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1. 发明专利

DE102010060801B4 Halbleitervorrichtung mit vorstehendem Bauteilabschnitt und Verfahren zum Verpacken derselben 未知
公开(公告)号：DE102010060801B4
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：DE102010060801
申请日：2010-11-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： LEE TECK SIM , TAN CHEE VOON , WONG KWAI HONG
IPC分类号： H01L23/04 , H01L21/52 , H01L23/495
摘要： Halbleitergehäusevorrichtung, aufweisend:• einen Leiterrahmen (16) und einen Formkörper (42),• wobei der Formkörper (42) um einen Abschnitt des Leiterrahmens (16) ausgebildet ist,• wobei der Leiterrahmen (16) einen Abschnitt (12) aufweist, der vom Formkörper (42) vorsteht,• wobei der Formkörper (42) eine Aussparung (14) aufweist, die in einer Seitenwand des Formkörpers (42) gebildet ist,• wobei sich der vorstehende Abschnitt (12) des Leiterrahmens (16) nur innerhalb des aus der Aussparung (14) im Formkörper (42) gebildeten Bereichs erstreckt, so dass eine Seitenwand der Aussparung (14) zumindest teilweise den vorstehenden Abschnitt (12) umgibt, wobei die Seitenwand der Aussparung (14) von dem vorstehenden Abschnitt (12) beabstandet ist.

2. 发明专利

DE102015102822A1 Halbleitervorrichtung mit mehreren auf einem Träger montierten Chips 未知
公开(公告)号：DE102015102822A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：DE102015102822
申请日：2015-02-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： LEE BOON SEONG , TAN CHEE VOON
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/495 , H01L25/065
摘要： Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Chipträger mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche. Die Vorrichtung umfasst ferner einen ersten Halbleiterchip, welcher auf der ersten Oberfläche des Chipträgers montiert ist. Ein zweiter Halbleiterchip ist auf der zweiten Oberfläche des Chipträgers montiert, wobei ein Abschnitt einer ersten Oberfläche des zweiten Halbleiterchips, welcher dem Chipträger zugewandt ist, über einen Rand des Chipträgers hervorsteht. Ein erster elektrischer Leiter ist mit einer Elektrode gekoppelt, welche am Abschnitt der ersten Oberfläche des zweiten Halbleiterchips ausgebildet ist, welcher über den Rand des Chipträgers hervorsteht.

3. 发明专利

DE102021113069A1 HALBLEITERGEHÄUSE MIT LTI-INSPEKTIONSMERKMAL 未知
公开(公告)号：DE102021113069A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：DE102021113069
申请日：2021-05-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： CHIANG CHAU FATT , SAW KHAY CHWAN ANDREW , TAN CHEE VOON
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/48
摘要： Ein Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Trägers, das Anbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger, das Ausbilden eines Bereichs aus elektrisch isolierendem Verkapselungsmaterial auf dem Träger, der jeden der Halbleiterchips bedeckt, das Entfernen von Abschnitten des Verkapselungsmaterials, um Lücken in dem Bereich aus elektrisch isolierendem Verkapselungsmaterial zwischen jedem der Halbleiterchips auszubilden, das Ausbilden von elektrisch leitendem Material innerhalb der Lücken und das Vereinzeln des Bereichs aus elektrisch isolierendem Verkapselungsmaterial entlang jeder der Lücken, um eine Vielzahl von diskreten Verkapselungskörpern zu bilden. Jede der gehäusten Halbleitervorrichtungen umfasst einen der Seitenwand zugewandten Anschluss, der an einer Seitenwand des Verkapselungskörpers angeordnet ist. Für jede der gehäusten Halbleitervorrichtungen ist der der Seitenwand zugewandte Anschluss elektrisch mit dem Halbleiterchip der jeweiligen gehäusten Halbleitervorrichtung verbunden. Der der Seitenwand zugewandte Anschluss jeder gehäusten Halbleitervorrichtung ist aus dem elektrisch leitenden Material, das innerhalb der Lücken gebildet wird, vorgesehen.

4. 发明专利

DE102020109703A1 HALBLEITERGEHÄUSE UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 未知
公开(公告)号：DE102020109703A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：DE102020109703
申请日：2020-04-07
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： CHIANG CHAU FATT , AROKIASAMY XAVIER , CHELLAMUTHU NAVEENDRAN , CHONG CHEE CHIEW , GOA JOO MING , LEE CHEE HONG , MUHAMMAD MUHAMMAT SANUSI , TAN CHEE VOON , TAY WEE BOON
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/04
摘要： Halbleitergehäuse mit einem Träger, der eine Aussparung aufweist, einem Halbleiterchip, der auf dem Träger derart angeordnet ist, dass eine erste Seite des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist, und einem Kontaktclip, der über einer zweiten Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite angeordnet ist, wobei der Kontaktclip einen abgesenkten Teil aufweist, wobei der abgesenkte Teil in der Aussparung angeordnet ist.

