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1. 发明专利

DE102013111016A1 Vereinzelungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE102013111016A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：DE102013111016
申请日：2013-10-04
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： HEIDENBLUT MARIA , KOLLER ADOLF , MACKH GUNTHER , SOTNIKOV ANATOLY
IPC分类号： H01L21/30
摘要： Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100) auf das Ausbilden einer Nut (60) auf und/oder über einer ersten Seite (11) eines Substrats (10). Eine Trennschicht (210) wird mithilfe eines Laserverfahrens von einer zweiten Seite (12) des Substrats (10) aus ausgebildet. Die zweite Seite (12) liegt gegenüber der ersten Seite (11). Die Trennschicht (210) ist unter der Nut (60) innerhalb des Substrats (10) angeordnet. Das Substrat (10) wird durch die Trennschicht (210) in einzelne Teile getrennt.

2. 发明专利

DE102019129091A1 IN SCHNITTFUGENGEBIETEN ZUR DIE-VEREINZELUNG AUSGEBILDETE VORBEREITENDE GRÄBEN 未知
公开(公告)号：DE102019129091A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：DE102019129091
申请日：2019-10-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： HILSENBECK JOCHEN , ZUNDEL MARKUS , KONRATH JENS PETER , MAYERHOFER BORIS , MIESLINGER STEFAN , OSTERMANN THOMAS , SOTNIKOV ANATOLY , WESTERMEIER CHRISTIAN
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/301
摘要： Vorgesehen wird ein Halbleiter-Wafer (100), der eine Hauptoberfläche (102) und eine der Hauptoberfläche (102) entgegengesetzte rückwärtige Oberfläche (104) aufweist. Ein Schritt zur Vorbereitung einer Die-Vereinzelung wird in Schnittfugengebieten (108) des Halbleiter-Wafers (100) ausgeführt. Die Schnittfugengebiete (108) umschließen eine Vielzahl von Die-Stellen (106). Der Schritt zur Vorbereitung einer Die-Vereinzelung umfasst ein Ausbilden eines oder mehrerer vorbereitender Schnittfugengräben (112) zwischen zumindest zwei unmittelbar benachbarten Die-Stellen (106). Ferner umfasst das Verfahren ein Ausbilden aktiver Halbleitervorrichtungen in den Die-Stellen (106) und ein Vereinzeln des Halbleiter-Wafers (100) in den Schnittfugengebieten (108), wodurch aus den Die-Stellen (106) eine Vielzahl separater Halbleiter-Dies (110) gebildet wird. Der eine oder die mehreren vorbereitenden Schnittfugengräben (112) sind während des Vereinzelns nicht gefüllt, und das Vereinzeln umfasst ein Entfernen von Halbleitermaterial von einer Oberfläche des Halbleiter-Wafers (100), die zwischen gegenüberliegenden Seitenwänden des einen oder der mehreren vorbereitenden Schnittfugengräben (112) liegt.

3. 发明专利

DE102013111016B4 Vereinzelungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE102013111016B4
公开(公告)日：2022-06-30
申请号：DE102013111016
申请日：2013-10-04
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： HEIDENBLUT MARIA , KOLLER ADOLF , MACKH GUNTHER , SOTNIKOV ANATOLY
IPC分类号： H01L21/30
摘要： Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Ausbilden einer Nut (60) mittels eines Laserablationsverfahrens durch eine Metallisierungsschicht, die über einem Siliziumsubstrat (10) angeordnet ist, wobei sich die Nut (60) in das Siliziumsubstrat (10) und die Metallisierungsschicht erstreckt, welche mit Bauelementregionen (110) in dem Siliziumsubstrat gekoppelt ist;Ausbilden einer Trennschicht (210) mittels eines Stealth-Dicing-Laserverfahrens unter der Nut (60) innerhalb des Siliziumsubstrats (10), wobei das Stealth-Dicing-Laserverfahren mit mehreren Scandurchläufen erfolgt und ein Fokuspunkt eines Laserstrahls des Stealth-Dicing-Laserverfahren mit jedem weiteren Scandurchlauf der mehreren Scandurchläufe fortlaufend tiefer in das Substrat justiert wird,wobei für das Laserablationsverfahren Licht bei einer Wellenlänge zwischen Ultraviolett und Infrarot verwendet wird und wobei für das Stealth-Dicing-Laserverfahren Licht bei einer Wellenlänge oberhalb von 900 nm verwendet wird;Befestigen des Siliziumsubstrats (10) auf einem Band; undVereinzeln des Siliziumsubstrats (10) mittels eines Banddehnverfahrens an dem Band mit dem Siliziumsubstrat (10), wobei ein Riss von der Nut (60) durch die Trennschicht (210) erzeugt wird, indem das Band gedehnt wird.

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