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1. 发明申请

WO2006021483A2 HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体电路布置和方法及其
公开(公告)号：WO2006021483A2
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/EP2005/053779
申请日：2005-08-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , DEHM, Christine , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter
发明人： HALIK, Marcus , DEHM, Christine , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L21/02118 , H01L21/312 , H01L27/3244
摘要： Vorgeschlagen werden eine Halbleiterschaltungsanordnung (10) sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, bei welchem zur materiellen Trennung eines ersten Schaltungsbereichs (30) und eines zweiten Schaltungsbereichs (40) ein Schutzmaterialbereich (50) aus Poly(para-xylen) ausgebildet ist bzw. wird.
摘要翻译：提出了一种半导体电路装置（10）和它们的制备方法，其中的第一电路部分（30）和聚（对 - 二甲苯）的保护材料区（50）的第二电路部分（40）的物理分离形成或为。

2. 发明申请

WO2005117025A1 INTEGRIERTER HALBLEITERSPEICHER MIT ORGANISCHEM AUSWAHLTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：处理有机选择晶体管集成度的半导体存储器
公开(公告)号：WO2005117025A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/DE2005/000927
申请日：2005-05-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
发明人： KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C2213/79 , H01L27/283 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleiterspeicher mit einem Zellenfeld aus einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten Speicherzellen. In jeder Speicherzelle ist ein organischer Auswahltransistor (T) nämlich ein Feldeffekttransistor mit einer organischen Halbleiterschicht (os) in einer Stapelanordnung über einem organischen Speicherelement (S), das heißt einer zwischen zwei Elektroden angeordneten organischen Schicht (as) mit wahlweise kapazitivem oder resistivem elektrischem Speicherverhalten auf einem beliebigen, vorzugsweise nicht aus Silizium bestehenden Substrat integriert.
摘要翻译：本发明涉及一种具有排列成行和列的存储单元的多个的单元阵列的集成半导体存储器。在每个存储器单元，有机选择晶体管（T），其与在堆叠布置的有机半导体层（OS）的有机存储元件（S）上的场效应晶体管，其被布置在两个电极之间的有机层（AS）的具有可选的电容或电阻的蓄电行为集成在一个任意的，最好是不进行硅衬底。

3. 发明申请

WO2005117024A1 INTEGRIERTER HALBLEITERSPEICHER MIT ORGANISCHEM AUSWAHLTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：处理有机选择晶体管集成度的半导体存储器
公开(公告)号：WO2005117024A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/DE2005/000926
申请日：2005-05-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
发明人： KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C2213/79 , G11C2213/80 , H01L27/105 , H01L27/10805 , H01L27/283
摘要： Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleiterspeicher mit einem Zellenfeld aus einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten Speicherzellen. In jeder Speicherzelle ist ein organischer Auswahltransistor (T11, T12, T13), der ein Feldeffekttransistor mit einer organischen Halbleiterschicht (os) ist zusammen mit einem organischen Speicherelement (S11, S12, S13), das heißt einer zwischen zwei Elektroden angeordneten organischen Schicht (as) mit wahlweise kapazitivem oder resistivem elektrischem Speicherverhalten zu einer planaren Speicherzelle auf einem beliebigen, vorzugsweise nicht aus Silizium bestehenden Substrat integriert. Die Auswahltransistoren (T11, T12, T13) und die Speicherelemente (S11, S12, S13) des erfindungsgemäßen Halbleiterspeichers sind so angeordnet, dass die Gateelektrode der Auswahltransistoren (T11, T12, T13) als Wortleitung (WL1, WL2, WL3) und der Drain- bzw. Sourcekontakt der Auswahltransistoren (T11, T12, T13) bzw. die Elektroden der Speicherelemente (S11, S12, S13) entweder als Bitleitung (BL1, BL2, BL3), Digitleitung oder Feldplatte ausgeführt sind. Das W/L-Verhältnis der Kanalbreite (W) zur Kanallänge (L) der Auswahltransistoren kann prinzipiell beliebig eingestellt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种具有排列成行和列的存储单元的多个的单元阵列的集成半导体存储器。在每个存储单元是有机选择晶体管的场效应晶体管的（T11，T12，T13）与有机半导体层（OS）是，连同被布置在两个电极的有机层之间的有机存储元件（S11，S12，S13），（如）集成或者电容或电阻蓄电行为到平面存储器单元具有的任何，优选不由硅制成的现有的衬底。根据本发明的选择晶体管（T11，T12，T13）和半导体存储器的存储元件（S11，S12，S13）被布置成使得选择晶体管（T11，T12，T13），为字线（WL1，WL2，WL3）和漏极的栅极电极 - 或选择晶体管（T11，T12，T13）和存储元件（S11，S12，S13），可以是位线（BL1，BL2，BL3）的电极的源极接触，执行数位线或场板。沟道宽度（W）的W / L比的信道的选择晶体管可以原则上任意地设定的长度（L）。