5. 发明专利

DE102015101200B4 Elektronische Anordnung und Chipbaugruppe 未知
公开(公告)号：DE102015101200B4
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：DE102015101200
申请日：2015-01-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： STRUTZ VOLKER , TAN CHEE VOON , THEUSS HORST , WANG HUI TENG
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/492
摘要： Elektronische Anordnung (10), die Folgendes aufweist:ein erstes elektronisches Bauelement (16), das eine erste Betriebsspannung aufweist,ein zweites elektronisches Bauelement (12), das eine zweite Betriebsspannung aufweist, wobei die zweite Betriebsspannung von der ersten Betriebsspannung verschieden ist und wobei das erste elektronische Bauelement (16) und das zweite elektronische Bauelement (12) übereinander angeordnet sind,eine Isolierschicht (14) zwischen dem ersten elektronischen Bauelement (16) und dem zweiten elektronischen Bauelement (12), wobei die Isolierschicht (14) das erste elektronische Bauelement (16) von dem zweiten elektronischen Bauelement (12) elektrisch isoliert,wenigstens eine Verbindungsschicht (18, 20), die wenigstens teilweise zwischen der Isolierschicht (14) und dem ersten elektronischen Bauelement (16) und/oder zwischen der Isolierschicht (14) und dem zweiten elektronischen Bauelement (12) gebildet ist,wobei die Verbindungsschicht (18, 20) einen ersten Anteil und einen zweiten Anteil aufweist, wobei der erste Anteil und der zweite Anteil jeweils von dem entsprechenden elektronischen Bauelement (12, 16) zu der Isolierschicht (14) verlaufen, wobei der erste Anteil ein elektrisch isolierendes Material aufweist, das die Isolierschicht (14) an dem entsprechenden elektronischen Bauelement (12, 16) befestigt, und wobei der zweite Anteil ein elektrisch leitendes Material aufweist, das das entsprechende elektronische Bauelement (12, 16) mit der Isolierschicht (14) elektrisch koppelt,wobei der zweite Anteil der Verbindungsschicht (18, 20) in einer Querrichtung in den ersten Anteil der Verbindungsschicht (18, 20) eingebettet ist.

6. 发明专利

DE102019122382B3 LEISTUNGSHALBLEITERGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERGEHÄUSES 未知
公开(公告)号：DE102019122382B3
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：DE102019122382
申请日：2019-08-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： LIM WEE AUN JASON , CHIN TING SOON , CALO PAUL ARMAND ASENTISTA , SAM YING POK , TAN CHEE VOON , CHONG CHOOI MEI , MURUGAN SANJAY KUMAR
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L23/495
摘要： Leistungshalbleitergehäuse mit einem Leistungshalbleiterchip, einem elektrischen Verbinder, der an einer ersten Seite des Leistungshalbleiterchips angeordnet ist und eine erste Oberfläche aufweist, die mit einer Leistungselektrode des Leistungshalbleiterchips gekoppelt ist, einem Verkapselungskörper, der den Leistungshalbleiterchip und den elektrischen Verbinder zumindest teilweise einkapselt, und einer elektrischen Isolierschicht, die an einer zweiten Oberfläche des elektrischen Verbinders gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist, wobei Teile des Verkapselungskörpers und der elektrischen Isolierschicht eine komplanare Oberfläche der Leistungshalbleitergehäuse bilden.

7. 发明专利

DE102015101200A1 Elektronische Anordnung und Chipbaugruppe 未知
公开(公告)号：DE102015101200A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：DE102015101200
申请日：2015-01-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： STRUTZ VOLKER , TAN CHEE VOON , THEUSS HORST , WANG HUI TENG
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/492
摘要： Eine elektronische Anordnung (10) kann ein erstes elektronisches Bauelement (16), das eine erste Betriebsspannung aufweist, ein zweites elektronisches Bauelement (12), das eine zweite Betriebsspannung aufweist, wobei die zweite Betriebsspannung von der ersten Betriebsspannug verschieden ist und wobei das erste elektronische Bauelement (16) und das zweite elektronische Bauelement (12) übereinander angeordnet sind, eine Isolierschicht (14) zwischen dem ersten elektronischen Bauelement (16) und denn zweiten elektronischen Bauelement (12), wobei die Isolierschicht (14) das erste elektronische Bauelement (16) von dem zweiten elektronischen Bauelement (12) elektrisch isoliert, wenigstens eine Verbindungsschicht (18, 20), die wenigstens teilweise zwischen der Isolierschicht (14) und dem ersten elektronischen Bauelement (16) oder zwischen der Isolierschicht (14) und dem zweiten elektronischen Bauelement (12) gebildet ist, enthalten, wobei die Verbindungsschicht (18, 20) einen ersten Anteil und einen zweiten Anteil enthält, wobei der erste Anteil und der zweite Anteil jeweils von dem entsprechenden elektronischen Bauelement (12, 16) zu der Isolierschicht (14) verlaufen, wobei der erste Anteil ein elektrisch isolierendes Material enthält, das die Isolierschicht (14) an dem entsprechenden elektronischen Bauelement (12, 16) befestigt, und wobei der zweite Anteil ein elektrisch leitendes Material enthält, das das entsprechende elektronische Bauelement (12, 16) mit der Isolierschicht (14) elektrisch koppelt.

