herbert , SECK, Martin , STENGL, Reinhard
发明人： BÖCK, Josef , LACHNER, Rudolf , MEISTER, Thomas , SCHÄFER, Herbert , SECK, Martin , STENGL, Reinhard
IPC分类号： H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur, bestehend aus mindestens einem ersten und einem zweiten Bipolartransistor mit unterschiedlichen Kollektorweiten. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass alle Übergänge zwischen unterschiedlich dotierten Bereichen eine scharfe Grenzfläche aufweisen. Hierbei ist beispielsweise ein erster Kollektorbereich 2.1 für einen Hochfrequenztransistor mit hohen Grenzfrequenzen f T , ein zweiter Kollektorbereich 2.2 für einen Hochvolttransistor mit erhöhten Durchbruchspannungen geeignet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造由至少一个第一和一个具有集电极不同长度的第二双极型晶体管的晶体管结构。本发明的特征在于，具有清晰的界面不同掺杂的区域之间的所有转换。这里，第一集电极区，例如，2.1适用于具有高的截止频率F，A第二集电极区2.2对于具有较高击穿电压的高电压晶体管的高频晶体管。

6. 发明申请

WO2004008543A1 BIPOLARTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极型晶体管
公开(公告)号：WO2004008543A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007553
申请日：2003-07-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , ROMANYUK, Andriy , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , ROMANYUK, Andriy , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/732
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/167 , H01L29/42304 , H01L29/732
摘要： Zur Reduzierung des Basiswiderstandes und damit zur Erzielung einer niederohmigen Basiselektrode eines Bipolartransistors wird als Basiselektrode (2) eine Polysiliziumschicht verwendet, in der Fremdatome, insbesondere C-Atome, eingebracht sind, die eine hohe Dichte an Gitterleerstellen in der Polysiliziumschicht bewirken.
摘要翻译：
为了降低基极电阻，从而实现了双极晶体管的低电阻基极用作基电极（2），多晶硅层，是在国外原子，特别是C原子，被引入，在晶格空位的高密度影响多晶硅层。

7. 发明公开

EP1254482A2 BIPOLARTRANSISTOR 有权
标题翻译：一种用于制造双极晶体管的过程
公开(公告)号：EP1254482A2
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：EP01927654.2
申请日：2001-02-07
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： FRANOSCH, Martin , SCHÄFER, Herbert , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard
IPC分类号： H01L29/732 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/7322
摘要： The invention relates to a bipolar transistor (20) and to a method for producing the same. In order to obtain an as low a transition resistance as possible between the feed line (51) and the base (42), an intermediate layer (70) is provided between the first (30) and the second (40) layer, said intermediate layer (70) being selectively etchable to the second layer (40). At least in the zone of the undercut (43) between the feed line (51) and the base (42) a base connection zone (45) is provided that can be adjusted independent of other production conditions. The inventive transistor is further characterized in that the intermediate layer (70) is removed in the contact zone (46) with the base (42).

8. 发明授权

EP1254482B1 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors 有权
标题翻译：一种用于制造双极晶体管的过程
公开(公告)号：EP1254482B1
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：EP01927654.2
申请日：2001-02-07
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： FRANOSCH, Martin , SCHÄFER, Herbert , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard
IPC分类号： H01L29/732 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/7322
摘要： The invention relates to a bipolar transistor (20) and to a method for producing the same. In order to obtain an as low a transition resistance as possible between the feed line (51) and the base (42), an intermediate layer (70) is provided between the first (30) and the second (40) layer, said intermediate layer (70) being selectively etchable to the second layer (40). At least in the zone of the undercut (43) between the feed line (51) and the base (42) a base connection zone (45) is provided that can be adjusted independent of other production conditions. The inventive transistor is further characterized in that the intermediate layer (70) is removed in the contact zone (46) with the base (42).

9. 发明授权

EP0946991B1 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE 失效
标题翻译：非易失性存储单元
公开(公告)号：EP0946991B1
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：EP97932748.3
申请日：1997-07-08
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： REISINGER, Hans , STENGL, Reinhard , GRÜNING, Ulrike , WENDT, Hermann , WILLER, Josef , LEHMANN, Volker , FRANOSCH, Martin , SCHÄFER, Herbert , KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang , HOFMANN, Franz
IPC分类号： H01L29/792
CPC分类号： H01L29/792 , H01L29/511
摘要： The invention concerns a non-volatile storage cell having a MOS transistor which, as gate dielectric, comprises a triple dielectric layer (5) consisting of a first silicon oxide layer (51), a silicon nitride layer (52) and a second silicon oxide layer (53). The MOS transistor gate electrode comprises p -doped silicon such that, when a negative voltage is applied to the gate electrode, holes tunnel predominantly from the channel area (4) through the first silicon oxide layer (51) and into the silicon nitride layer (52).

10. 发明授权

EP1611616B1 BIPOLAR-TRANSISTOR 有权
标题翻译：双极型晶体管
公开(公告)号：EP1611616B1
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：EP04722857.2
申请日：2004-03-24
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0821 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式