专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

GR1006438B ΑΙΣΘΗΤΗΡΑΣ ΚΑΤΑΓΡΑΦΗΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΑ ΕΠΑΓΩΜΕΝΩΝ ΜΕΤΑΒΟΛΩΝ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ 未知
公开(公告)号：GR1006438B
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：GR20080100140
申请日：2008-03-05
申请人： IDRYMA TECHNOLOGIAS KAI EREVNAS , ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , KAFETZOPOULOS DIMITRIS , ZERGIOTI IOANNA , CHATZANDROULIS STAVROS , NORMAND PASCAL , TSOUKALAS DIMITRIS
发明人： KAFETZOPOULOS DIMITRIS , ANDREAKOU PERISTERA , CHATZANDROULIS STAVROS , GOUSTOURIDIS DIMITRIS , BOUTOPOULOS CHRISTOS , ZERGIOTI IOANNA , NORMAND PASCAL , TSOUKALAS DIMITRIS
IPC分类号： G01N33/543 , C12Q1/68 , G01N33/68
摘要： Μετηνπαρούσαεφεύρεση, παρέχεταιμίαμέθοδοςγιαταυτοποίηση, χαρακτηρισμό, ποσοτικήκαιποιοτικήανίχνευσημοριακώνστόχωνσεδείγμαπουπιθανόνπεριέχειτουςμοριακούςστόχους, ακολουθώνταςταεξήςβήματα: (ϊ) τηνπαροχήτουλάχιστονενόςαισθητήραχωρητικότηταςπουαποτελείταιαπόμίαεύκαμπτημεμβράνηηλεκτρόδιοκαιέναδεύτεροακλόνητοηλεκτρόδιομετρητή, (ϋ) τηνακινητοποίησητωνβιολογικώνμοριακώνυποδοχέωνπάνωστηνμεμβράνη-ηλεκτρόδιο, (iii) φέρνονταςτοπροςεξέτασηδείγμα, πουπεριλαμβάνειταείδη-στόχοςκαιταμαγνητίσιμασωματίδιασεεπαφήμετοναισθητήραχωρητικότητας, ταπροαναφερθένταμαγνητίσιμασωματίδια-επισήμανσηςέχονταςσυνδεθείμεταπροσδεμέναμόριαόπουσυνδέονταιεπιλεκτικάμεταμόρια-στόχος, ή, εναλλακτικά, συνδέονταιεπιλεκτικάμεταβιολογικάμόρια (υποδοχείς) και (iv) εφαρμόζονταςέναεξωτερικόμαγνητικόπεδίοτουλάχιστονσεένααισθητήραχωρητικότηταςκαι (ν) μετρώνταςαλλαγέςστηνχωρητικότητανακαταγράφειεάνή όχιταμαγνητισμένασωματίδια-επισήμανσηςέχουνεπιλεκτικάπροσδεθείσταβιολογικάμόρια-υποδοχείς.

2. 发明专利

GR1004286B A capacitive type chemical-selective sensor and a method to fabricate the same 未知
公开(公告)号：GR1004286B
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：GR2001100433
申请日：2001-09-13
申请人： NORMAND PASCAL , GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , TSEREPI ANGELIKI , TSOUKALAS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS
发明人： NORMAND PASCAL , GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , TSEREPI ANGELIKI , TSOUKALAS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS
IPC分类号： B81B3/00
摘要： capacity type chemical-selective sensor and a method to fabricate the sensor includes the final release of a silicon freestanding microstructure with a dry plasma etch thus avoiding stiction of the released structure. This constitutes a significant departure of the process used by other inventors to fabricate such freestanding Si structures. The released silicon structure stands at close proximity (typically 1

3. 发明专利

GR20010100433A A CAPACITIVE TYPE CHEMICAL-SELECTIVE SENSOR AND A METHOD TO FABRICATE SAME 未知
公开(公告)号：GR20010100433A
公开(公告)日：2003-05-19
申请号：GR2001100433
申请日：2001-09-13
申请人： NORMAND PASCAL , GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , TSEREPI ANGELIKI , TSOUKALAS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS
发明人： NORMAND PASCAL , GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , TSEREPI ANGELIKI , TSOUKALAS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS
IPC分类号： B81B3/00
摘要： capacity type chemical-selective sensor and a method to fabricate the sensor includes the final release of a silicon freestanding microstructure with a dry plasma etch thus avoiding stiction of the released structure. This constitutes a significant departure of the process used by other inventors to fabricate such freestanding Si structures. The released silicon structure stands at close proximity (typically 1