8. 发明专利

DE102022114941A1 LEISTUNGSHALBLEITERMODUL FÜR LEITERPLATTE -EINBETTUNG, LEISTUNGSELEKTRONIKANORDNUNGEN MIT EINEM IN EINER LEITERPLATTE EINGEBETTETEN LEISTUNGSMODUL UND ENTSPRECHENDE HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知
公开(公告)号：DE102022114941A1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：DE102022114941
申请日：2022-06-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： STOEK THOMAS , DAECHE FRANK , TAN CHEE VOON
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/07 , H05K1/18
摘要： Ein Leistungsmodul zur Leiterplatten-Einbettung beinhaltet Folgendes: einen Leiterrahmen; ein Leistungshalbleiter-Die mit einem ersten Lastanschluss und einem Steueranschluss an einer ersten Seite des Leistungshalbleiter-Dies und einem zweiten Lastanschluss an der gegenüberliegenden Seite, wobei der zweite Lastanschluss mit dem Leiterrahmen verlötet ist; einen ersten Metallclip, der mit dem ersten Lastanschluss verlötet ist und einen ersten Anschluss des Leistungsmoduls an einer ersten Seite des Leistungsmoduls bildet; und einen zweiten Metallclip, der mit dem Steueranschluss verlötet ist und einen zweiten Anschluss des Leistungsmoduls an der ersten Seite des Leistungsmoduls bildet. Der Leiterrahmen bildet einen dritten Anschluss des Leistungsmoduls an der ersten Seite des Leistungsmoduls, oder ein dritter Metallclip ist mit dem Leiterrahmen verlötet und bildet den dritten Anschluss. Die Leistungsmodulanschlüsse sind innerhalb von +/- 30 µm an der ersten Seite des Leistungsmoduls koplanar.

9. 发明专利

DE102020117766A1 Gegossenes Halbleitergehäuse mit doppelseitiger Kühlung 未知
公开(公告)号：DE102020117766A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：DE102020117766
申请日：2020-07-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： CHIANG CHAU FATT , LEE SWEE KAH , MAERZ JOSEF , STOEK THOMAS , TAN CHEE VOON
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/268 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/42 , H01L23/495
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines gegossenen Halbleitergehäuses beinhaltet: Anbringen eines ersten Lastanschlusses an einer ersten Seite eines Halbleiterchips an einem Leadframe, wobei der Halbleiterchip einen zweiten Lastanschluss an einer zweiten Seite, gegenüber der ersten Seite, und einen Steueranschluss an der ersten Seite oder der zweiten Seite aufweist; Einkapseln des Halbleiterchips in eine laseraktivierbare Formverbindung, sodass der Leadframe zumindest teilweise von der laseraktivierbaren Formverbindung an einer ersten Seite des gegossenen Halbleitergehäuses freigelegt ist und der zweite Lastanschluss zumindest teilweise von der laseraktivierbaren Formverbindung an einer zweiten Seite des gegossenen Halbleitergehäuses, gegenüber der ersten Seite, freigelegt ist; und Laseraktivieren eines ersten Bereichs der laseraktivierbaren Formverbindung, um einen ersten laseraktivierten Bereich zu bilden, der einen Teil einer elektrischen Verbindung mit dem zweiten Lastanschluss bildet.

10. 发明专利

DE102010060801A1 Halbleitervorrichtung mit vorstehendem Bauteilabschnitt und Verfahren zum Verpacken desselben 未知
公开(公告)号：DE102010060801A1
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：DE102010060801
申请日：2010-11-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： LEE TECK SIM , TAN CHEE VOON , WONG KWAI HONG
IPC分类号： H01L23/04 , H01L21/52
摘要： Eine Halbleitergehäusevorrichtung mit einem vorstehenden Bauteilabschnitt und ein Verfahren zum Verpacken der Halbleitervorrichtung (10) werden offenbart. Die Halbleitervorrichtung (10) weist ein Bauteil (16) wie z. B. einen Leiterrahmen (16) und einen Verpackungsformkörper (42) auf. Der Verpackungsformkörper (42) wird um einen Abschnitt des Bauteils ausgebildet und eine Aussparung (14) wird im Verpackungsformkörper (42) benachbart zum vorstehenden Abschnitt (12) des Bauteils (16) ausgebildet, um zu verhindern, dass der vorstehende Abschnitt (12) des Bauteils (16) andere benachbarte und angrenzende Halbleitervorrichtungen (10) beschädigt.

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