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1. 发明专利

DE112013000362T5 ELEKTRISCH PROGRAMMIERBARE BACK-END-SICHERUNG 未知
公开(公告)号：DE112013000362T5
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：DE112013000362
申请日：2013-01-10
申请人： IBM
发明人： BONILLA GRISELDA , CHANDA KAUSHIK , CHOI SAMUEL S , GRUNOW STEPHAN , LUSTIG NAFTALI E , MOY DAN , SIMON ANDREW H , BAO JUNJING , FILIPPI RONALD G
IPC分类号： H01L21/82 , H01L23/62
摘要： Es wird eine BEOL-E-Sicherung offenbart, die zuverlässig im Durchkontakt durchbrennt und selbst in den BEOL-Schichten mit engsten Abständen gebildet werden kann. Die BEOL-E-Sicherung kann mit einem Line-First-Dual-Damascene-Prozess gebildet werden, um einen sublithografischen Durchkontakt zu ergeben, der das programmierbare Element der E-Sicherung ist. Der sublithografische Durchkontakt kann durch Standard-Lithografie strukturiert werden, und der Querschnitt des Durchkontakts kann dem Sollprogrammierstrom entsprechend abgestimmt werden.

2. 发明专利

DE112013000362B4 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCH PROGRAMMIERBARERBACK-END-SICHERUNG 未知
公开(公告)号：DE112013000362B4
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：DE112013000362
申请日：2013-01-10
申请人： IBM
发明人： BAO JUNJING , BONILLA GRISELDA , CHANDA KAUSHIK , CHOI SAMUEL S , FILIPPI RONALD G , GRUNOW STEPHAN IBM CORP , LUSTIG NAFTALI E , MOY DAN , SIMON ANDREW H
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/82 , H01L23/62
摘要： Verfahren zum Bilden einer BEOL-E Sicherung (424a), aufweisend:Bereitstellen einer Struktur, die eine Hartmaske (426) über einer ersten Dielektrikumsschicht (415) einschließt, wobei die Hartmaske auch über einer zweiten Dielektrikumsschicht (425) angeordnet ist, wobei die zweite Dielektrikumsschicht über einer leitfähigen Leitung (412a) angeordnet ist, die in der ersten Dielektrikumsschicht (415) gebildet ist;(a) Bilden einer ersten (Q) und einer zweiten (P) Öffnung durch die Hartmaske (426),(b) Strukturieren einer dritten (B) und einer vierten (A) Öffnung in einer Fotolackschicht (428), die über der Hartmaske angeordnet ist, wobei die dritte Öffnung (B) mit der erste Öffnung (Q) fehlausgerichtet (ΔW) ist, um eine Seitenwand der Hartmaske (426) in der ersten Öffnung (Q) freizulegen und die erste Öffnung (Q) partiell zu überlappen und dadurch einen Überlappungsabschnitt zu definieren, wobei der Überlappungsabschnitt eine Sub-Groundrule-Abmessung aufweist, wobei die vierte Öffnung (A) in der zweiten Öffnung (P) ist, um das Freilegen der Hartmaske (426) in der vierten Öffnung zu vermeiden,(c) Ätzen durch die Hartmaske (426) und die strukturierte Fotolackschicht (428) eines ersten Abschnitts der zweiten Dielektrikumsschicht (425), welcher durch den Überlappungsabschnitt und die freigelegte Seitenwand der Hartmaske (426) definiert ist, um einen ersten Durchkontakt-Hohlraum (B') der BEOL-E Sicherung (424a) in der zweiten Dielektrikumsschicht (425) zu bilden, wobei der erste Durchkontakt-Hohlraum (B') mit der leitfähigen Leitung (412a) vollständig überlappt und eine Abmessung (W-ΔW) definiert durch den Überlappungsabschnitt aufweist,(d) Entfernen einer strukturierten Fotolackschicht (428), um die erste Öffnung (Q) freizulegen,(e) Ätzen durch die freigelegte erste Öffnung (Q) in der Hartmaske eines zweiten Abschnitts in der zweiten Dielektrikumsschicht (425), um einen Graben (Q') zu bilden, der mit dem ersten Durchkontakt-Hohlraum (B') vollständig überlappt.

