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1. 发明专利

JP2014116630A Manufacturing method and cleaning method of semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法和清洗方法
公开(公告)号：JP2014116630A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2014018193
申请日：2014-02-03
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make it easy to treat a cleaning gas and a nitrogen monoxide gas and improve performance of cleaning with high controllability when dry cleaning in a processing chamber is performed by addition of the nitrogen monoxide gas to the cleaning gas.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: a processing container for processing a substrate; a first cleaning gas supply system for preliminarily mixing a fluorine atom-containing gas and a nitrogen monoxide gas and supplying the mixed gas to the inside of the processing container; and a second cleaning gas system arranged separately from the first cleaning gas supply system, for supplying a fluorine atom-containing gas to the inside of the processing container.
摘要翻译：要解决的问题：为了在清洁气体中加入一氧化氮气体，在处理室中进行干洗时，易于处理清洁气体和一氧化氮气体，并且以高可控性提高清洗性能。解决方案：一种基板处理装置，包括：处理基板的处理容器; 用于预先混合含氟原子的气体和一氧化氮气体并将混合气体供给到处理容器的内部的第一清洁气体供给系统; 以及与第一清洁气体供给系统分离设置的用于向处理容器的内部供给含氟原子的气体的第二清洗气体系统。

2. 发明专利

JP2014170786A Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program 审中-公开
标题翻译：清洁方法，制造半导体器件的方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2014170786A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013040613
申请日：2013-03-01
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a time required for removing deposit when deposit including a thin film adhered in a processing container is removed, and to reduce damages to a configuration member of a substrate processing device.SOLUTION: A cleaning method includes: a step of providing a processing container to be subjected to processing of forming a thin film on a substrate; and a step of supplying cleaning gas into the processing container after the processing to remove deposit including the thin film adhered in the processing container. At the step of removing deposit, by mixing and reacting fluorine-containing gas and nitrogen monoxide gas in a mixing part, mixture gas configured by adding fluoride nitrosyl to the fluorine-containing gas is generated as cleaning gas. After heat generating energy generated by the reaction is removed, the mixture gas is supplied from the mixing part into the processing container.
摘要翻译：要解决的问题：为了减少在包含附着在处理容器中的薄膜的沉积物被去除时去除沉积所需的时间，并且减少对基板处理装置的构造构件的损害。解决方案：一种清洁方法包括：步骤提供要在基板上形成薄膜的处理的处理容器; 以及在除去包括附着在处理容器中的薄膜的沉积物的处理之后，将清洁气体供应到处理容器中的步骤。在去除沉积物的步骤中，通过在混合部分中混合和反应含氟气体和一氧化氮气体，产生通过将氟化亚硝酰基添加到含氟气体中构成的混合气体作为清洁气体。在除去由反应产生的发热能量之后，将混合气体从混合部分供给到处理容器中。

3. 发明专利

JP2011233570A Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：JP2011233570A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：JP2010099984
申请日：2010-04-23
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , 株式会社日立国際電気
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/02271
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate handling for dry cleaning when cleaning gas is added with nitrogen monoxide gas to perform dry cleaning in a processing chamber, and enhance cleaning performance with high controllability.SOLUTION: A substrate processing apparatus has a processing container 201 for processing a substrate, a first cleaning gas supply system 232h for mixing gas containing fluorine atoms and nitrogen monoxide gas in advance and supplying the mixed gas into the processing container, and a second cleaning gas supply system 232e which is provided separately from the first cleaning gas supply system and supplies gas containing fluorine atoms into the processing container. The first cleaning gas and the second cleaning gas are mixed in the processing container 201 to perform dry cleaning.
摘要翻译：要解决的问题：为了便于处理清洁时，在清洁气体中加入一氧化氮气体以在处理室中进行干洗，并且以高可控性提高清洗性能。解决方案：基板处理装置具有用于处理基板的处理容器201，用于混合含有氟原子的气体和一氧化氮气体的第一清洗气体供给系统232h，并将混合气体供给到处理容器中，第二清洗气体供给系统232e，其与第一清洗气体供给系统分开设置，将含有氟原子的气体供给到处理容器内。第一清洗气体和第二清洗气体在处理容器201中混合，进行干洗。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2013138210A Method for low-temperature heat cleaning 有权
标题翻译：低温热清洗方法
公开(公告)号：JP2013138210A
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：JP2012284252
申请日：2012-12-27
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI , SHIGEMOTO TAKAMITSU , JEAN-MARC GIRARD
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for removing undesired substances from the surface in a semiconductor manufacturing process chamber.SOLUTION: Gas mixture 102 containing fluorine source 103 and oxygen source 104 is preprocessed to include an active fluorine type. Preprocessed mixture 106 is stored in a gas storage device 107 for the moment, and then introduced into a semiconductor process chamber 100. Prior to introduction of the preprocessed gas, temperature in the chamber 100 is lowered to the normal operation temperature or below. Undesired substances are removed or eliminated by chemical reaction with the preprocessed gas mixture without generating plasma in the chamber 100 or generating high temperature conditions.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在半导体制造工艺室中从表面除去不想要的物质的方法和装置。解决方案：包含氟源103和氧源104的气体混合物102被预处理以包括活性氟类型。预处理混合物106暂时存储在气体存储装置107中，然后被引入到半导体处理室100.在引入预处理气体之前，将室100中的温度降低到正常工作温度或更低。通过与预处理气体混合物的化学反应除去或消除不期望的物质，而不在室100中产生等离子体或产生高温条件。

5. 发明专利

JP2010192873A System for producing and supplying thermal cleaning gas 审中-公开
标题翻译：生产和供应热清洁气体的系统
公开(公告)号：JP2010192873A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：JP2009269024
申请日：2009-11-26
申请人： L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus adapted to meet the requirements for cleaning deposition of undesired substance on a regular basis, with a minimum downtime, to rmaintain high production quality, when a substance intended to deposit on a substrate deposits on various surfaces in a semiconductor processing chamber to form a deposition of undesired substance. SOLUTION: A cleaning gas mixture 106 is stored in a buffer tank 107 over a time duration using a device provided with a preliminary reaction vessel 102 and the buffer tank 107 for the cleaning gas mixture and is then introduced into the a semiconductor processing chamber 100. The cleaning gas mixture removes the undesired substance from the various surfaces in the chamber, without the generation of a plasma at a temperature below 300°C. As a processing gas, a gas is employed that is produced through a preliminary reaction of NF3 and NO at a ratio NF3: NO=1:1 to 5:1, and as the undesired substance on the surfaces is PSG, BPSG, SiO2, SiN, SiON, poly Si, αSi, microcrystal Si, and/or M (M: Ta, Ti, Zr, Hf, W), M, MN, MOx, MON, MSiOxNy, etc. can be cited. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种方法和装置，其适于满足清洁非期望物质沉积的要求，在最小停机时间内，为了保持高的生产质量，当要沉积在衬底沉积在半导体处理室中的各个表面上以形成不需要的物质的沉积。解决方案：清洁气体混合物106使用装备有初步反应容器102的设备和用于清洁气体混合物的缓冲罐107在一段时间内储存在缓冲罐107中，然后被引入半导体加工清洁气体混合物从室中的各个表面除去不期望的物质，而不会在低于300℃的温度下产生等离子体。作为处理气体，使用通过NF3和NO的比例NF3：NO = 1：1〜5：1的预反应生成的气体，并且由于表面上的不需要的物质是PSG，BPSG，SiO 2，可以列举SiN，SiON，polySi，αSi，微晶Si和/或M（M：Ta，Ti，Zr，Hf，W），M，MN，MOx，MON，MSiOxNy等。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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