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1. 发明申请

WO2006122096A2 METHOD AND STRUCTURES FOR MEASURING GATE TUNNELING LEAKAGE PARAMETERS OF FIELD EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于测量场效应晶体管的栅极隧道漏电参数的方法和结构
公开(公告)号：WO2006122096A2
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/US2006017863
申请日：2006-05-09
申请人： IBM , NOWAK EDWARD J , NA MYUNG-HE
发明人： NOWAK EDWARD J , NA MYUNG-HE
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： H01L22/34 , H01L29/42384 , H01L29/78609 , H01L29/78615
摘要： A structure (100) and method for measuring leakage current. The structure includes: a body (105) formed in a semiconductor substrate (175); a dielectric layer (125/130) on a top surface of the silicon body (105); and a conductive layer (110) on a top surface of the dielectric layer (125/130), a first region of the dielectric layer (125/130) having a first thickness (T1) and a second region of the dielectric layer (125/130) between the conductive layer (110)and the top surface of the body (105) having a second thickness (T2), the second thickness (T2) different from the first thickness (T1). The method includes, providing two of the above structures (100) having different areas of first and the same area of second or having different areas of second and the same area of first dielectric regions (125/130), measuring a current between the conductive layer (110) and the body (105) for each structure (100) and calculating a gate tunneling leakage current based on the current measurements and dielectric layer (125/130) areas of the two devices.
摘要翻译：一种用于测量漏电流的结构（100）和方法。该结构包括：形成在半导体衬底（175）中的主体（105）; 在硅体（105）的顶表面上的介电层（125/130）; 和介电层（125/130）的顶表面上的导电层（110），具有第一厚度（T1）和电介质层（125）的第二区域的电介质层（125/130）的第一区域导电层（110）和具有第二厚度（T2）的本体（105）的顶表面之间，第二厚度（T2）与第一厚度（T1）不同。该方法包括：提供两个上述结构（100），其具有第一和相同面积区域的不同区域，或具有第二和相同面积的第一介电区域（125/130）的不同区域，测量导电（100）的层（110）和主体（105），并且基于两个器件的电流测量和电介质层（125/130）区域计算栅极隧道漏电流。

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