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1. 发明申请

WO2004008520A1 VERFAHREN ZUR METALLSTRUKTURIERUNG MITTELS KOHLENSTOFF-MASKE 审中-公开
标题翻译：金属结构方法采用碳MASK
公开(公告)号：WO2004008520A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/DE2003/002125
申请日：2003-06-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BACHMANN, Jens , BRENCHER, Lothar , SPERLICH, Hans-Peter
发明人： BACHMANN, Jens , BRENCHER, Lothar , SPERLICH, Hans-Peter
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32139
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallstrukturierung, bei dem auf einem Si-Substrat (1) mittels Abscheide-Verfahren wenigstens eine Metallschicht (2) Z.B.aus Aluminium abgeschieden wird, auf der nachfolgend eine Ätzmaske erzeugt wird und anschliessend mittels Ätzen, vorzugsweise durch Plasmaätzen, die Metallschicht strukturiert wird. Durch die Erfindung soll ein vereinfachtes Verfahren zur Metallstrukturierung geschaffen werden, mit dem mit einfachen Mitteln während der Ätzprozesses eine ausreichende Passivierung der geätzten Metallstrukturen sichergestellt wird. Erfindungsgemäss wird dazu auf der bereits abgeschiedenen und zu strukturierenden Metallschicht (2) zunächst eine Hard- Mask-Schicht in Form einer Kohlenstoffschicht (3) und auf dieser Resist (5) abgeschieden und nach der Strukturierung des Resists die Kohlenstoffschicht durch Strippen zu einer Kohlenstoffmaske strukturiert. Danach wird mit der die Strukturen definierenden Kohlenstoffmaske die Metallätzung der Metallschicht bei gleischzeitiger Seitenwandpassivierung ausgeführt und anschliessend die Masken gestrippt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于金属结构，其中在Si基板（1）的至少一个金属层上由（2）ZBaus铝沉积在下面时，产生蚀刻掩模，随后通过蚀刻来沉积方法，优选通过等离子蚀刻，该金属层被图案化。本发明提供了将要创建的金属结构，利用该蚀刻的金属结构的足够的钝化是通过简单的手段在蚀刻工艺期间确保了简化的工艺。根据本发明的这一点，第一，图案化已沉积和图案化金属层上的碳层（2）在碳层（3）和形式的硬掩模层，在该抗蚀剂（5）沉积和的图案化之后通过汽提至碳抗蚀剂掩模，此后，随着限定结构碳掩模，金属蚀刻在gleischzeitiger侧壁执行，然后汽提掩模将金属层。

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