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1. 发明公开

EP0470620A3 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 有权转让
标题翻译：用渗透硅的碳化硅生产模制品的方法
公开(公告)号：EP0470620A3
公开(公告)日：1992-08-05
申请号：EP91113342.9
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zum Silizieren von porösen Formkörpern aus Siliziumcarbid/Kohlenstoff verformt man ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem Grünkörper, entfernt das Bindemittel des Grünköpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 C und siliziert den erhaltenen Rohling durch Einwirken von geschmolzenem Silizium, wobei der erhaltene Rohling auf einem porösen SiSiC-Träger aufliegt, der mit seinem unteren Teil mit dem flüssigem Silizium in Kontakt steht und die Anordnung aus SiSiC-Träger und erhaltenem Formkörper nach beendeter Silizierung abgekühlt wird. Als Träger wird eine dichte Packung von porösen Ringen aus SiSiC verwendet, die parallel zueinander und senkrecht auf einer mit Silizium beschickten für flüssiges Silizium undurchlässigen Brennplatte aus Graphit angeordnet sind.
摘要翻译：对于silicizing碳化硅/碳的多孔成型体，所述绿色Köpers碳化硅粉末，有机粘结剂和任选的碳的混合物变形的粘结剂在约1000℃形成生坯，位于由碳化非氧化性气氛中和硅酸盐通过所获得的空白熔融硅，的作用，其中的多孔载体SISIC其与与所述液体硅和SISIC架组件的下部接触，并且得到的成形体的silicization完成之后冷却所获得的空白休止符。作为用于多孔SISIC环的致密堆积的支持，这是为由石墨制成的液体不可渗透的硅内板平行布置成彼此并垂直于装载有硅。

2. 发明授权

EP0470620B1 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 有权转让
标题翻译：一种用于生产由硅渗入碳化硅模制品的工艺。
公开(公告)号：EP0470620B1
公开(公告)日：1994-04-13
申请号：EP91113342.9
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573

3. 发明授权

EP0470622B1 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 失效
标题翻译：制造形成硅的渗透碳化硅体的方法
公开(公告)号：EP0470622B1
公开(公告)日：1993-10-13
申请号：EP91113344.5
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573

4. 发明公开

EP0470621A3 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 失效
标题翻译：制造硅胶渗碳体碳化硅体的方法
公开(公告)号：EP0470621A3
公开(公告)日：1992-08-12
申请号：EP91113343.7
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zum Silizieren von porösen Formkörpern aus Siliziumcarbid oder Siliciumcarbid/Kohlenstoff, die mindestens eine ebene Außenfläche besitzen, wird ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem Grünkörper verformt, das Bindemittel des Grünkörpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 C entfernt und der erhaltene Rohling durch Einwirken von flüssigem Silizium bei Temperaturen von mindestens 1400 °C siliziert. Dabei liegt der erhaltene Rohling mit einer ebenen Außenfläche auf einem porösen SiSiC-Träger auf, der mit seinem unteren Teil mit dem flüssigen Silizium in Kontakt steht. Die Auflagefläche des Trägers ist eben und besitzt mehrere Ausnehmungen.

5. 发明公开

EP0470620A2 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 有权转让
标题翻译： Verfahren zur Herstellung vonFormkörpernaus siliuminfiltriertem Siliciumcarbid。
公开(公告)号：EP0470620A2
公开(公告)日：1992-02-12
申请号：EP91113342.9
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zum Silizieren von porösen Formkörpern aus Siliziumcarbid/Kohlenstoff verformt man ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem Grünkörper, entfernt das Bindemittel des Grünköpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 C und siliziert den erhaltenen Rohling durch Einwirken von geschmolzenem Silizium, wobei der erhaltene Rohling auf einem porösen SiSiC-Träger aufliegt, der mit seinem unteren Teil mit dem flüssigem Silizium in Kontakt steht und die Anordnung aus SiSiC-Träger und erhaltenem Formkörper nach beendeter Silizierung abgekühlt wird. Als Träger wird eine dichte Packung von porösen Ringen aus SiSiC verwendet, die parallel zueinander und senkrecht auf einer mit Silizium beschickten für flüssiges Silizium undurchlässigen Brennplatte aus Graphit angeordnet sind.
摘要翻译：为了硅化碳化硅/碳的多孔模制品，将碳化硅粉末，有机粘合剂和任选的碳的混合物模制成生坯，在非氧化气氛中通过在约1000℃下碳化除去生坯的粘合剂并且通过熔融硅的作用将获得的坯料硅化，将得到的坯料放置在下部与液态硅接触的多孔SiSiC载体上，并且SiSiC载体和所得模制物的排列在硅化结束后被冷却。所使用的载体是多孔SiSiC环的致密填料，它们彼此平行并且在石墨燃烧板上成直角地布置，石墨燃烧板上装有硅并且不透液体。

