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1. 发明申请

WO2012128843A3 IMPROVED SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS 审中-公开
标题翻译：改进的平台图像传输过程
公开(公告)号：WO2012128843A3
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/US2012023065
申请日：2012-01-30
申请人： IBM , YIN YUNGPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
发明人： YIN YUNGPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.
摘要翻译：提出了一种执行侧壁间隔图像转移的改进方法。该方法包括在多个心轴（106a）旁边形成一组侧壁间隔物（109a），该组侧壁间隔物直接位于硬掩模层（105）的顶部上。将所述一组侧壁间隔物的至少一部分图像转印到所述硬掩模层以形成器件图案（105a）; 以及将所述装置图案从所述硬掩模层转移到所述硬掩模层下方的基板（101）。

2. 发明专利

DE112012000932B4 Verbessertes Seitenwand-Bildübertragungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112012000932B4
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：DE112012000932
申请日：2012-01-30
申请人： IBM
发明人： YIN YUNGPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
IPC分类号： H01L21/027
摘要： Verfahren, aufweisend:Bilden einer Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern (109a) neben mehreren Dornen (106a), wobei sich die Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern direkt auf einer Hartmaskenschicht (105) befindet;Übertragen eines Bildes zumindest eines Abschnitts der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern auf die Hartmaskenschicht, um eine Einheitsstruktur (105a) zu bilden;Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf ein Substrat (101) unterhalb der Hartmaskenschicht; undBilden einer Photoresist-Sperrmaske (112a), wobei die Photoresist-Sperrmaske nur den zumindest einen Abschnitt der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern frei lässt und den Rest der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern bedeckt,wobei die Hartmaskenschicht eine zweite Hartmaskenschicht ist und wobei das Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf das Substrat ferner das Übertragen der Einheitsstruktur auf eine erste Hartmaskenschicht (103) umfasst, wobei sich die erste Hartmaskenschicht unterhalb der zweiten Hartmaskenschicht befindet und durch eine Planarisierungsschicht (104) von dieser getrennt ist.

3. 发明专利

GB2511456B Dual hard mask lithography process 未知
公开(公告)号：GB2511456B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：GB201410024
申请日：2012-12-20
申请人： IBM
发明人： BURNS SEAN D , HOLMES STEVEN J , HORAK DAVID V , SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM , YIN YUNPENG , ARNOLD JOHN C
IPC分类号： H01L21/033 , G03F7/00 , H01L21/768

4. 发明专利

CA2843399C IMPROVED SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS 未知
公开(公告)号：CA2843399C
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CA2843399
申请日：2012-01-30
申请人： IBM
发明人： YIN YUNPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
IPC分类号： H01L21/027
摘要： An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.

5. 发明专利

GB2511456A Dual hard mask lithography process 未知
公开(公告)号：GB2511456A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：GB201410024
申请日：2012-12-20
申请人： IBM
发明人： BURNS SEAN D , HOLMES STEVEN J , HORAK DAVID V , SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM , YIN YUNPENG , ARNOLD JOHN C
IPC分类号： H01L21/033 , G03F7/00 , H01L21/768
摘要： A first metallic hard mask layer over an interconnect-level dielectric layer is patterned with a line pattern. At least one dielectric material layer, a second metallic hard mask layer, a first organic planarization layer (OPL), and a first photoresist are applied above the first metallic hard mask layer. A first via pattern is transferred from the first photoresist layer into the second metallic hard mask layer. A second OPL and a second photoresist are applied and patterned with a second via pattern, which is transferred into the second metallic hard mask layer. A first composite pattern of the first and second via patterns is transferred into the at least one dielectric material layer. A second composite pattern that limits the first composite pattern with the areas of the openings in the first metallic hard mask layer is transferred into the interconnect-level dielectric layer.

6. 发明专利

DE112012000932T5 Verbessertes Seitenwand-Bildübertragungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112012000932T5
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：DE112012000932
申请日：2012-01-30
申请人： IBM
发明人： YIN YUNGPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
IPC分类号： H01L21/027
摘要： Es wird ein verbessertes Verfahren zur Durchführung einer Seitenwand-Abstandhalter-Bildübertragung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern (109a) neben mehreren Dornen (106a), wobei sich die Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern direkt auf einer Hartmaskenschicht (105) befindet; das Übertragen eines Bildes zumindest eines Abschnitts der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern auf die Hartmaskenschicht, um eine Einheitsstruktur (105a) zu bilden; und das Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf ein Substrat (101) unterhalb der Hartmaskenschicht.

7. 发明专利

DE112012005734T5 Lithographieprozess mit doppelter Hartmaske 未知
公开(公告)号：DE112012005734T5
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：DE112012005734
申请日：2012-12-20
申请人： IBM
发明人： ARNOLD JOHN C , BURNS SEAN D , HOLMES STEVEN J , HORAK DAVID V , SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM , YIN YUNPENG
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/68 , G03F1/80 , G03F7/20
摘要： Eine erste metallische Hartmaskenschicht über einer dielektrischen Zwischenverbindungsebenen-Schicht wird mit einem Leitungsmuster strukturiert. Oberhalb der ersten metallischen Hartmaskenschicht wird wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material, eine zweite metallische Hartmaskenschicht, eine erste organische Planarisierungsschicht (OPL) sowie ein erstes Photoresist angebracht. Ein erstes Durchkontakt-Muster wird von der ersten Photoresistschicht in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert. Eine zweite OPL und ein zweites Photoresist werden angebracht und mit einem zweiten Durchkontakt-Muster strukturiert, das in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird. Ein erstes Kombinationsmuster aus dem ersten und dem zweiten Durchkontaktmuster wird in die wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material transferiert. Ein zweites Kombinationsmuster, welches das erste Kombinationsmuster mit den Gebieten der Öffnungen in der ersten metallischen Hartmaskenschicht begrenzt, wird in die dielektrische Zwischenverbindungsebenen-Schicht hinein transferiert.

8. 发明专利

CA2843399A1 IMPROVED SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS 未知
公开(公告)号：CA2843399A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：CA2843399
申请日：2012-01-30
申请人： IBM
发明人： YIN YUNGPENG , ARNOLD JOHN C , COLBURN MATTHEW E , BURNS SEAN D
IPC分类号： H01L21/027
摘要： An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.

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