4. 发明申请

WO2006058858A2 METHODE ZUR SYNTHESE VON LANGKETTIGEN PHOSPHONSÄUREDERIVATEN UND THIOLDERIVATEN 审中-公开
标题翻译：方法合成长链和膦巯基衍生物
公开(公告)号：WO2006058858A2
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：PCT/EP2005/056176
申请日：2005-11-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , EFFENBERGER, Franz , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： EFFENBERGER, Franz , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute
CPC分类号： C07F9/3808 , B82Y30/00 , C07C319/02 , C07C327/28 , C07F9/4006 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H03K3/00 , H03K17/00 , C07C323/12
摘要： Verfahren zur Synthese der organischen Verbindungen, die eine selbstorganisierende Monolage bilden können und durch Umsetzung eines Olefins mit einer Thiocarbonsäuresäure und an schließender Hydrierung zum Thiol oder mit einem Phosphit und anschließender Hydrolyse zur Phosphonsäure erhalten werden.
摘要翻译：一种用于能够形成自组装单层，并通过与一个Thiocarbonsäuresäure一个烯烃反应和关闭氢化成硫醇，或与亚磷酸酯和膦酸的随后的水解获得的有机化合物的合成过程。

5. 发明申请

WO2005023940A3 INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT EINEM ORGANISCHEN HALBLEITER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2005023940A3
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001903
申请日：2004-08-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , WALTER, Andreas , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , WALTER, Andreas , ZSCHIESCHANG, Ute
IPC分类号： H01L51/20
摘要： Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einem organischen Halbleiter, insbesondere einem organischen Feldeffekt-Transistor (OEFT) mit einer Dielektrikumsschicht, herstellbar durch eine Polymerformulierung bestehend aus a) 100 Teilen mindestens eines vernetzbaren Basispolymers, b) 10 bis 20 Teilen mindestens einer Di- bzw. Tribenzylalkoholverbindung als elektrophile Vernetzerkomponente, c) 0,2 bis 10 Teilen mindestens eines Photosäuregenerators gelöst in d) mindestens einem Lösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung. Damit ist eine Herstellung von integrierten Schaltungen mit dielektrischen Schichten, insbesondere für OFETs bei niedrigen Temperaturen möglich.

6. 发明申请

WO2005023876A2 INTEGRIERTE SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：集成电路和生产集成电路的方法
公开(公告)号：WO2005023876A2
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001904
申请日：2004-08-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , WALTER, Andreas , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： HALIK, Marcus , WALTER, Andreas , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C08K5/053 , C08K5/42 , C08L61/14
摘要： Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einem organischen Halbleiter, insbesondere einem organischen Feldeffekt-Transistor (OEFT) mit einer Dielektrikumsschicht, herstellbar durch eine Polymerformulierung bestehend aus a) 100 Teilen mindestens eines vernetzbaren Basispolymers, b) 10 bis 20 Teilen mindestens einer elektrophilen Vernetzerkomponente, c) 1 bis 10 Teilen mindestens eines thermischen Säurekatalysators, der bei Temperaturen zwischen 100 - 150°C ein aktivierendes Proton generiert, gelöst in d) mindestens einem Lösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung. Damit ist eine Herstellung von integrierten Schaltungen mit dielektrischen Schichten, insbesondere für OFETs bei niedrigen Temperaturen möglich.
摘要翻译：
本发明涉及包含有机半导体，特别是有机场效应晶体管（OFT），其具有通过由以下组成的一个聚合物配方制造的介电层）100份的至少一种可交联的基础聚合物的，B）10的集成电路到20份的至少一种亲电交联剂，c）中为1〜10份的至少一种热S＆AUML的; urekatalysators，在温度100 - 150°生成C活化质子凝胶ouml; ST在d）中的至少一个L＆ouml;溶剂。本发明还涉及一种用于制造集成电路的方法。这使得可以在低温下制造具有电介质层的集成电路，特别是用于OFET的集成电路

7. 发明申请

WO2004003258A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG GALVANISCH ABGESCHIEDENER ANTENNEN FÜR RF-ID-ETIKETTEN MITTELS SELEKTIV EINGEBRACHTEM KLEBER 审中-公开
标题翻译：用于生产电沉积的天线，用于RF-ID标签中使用选择性并入GLUE的
公开(公告)号：WO2004003258A2
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/DE2003/001376
申请日：2003-04-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , WEBER, Werner , MÜLLER-HIPPER, Andreas
发明人： SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , WEBER, Werner , MÜLLER-HIPPER, Andreas
IPC分类号： C25D7/00
CPC分类号： G06K19/07718 , C25D1/00 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D17/12 , G06K19/07749
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallschicht, wie sie beispielsweise als Antenne für RF-ID-Etiketten verwendet wird. Die strukturierte Metallschicht wird galvanisch auf einer Kathode abgeschieden, auf deren Oberfläche leitende und nichtleitende Bereiche definiert sind. In einem Restvolumen wird ein Kleber auf die abgeschiedene Metallschicht aufgetragen, mit dem die strukturierte Metallschicht auf einer Trägerschicht festgeklebt werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造结构化金属层，例如，使用例如作为用于RF-ID标签的天线。所述图案化金属层被电沉积在导电和非导电区域的表面上的阴极被定义。在粘合剂的残留量被施加到沉积的金属层，与该结构的金属层可以被粘附到载体层。