6. 发明公开

EP0470622A2 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung vonFormkörpernaus siliuminfiltriertem Siliciumcarbid。
公开(公告)号：EP0470622A2
公开(公告)日：1992-02-12
申请号：EP91113344.5
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliziumcarbid, insbesondere von Rohren, verformt man ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem zylinderförmigen langgestreckten Grünkörper, entfernt das Bindemittel des Grünkörpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 ° C und siliziert den erhaltenen porösen Rohling durch Einwirken von flüssigem Silizium bei Temperaturen von mindestens 1400 ° C. Während des Silizierens liegt der Rohling auf einem porösen SiSiC-Träger auf, der in Kontakt steht mit flüssigem Silizium. Der SiSiC-Träger weist eine gerade Rinne mit winkelförmigem Querschnitt und Ausnehmungen auf, in die der zu silizierende zylinderförmige Rohling gelegt wird, und der SiSiC-Träger besitzt nach unter ragende Seitenwände, die an ihrer Unterseite mit dem flüssigen Silizium in Kontakt stehen.
摘要翻译：为了生产硅渗透的碳化硅，特别是管道的模制品，将碳化硅粉末，有机粘合剂和任选的碳的混合物模制成圆柱形细长的生坯，在非氧化过程中除去生坯的粘合剂气氛通过碳化在约1000℃，并且所获得的多孔坯料通过液态硅的作用在至少1400℃的温度下被硅化。在硅化期间，坯料搁置在与液态硅接触的多孔SiSiC载体上。 SiSiC载体具有具有角度横截面的直通道和待被硅化的圆柱形坯料的凹槽，SiSiC载体具有下表面与液态硅接触的向下突出的侧壁。

7. 发明公开

EP0470621A2 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung vonFormkörpernaus siliuminfiltriertem Siliciumcarbid。
公开(公告)号：EP0470621A2
公开(公告)日：1992-02-12
申请号：EP91113343.7
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zum Silizieren von porösen Formkörpern aus Siliziumcarbid oder Siliciumcarbid/Kohlenstoff, die mindestens eine ebene Außenfläche besitzen, wird ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem Grünkörper verformt, das Bindemittel des Grünkörpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 C entfernt und der erhaltene Rohling durch Einwirken von flüssigem Silizium bei Temperaturen von mindestens 1400 °C siliziert. Dabei liegt der erhaltene Rohling mit einer ebenen Außenfläche auf einem porösen SiSiC-Träger auf, der mit seinem unteren Teil mit dem flüssigen Silizium in Kontakt steht. Die Auflagefläche des Trägers ist eben und besitzt mehrere Ausnehmungen.
摘要翻译：为了硅化具有至少一个平坦外表面的碳化硅或碳化硅/碳的多孔模制品，将碳化硅粉末，有机粘合剂和任选的碳的混合物模制成生坯，生坯的粘合剂为在非氧化气氛中通过碳化在约1000℃下除去，所得坯料通过液态硅的作用在至少1400℃的温度下被硅化。所获得的坯料在其多孔SiSiC载体上具有平坦的外表面，其下部与液态硅接触。支撑体的接触表面是平的并且具有多个凹槽。

8. 发明公开

EP0470622A3 Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid 失效
标题翻译：用渗透硅的碳化硅生产模制品的方法
公开(公告)号：EP0470622A3
公开(公告)日：1992-08-19
申请号：EP91113344.5
申请日：1991-08-08
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Benker, Werner , Schmidt, Jürgen
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/87
CPC分类号： C04B35/573
摘要： Zur Herstellung von Formkörpern aus siliciuminfiltriertem Siliziumcarbid, insbesondere von Rohren, verformt man ein Gemisch aus Siliziumcarbid-Pulver, organischem Bindemittel und gegebenenfalls Kohlenstoff zu einem zylinderförmigen langgestreckten Grünkörper, entfernt das Bindemittel des Grünkörpers in einer nicht oxidierenden Atmosphäre durch Verkokung bei ca. 1000 ° C und siliziert den erhaltenen porösen Rohling durch Einwirken von flüssigem Silizium bei Temperaturen von mindestens 1400 ° C. Während des Silizierens liegt der Rohling auf einem porösen SiSiC-Träger auf, der in Kontakt steht mit flüssigem Silizium. Der SiSiC-Träger weist eine gerade Rinne mit winkelförmigem Querschnitt und Ausnehmungen auf, in die der zu silizierende zylinderförmige Rohling gelegt wird, und der SiSiC-Träger besitzt nach unter ragende Seitenwände, die an ihrer Unterseite mit dem flüssigen Silizium in Kontakt stehen.
摘要翻译：用于生产由硅渗入碳化硅成型体，特别是管，碳化硅粉末，有机粘结剂和任选碳的混合物变形以形成圆柱形细长生坯，通过碳化在约1000℃取出生坯的粘结剂在非氧化性气氛中并且通过液态硅的作用在至少1400℃的温度下使得到的多孔坯料硅化。在硅化过程中，坯料被负载在与液体硅接触的多孔SiSiC载体上。该SISIC载体具有与winkelförmigem横截面和凹陷，到其中的至silizierende圆筒形坯料的直通道被放置，并且SISIC载体已标题突出，其被设置在其下侧与接触所述液体硅侧壁。

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