3. 发明专利

DE112013006022T5 Zwischenverbindungen aus Graphen und Metall 未知
公开(公告)号：DE112013006022T5
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：DE112013006022
申请日：2013-12-09
申请人： IBM
发明人： FILIPPI RONALD G , LUSTIG NAFTALI E , BAO JUNJING , BONILLA GRISELDA , SIMON ANDREW H , CHOI SAMUEL S
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
摘要： Eine Zwischenverbindungsstruktur aus Graphen und Metall sowie Verfahren zum Herstellen derselben. Unter Verwendung eines Graphen-Katalysators kann eine mehrschichtige Graphen-Struktur aufgewachsen werden. Das Graphen bildet eine elektrische Verbindung 30 zwischen zwei oder mehr Durchkontakten (16, 36) oder Komponenten 20 oder einer Kombination aus Durchkontakten und Komponenten. Ein Durchkontakt beinhaltet ein Füllmetall, wobei wenigstens ein Anteil des Füllmetalls 36 von einem Barrierenmetall 38 umgeben ist. Eine Komponente kann ein Routing-Track, eine Taktsignalquelle, eine Stromquelle, eine Quelle für ein elektromagnetisches Signal, ein Masseanschluss, ein Transistor, eine Macrozelle oder eine Kombination derselben sein. Das Graphen wird unter Verwendung eines Graphen-Katalysators aus Quellen sowohl aus festem als auch aus flüssigem Kohlenstoff unter Verwendung von chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bei einer Temperatur zwischen 300°C und 400°C aufgewachsen. Der Graphen-Katalysator kann eine elementare Form von Nickel, Palladium, Ruthenium, Iridium oder Kupfer oder eine Legierung sein, die dieselben beinhaltet.

4. 发明专利

GB2512009B Back-end electrically programmable fuse 未知
公开(公告)号：GB2512009B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：GB201412533
申请日：2013-01-10
申请人： IBM
发明人： BAO JUNJING , BONILLA GRISELDA , CHANDA KAUSHIK , CHOI SAMUEL S , FILIPPI RONALD G , GRUNOW STEPHAN , LUSTIG NAFTALI E , MOY DAN , SIMON ANDREW H
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/525
摘要： A BEOL e-fuse is disclosed which reliably blows in the via and can be formed even in the tightest pitch BEOL layers. The BEOL e-fuse can be formed utilizing a line first dual damascene process to create a sub-lithographic via to be the programmable link of the e-fuse. The sub-lithographic via can be patterned using standard lithography and the cross section of the via can be tuned to match the target programming current.

5. 发明专利

GB2523948A Graphene and metal interconnects 未知
公开(公告)号：GB2523948A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：GB201511991
申请日：2013-12-09
申请人： IBM
发明人： BAO JUNJING , BONILLA GRISELDA , FILIPPI RONALD G , LUSTIG NAFTALI E , SIMON ANDREW H , CHOI SAMUEL S
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： A graphene and metal interconnect structure and methods of making the same. A multiple layer graphene structure may be grown using a graphene catalyst. The graphene forms an electrical connection 30 between two or more vias (16,36) or components 20, or a combination of vias and components. A via includes a fill metal, with at least a portion of the fill metal 36 being surrounded by a barrier metal 38. A component may be a routing track, a clock signal source, a power source, an electromagnetic signal source, a ground terminal, a transistor, a macrocell, or a combination thereof. The graphene is grown, using a graphene catalyst, from both solid and liquid carbon sources using chemical vapor deposition (CVD) at a temperature between 300Â°C - 400Â°C. The graphene catalyst can be an elemental form of, or alloy including, nickel, palladium, ruthenium, iridium or copper.

6. 发明专利

GB2512009A Back-end electrically programmable fuse 未知
公开(公告)号：GB2512009A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：GB201412533
申请日：2013-01-10
申请人： IBM
发明人： BAO JUNJING , BONILLA GRISELDA , CHANDA KAUSHIK , CHOI SAMUEL S , FILIPPI RONALD G , GRUNOW STEPHAN , LUSTIG NAFTALI E , MOY DAN , SIMON ANDREW H
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/525
摘要： A BEOL e-fuse is disclosed which reliably blows in the via and can be formed even in the tightest pitch BEOL layers. The BEOL e-fuse can be formed utilizing a line first dual damascene process to create a sub-lithographic via to be the programmable link of the e-fuse. The sub-lithographic via can be patterned using standard lithography and the cross section of the via can be tuned to match the target programming current.

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