4. 发明专利

GR20010100079A CAPACITY PRESSURE-RESPONSIVE DEVICES AND THEIR FABRICATION 未知
公开(公告)号：GR20010100079A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：GR20010100079
申请日：2001-02-13
申请人： NORMAND PASCAL , ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , TSOUKALAS DIMITRIOS
发明人： NORMAND PASCAL , GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , TSOUKALAS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS
IPC分类号： G01L1/14 , G01L9/12 , H01H35/00
摘要： method for making capacitive silicon pressure sensors and pressure switches with high long-term stability involves fabrication by wafer bonding of a silicon substrate wafer with another silicon wafer where a highly boron-doped diaphragm is definedby a self-aligned doping process through a window defined on an insulating layer. The long-term stability of the device is secured by anisotropically etching the window e.g. by reactive ion etching, so as to create vertical window walls. The flatness of the diaphragm can be secured by the provision of an insulating film on the backside of the substrate wafer that compensates the stress on the silicon diaphragm created by the insulating layer present between the two wafers. The cavity formed by the window may contain gas or it may be evacuated in which case the fabrication method may also involve a process step facilitating the evacuation of the cavity and sealing the same using metal employed for making electrical connections.

5. 发明专利

GR1007121B 未知
公开(公告)号：GR1007121B
公开(公告)日：2009-10-18
申请号：GR20080100269
申请日：2008-04-18
申请人： ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , NORMAND PASCAL , ARGEITIS PANAGIOTIS , GLEZOS NIKOLAOS
发明人： NORMAND PASCAL , ARGEITIS PANAGIOTIS , GLEZOS NIKOLAOS , KAPETANAKIS ELEFTHERIOS , DOUVAS ANTONIOS , MAKARONA ELENI , VELESIOTIS DIMITRIOS

6. 发明专利

GR20080100269A ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΜΝΗΜΗΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΠΟΛΥΜΕΡΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΠΟΥ ΕΙΝΑΙ ΑΓΩΓΟΙ ΠΡΩΤΟΝΙΩΝ 未知
公开(公告)号：GR20080100269A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：GR20080100269
申请日：2008-04-18
申请人： ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , NORMAND PASCAL , ARGEITIS PANAGIOTIS , GLEZOS NIKOLAOS
发明人： NORMAND PASCAL , ARGEITIS PANAGIOTIS , GLEZOS NIKOLAOS , KAPETANAKIS ELEFTHERIOS , DOUVAS ANTONIOS , MAKARONA ELENI , VELESIOTIS DIMITRIOS
IPC分类号： H01L29/792 , H01L29/51 , H01L51/00
摘要： Ηπαρούσαεφεύρεσησχετίζεταιμεμη-πτητικέςκαιπτητικέςηλεκτρονικέςδιατάξειςμνήμηςστιςοποίεςοιφορείςπληροφορίαςβρίσκονταιυπότημορφήπρωτονίων. Πιοσυγκεκριμένααποκαλύπτεταιμέθοδοςκατασκευήςστοιχείουπρωτονικήςμνήμηςκάποιουτρανζίστορμνήμης. Ειδικότερα, τοενλόγωστοιχείοπρωτονικήςμνήμηςαποτελείταιαπόπολυμερικόστρώμαπουάγειπρωτόνιακαιεπιπροσθέτως, ενδέχεταιναπεριλαμβάνειέναή δύοστρώματααπόυλικόπουπεριέχειθέσειςπαγίδευσηςπρωτονίωνγιατοσκοπότηςεξασφάλισηςμη-πτητικήςλειτουργίαςσεδιάταξημνήμης.