8. 发明申请

WO2005001923A2 LÖSUNG UND VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG EINES SUBSTRATES UND EIN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：处理基板和半导体组件的方法和方法
公开(公告)号：WO2005001923A2
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：PCT/DE2004/001245
申请日：2004-06-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , EDER, Florian , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： HALIK, Marcus , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , EDER, Florian , ZSCHIESCHANG, Ute
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： D21H19/24 , D21H19/72 , H01L51/0002 , H01L51/0545 , Y10T428/31993
摘要： Lösung und Verfahren zur Behandlung einer rauen Oberfläche und ein Halbleiterbauelement. Die Erfindung betrifft eine Lösung zur Behandlung einer rauen Oberfläche, insbesondere eines Papieren, als Trägermaterial für ein Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch mindestens ein phenolhaltiges Basispolymer und / oder Copolymer. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche mit einer Lösung und ein Halbleiterbauelement, das ein Substrat aufweist, das mit einer Lösung gemäß dem Verfahren behandelt wurde. Damit ist es möglich, Halbleiterbauelemente auf rauen Oberflächen anzuordnen.
摘要翻译：用于处理粗糙表面和半导体器件的方案和方法。本发明涉及一种用于处理粗糙表面，特别是纸张作为半导体部件的载体材料的溶液，其特征在于至少一种含酚基础聚合物和/或共聚物。本发明还涉及一种用溶液处理表面的方法和一种半导体装置，该半导体装置包括涂覆有Li + 该程序被处理。这使得可以在粗糙的表面上布置半导体器件。

9. 发明申请

WO2004113419A2 SYNTHESEVERFAHREN FÜR EINE VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE, VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE UND EINE SCHICHTSTRUKTUR FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于连接受教育的自组装单分子层，连接合成法来形成用于半导体元件的自组织MONO位置和层结构
公开(公告)号：WO2004113419A2
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/DE2004/001319
申请日：2004-06-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , HOLBERG, Stefan
发明人： EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , HOLBERG, Stefan
IPC分类号： C08G85/00
CPC分类号： H01L51/0075 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07F7/12 , H01L51/005 , H01L51/0068 , H01L51/0541
摘要： Die Erfindung betrifft ein Syntheseverfahren für eine Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, insbesondere einer Monolage für ein Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch : a) einen ersten Syntheseschritt, bei dem bei einem ω-Halogen-Alk-1-en (I), eine endständige nukleophile Substitution des Halogens mit einer Gruppe mit der Fähigkeit einer p-p Wechselwirkung, insbesondere einer Gruppe mit mindestens einer aromatischen Gruppe (Ar), erfolgt; b) das Produkt des ersten Syntheseschritts in einem zweiten Syntheseschritt hydrosilyiert wird. Ferner betrifft die Erfindung Verbindungen zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage und eine Schichtenstruktur. Damit ist eine effiziente Herstellung von Verbindungen möglich, da eine hohe Ausbeute und ein niederiger Aufreinigungsaufwand vorliegt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于化合物的合成方法，以形成自组装单层，特别是用于半导体组件，其特征在于单层：a）第一合成步骤中，将ω-haloalk -1-烯（I的情况下），终端亲核发生卤素的取代与具有第相互作用的能力的基团，特别是具有至少一个芳基（Ar）的基团; b）所述第一合成步骤的产物是在第二合成步骤hydrosilyiert。此外，本发明涉及一种用于形成自组装单层和多层结构的化合物。因此，化合物的有效的制造是可能的，因为高收率和niederiger纯化努力是本。

10. 发明申请

WO2004114371A2 VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE, SCHICHTSTRUKTUR, HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER SCHICHTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： CONNECTION受教育的自组装单层，双层结构，半导体部件与层结构及其制造方法的层结构
公开(公告)号：WO2004114371A2
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/DE2004/001318
申请日：2004-06-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , BUCKEL, Frank
发明人： SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , BUCKEL, Frank
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G03F7/165 , B05D1/185 , B82Y10/00 , C03C17/30 , C03C17/38 , C07F7/12 , C07F7/1836 , H01L51/0075 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/936
摘要： Die Erfindung betrifft eine Verbindung ur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, insbesondere einer Monolage für ein Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch eine molekulare Gruppe mit der Fähigkeit einer p-p Wechselwirkung (3) mit anderen Verbindungen der gleichen Art und / oder Verbindungen anderer Art zur Stabilisierung der Monolage (11). Ferner betrifft die Erfindung auch eine Schichtstruktur, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur. Damit ist eine effiziente Herstellung eines Halbleiterbauelementes, insbesondere eines organischen Feldeffekttransistors möglich.
摘要翻译：本发明涉及的化合物用于形成自组装单层，尤其用于半导体元件的单层，其特征在于具有第相互作用（3）和同类型的其它化合物/或其它性质稳定单层的化合物的能力的分子基团（11 ）。此外，本发明还提供了一种层状结构，半导体器件和用于制造层结构涉及一种方法。因此，高效的生产的半导体器件，特别是有机场效应晶体管是可能的。

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