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1. 发明申请

WO2014198944A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANOSPITZEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置的制备纳米TIPS
公开(公告)号：WO2014198944A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/EP2014/062462
申请日：2014-06-13
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MEHR, Wolfgang , WOLFF, André
IPC分类号： H01J37/073
CPC分类号： C23F4/00 , B81C1/00111 , C23C16/50 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J2201/30411 , H01J2209/0226 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： Verfahren zur Herstellung von mindestens einer Nanospitze aus einem Spitzenmaterial, umfassend das Bereitstellen eines Substrates (210), das aus dem Spitzenmaterial besteht oder dieses in Form einer Beschichtung aufweist, das Herstellen einer Maske aus einem Maskenmaterial (220), wobei das Maskenmaterial so gewählt ist, dass in einem vorbestimmten reaktiven lonenatzprozess das Maskenmaterial mit einer geringeren Ätzrate entfernt wird als das Spitzenmaterial und das Durchführen des reaktiven lonenätzprozesses in einer Ätzkammer, wobei Maskenmaterials zusätzlich derart ausgewählt wird, dass beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Maskenmaterial eine gasförmige Komponente (230) freigesetzt wird, die beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Spitzenmaterial nicht freigesetzt wird und wobei das Verfahren weiterhin die Schritte Detektieren der gasförmigen Komponente während der Durchführung des lonenätzprozesses, wiederholtes Ermitteln während des lonenätzprozesses, ob eine Menge der gasförmigen Komponente in der Ätzkammer einen vorbestimmten unteren Schwellwert erreicht, und sobald der untere Schwellwert erreicht ist: Stoppen des reaktiven lonenätzprozesses, umfasst.
摘要翻译：一种用于至少产生一个顶材料的纳米尖端，其包括：提供衬底（210），它由尖端的材料制成，或该具有涂层的形式，制备由掩模材料（220），的掩模，其中所述掩模材料被选择，以便处理的是，在预定的反应性lonenatzprozess掩模材料被以较慢的蚀刻速度比所述顶部材料取出，并在蚀刻室，其中，所述掩模材料的反应离子蚀刻的气体成分时的掩模材料被进一步选择，使得进行所述反应性lonenätzprozesses（230）被释放未在反应性离子蚀刻工艺从尖端材料释放，并且其中所述方法还包括lonenätzprozesses的执行期间检测所述气态组分，lonenätzprozesses期间反复确定是否量的步骤气体成分达到在蚀刻室的预定下阈值，并且当达到所述下阈值时：停止所述反应性lonenätzprozesses包括。

2. 发明申请

WO2014191328A1 GRAPHENE BASE TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：石墨基片晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2014191328A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/EP2014/060735
申请日：2014-05-23
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： WOLFF, André , MEHR, Wolfgang , LUPINA, Grzegorz , DABROWSKI, Jaroslaw , LIPPERT, Gunther , LUKOSIUS, Mindaugas , MELIANI, Chafik , WENGER, Christian
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/16 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L21/308 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/45 , H01L29/66037 , H01L29/73 , H01L29/737
摘要： A graphene base transistor comprises on a semiconductor substrate surface (102) an emitter pillar (110) and an emitter-contact pillar (112.1, 112.2), which extend from a pillar foundation (108) in a vertical direction. A dielectric filling layer (114) laterally embeds the emitter pillar (110) and the emitter-contact pillar (112.1, 122.2) above the pillar foundation (108). The dielectric filling layer (114) has an upper surface (S) that is flush with a top surface of the emitter pillar (110) and with the at least one base-contact arm (112) of a base-contact structure (116). A graphene base (118) forms a contiguous layer between a top surface of the emitter pillar (110) and atop surface of the base-contact arm (116.2, 116.3). A collector stack (120) and the base (118) have the same lateral extension parallel to the substrate surface (102) and perpendicular to those edges of the top surface of the emitter pillar (110) and the base-contact arm (116.2, 116.3) that face each other.
摘要翻译：石墨烯基晶体管在半导体衬底表面（102）上包括在垂直方向从柱基（108）延伸的发射极柱（110）和发射极 - 接触柱（112.1,112.2）。电介质填充层（114）横向地嵌入在支柱基座（108）上方的发射极支柱（110）和发射极 - 接触柱（112.1,122.2）。电介质填充层（114）具有与发射极柱（110）的顶表面齐平的上表面（S）以及基底接触结构（116）的至少一个基底接触臂（112）。石墨烯基底（118）在发射柱（110）的顶表面和基底接触臂（116.2,116.3）的顶表面之间形成连续的层。集电器堆叠（120）和基座（118）具有与基板表面（102）平行的垂直于发射极支柱（110）的顶表面和基座接触臂（116.2， 116.3）。

3. 发明公开

EP3008747A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANOSPITZEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置的制备纳米TIPS
公开(公告)号：EP3008747A1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：EP14729916.8
申请日：2014-06-13
申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： MEHR, Wolfgang , WOLFF, André
IPC分类号： H01J37/073
CPC分类号： C23F4/00 , B81C1/00111 , C23C16/50 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J2201/30411 , H01J2209/0226 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： The invention relates to a method for producing at least one nanotip from a tip material, comprising providing a substrate (210) which consists of the tip material or has said material in the form of a coating, producing a mask from a mask material (220), wherein the mask material is selected so that, in a predefined reactive ion etching process, the mask material is removed at a lower etching rate than the tip material, and carrying out the reactive ion etching process in an etching chamber, wherein mask materials are additionally selected so that a gaseous component (230) is released from the mask material during the reactive ion etching process, said gaseous component not being released from the tip material during the reactive ion etching process, and wherein the method furthermore comprises the steps of detecting the gaseous component while the ion etching process is carried out, repeatedly determining during the ion etching process whether a quantity of the gaseous component in the etching chamber reaches a predefined lower threshold, and as soon as the lower threshold is reached: stopping the reactive ion etching process.

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