7. 发明专利

GR1005905B ΜΕΘΟΔΟΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΥΛΙΚΩΝ ΝΙΤΡΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΣΕ ΧΑΜΗΛΑ ΘΕΡΜΙΚΑ ΦΟΡΤΙΑ. 未知
公开(公告)号：GR1005905B
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：GR20070100171
申请日：2007-03-14
申请人： ETHNIKO KENTRO EREVNAS FYSIKON , BEN ASSAYAG POSOSTO 4 2 GERARD , BONAFOS POSOSTO 4 2 CAROLINE , PEREGO POSOSTO 1 8 MICHELE , FANCIULLI POSOSTO 1 8 MARCO , NORMAND POSOSTO 24 PASCAL , IOANNOU SOULGERIDIS POSOSTO 24
发明人： NORMAND PASCAL , IOANNOU-SOULGERIDIS VASILEIOS , DIMITRAKIS PANAGIOTIS , VAMVAKAS VASILEIOS , BONAFOS CAROLINE , BEN-ASSAYAG GERARD , PEREGO MICHELE , FANCIULLI MARCO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3115 , H01L21/314
摘要： Μέθοδοςσχηματισμούοξειδίουτουπυριτίουμεθερμικήοξείδωσητουνιτριδίουτουπυριτίου (ήπαρόμοιουυλικούόπωςτοοξει-νιτρίδιοτουπυριτίου) αποκαλύπτεται. Ημέθοδοςαπαιτείτηνχρήσηεμφύτευσηςιόντωνπυριτίουχαμηλήςενέργειαςγιατηνεισαγωγήτωνιόντων Si στοστρώματουνιτριδίου, έτσιώστεστρώμαθερμικούοξειδίουτουπυριτίουναμπορείνασχηματισθείπάνωστοσρώματουνιτριδίουσεσυνθήκεςατμώνή ξηρήςοξείδωσηςχρησιμοποιώνταςσυμβατικόφούρνοατμοσφαιρικήςπίεσηςνααπαιτούνταιυψηλάθερμικάφορτία. Επίσηςαποκαλύπτεταιη εφαρμογήτηςμεθόδουπουαξιώνεταιστηνκατασκευήπολυστρωματικήςδιάταξηςδιηλεκτρικώνοξειδίου-νιτριδίου-οξειδίου (ΟΝΟ) διάταξηςμνήμηςτύπου SONOS. Ημέθοδοςπεριλαμβάνειταβήματασχηματισμούστρώματοςδιηλεκτρικούπάνωσεημιαγώγιμουπόστρωμα, σχηματισμούστρώματοςνιτριδίου, εμφύτευσηςιόντωνπυριτίουχαμηλήςενέργειας (κατάπροτίμησηανάμεσασε 0.5 keV και 5 keV), σχηματίζονταςστηνκορυφήθερμικόοξείδιοσεχαμηλάθερμικάφορτία (κατάπροτίμησηστηνπεριοχή 700-950 βαθμούκελσίουκατάπροσέγγισηγιαπερίπου 5 έως 60 min) σεοξειδωτικόπεριβάλλονεντόςατμοσφαιρικούφούρνου.

8. 发明专利

GR20090100300A ΔΙΑΤΑΞΗ ΤΥΠΟΥ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΧΗΜΙΚΗ ΚΑΙ ΒΙΟΛΟΓΙΚΗ ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ ΤΗΣ 未知
公开(公告)号：GR20090100300A
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：GR20090100300
申请日：2009-05-28
申请人： CHATZANDROULIS STAVROS , EKEFE DIMOKRITOS , NORMAND PASCAL
发明人： GOUSTOURIDIS DIMITRIOS , CHATZANDROULIS STAVROS , NORMAND PASCAL , TSOUTI VASILIKI
IPC分类号： G01L1/14 , G01N27/22
摘要： Περιγράφεταιδιάταξητύπουχωρητικότηταςγιαχημικήκαιβιολογικήανίχνευσηκαιμέθοδοςκατασκευήςτης. Οβιοαισθητήραςμπορείνααποτελείταιαπόέναμόνοβιοαισθητήριοσημείοή έναπλήθοςαπόβιοαισθητήριασημείασεμορφήσυστοιχίας. Κάθεβιοαισθητήριοστοιχείοαποτελείταιαπόέναάκαμπτοηλεκτρόδιοκαιένααντίθετοεύκαμπτοηλεκτρόδιο, μετοτελευταίοναβρίσκεταισεεγγύτητα (τυπικάλιγότεροαπό 1 μπι) πάνωαπότοηλεκτρόδιοπουσχηματίζεταιστουπόστρωμαπυριτίου. Μιαδιάταξηβιολογικήςανίχνευσηςμπορείεύκολαναπραγματοποιηθείανέναβιολογικόείδοςακινητοποιηθείστηνεπιφάνειατης. Κατάτηναλληλεπίδρασητωνακινητοποιημένωνμορίωνστηνεπιφάνειατουαισθητήραμεάλλαειδικάμόρια, ταοποίαβρίσκονταιστουπόμελέτηδείγμα, αλλαγέςστηνεπιφανειακήτάσηαναγκάζουντοεύκαμπτοηλεκτρόδιονακάμπτεταικαταλήγονταςσεμιααντίστοιχημεταβολήστηνχωρητικότητατουσχετικούβιοαισθητήριουστοιχείουΕναςβιοαισθητήραςτύπουχωρητικότηταςόπωςπαρουσιάζεταισεαυτήτηνεφεύρεσημπορείνααποτελείταιαπόμιαποικιλίαβιοαισθητήριωνστοιχείωνυπότημορφήσυστοιχίας, μεκάθεαισθητήριοστοιχείοναέχειέναδιαφορετικόβιολογικόείδοςακινητοποιημένοστηνεπιφάνειατου, έτσικαθιστώνταςεφικτήτηνταυτόχρονηανίχνευσηδιάφορωνβιολογικώνειδών. Σεμιαάλληπιθανήεφαρμογήαντίγιαένανβιολογικόμεσολαβητήμπορείναακινητοποιηθείέναχημικάευαίσθητοστρώμαπάνωστοεύκαμπτοηλεκτρόδιοδημιουργώνταςέναχημικόαισθητήριοσημείοστησυστοιχία.

9. 发明专利

AT433196T 未知
公开(公告)号：AT433196T
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：AT01600006
申请日：2001-03-13
申请人： NAT CT SCIENT RES DEMOKRITOS , NORMAND PASCAL , TSOUKALAS DIMITRIOS
发明人： NORMAND PASCAL , BELTSIOS KONSTANTINOS , TSEREPI ANGELIKI , AIDINIS KONSTANTINOS , TSOUKALAS DIMITRIOS
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/312
摘要： A method for masking mono-crystalline or poly-crystalline silicon surfaces against a wide variety of anisotropic wet etchants for the purpose of forming silicon micromachined structures is disclosed. The method consists of exposing one or more silicon surfaces to a fluorocarbon-based plasma. A composite material is formed onto the plasma-exposed silicon surfaces that protects said silicon surfaces during silicon etching in ethylenediamine-pyrocatechol-water (EPW) solutions. When said composite material is properly annealed prior to etching, a protective film highly resistant to potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and EPW solutions is formed. Because the formation of said composite material occurs only onto silicon surfaces exposed to the plasma ion flux, the method allows selective masking of silicon surfaces of an already three-dimensionally structured silicon wafer without the need of photolithographic process.

10. 发明专利

DE60138869D1 未知
公开(公告)号：DE60138869D1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：DE60138869
申请日：2001-03-13
申请人： NAT CT SCIENT RES DEMOKRITOS , NORMAND PASCAL , TSOUKALAS DIMITRIOS
发明人： NORMAND PASCAL , BELTSIOS KONSTANTINOS , TSEREPI ANGELIKI , AIDINIS KONSTANTINOS , TSOUKALAS DIMITRIOS
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/312
摘要： A method for masking mono-crystalline or poly-crystalline silicon surfaces against a wide variety of anisotropic wet etchants for the purpose of forming silicon micromachined structures is disclosed. The method consists of exposing one or more silicon surfaces to a fluorocarbon-based plasma. A composite material is formed onto the plasma-exposed silicon surfaces that protects said silicon surfaces during silicon etching in ethylenediamine-pyrocatechol-water (EPW) solutions. When said composite material is properly annealed prior to etching, a protective film highly resistant to potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and EPW solutions is formed. Because the formation of said composite material occurs only onto silicon surfaces exposed to the plasma ion flux, the method allows selective masking of silicon surfaces of an already three-dimensionally structured silicon wafer without the need of photolithographic process.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式