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1. 发明授权

US4762695A Methods for preparing high-purity molybdenum or tungsten powder and high-purity oxides powder of the same 失效
标题翻译：制备高纯度钼或钨粉及其高纯氧化物粉末的方法
公开(公告)号：US4762695A
公开(公告)日：1988-08-09
申请号：US94074
申请日：1987-09-04
申请人： Hiroshi Endo , Shigeo Iiri , Masaru Hayashi , Tsutomu Yamashita , Satoshi Yamaguchi , Motoo Seimiya
发明人： Hiroshi Endo , Shigeo Iiri , Masaru Hayashi , Tsutomu Yamashita , Satoshi Yamaguchi , Motoo Seimiya
IPC分类号： B22F9/22 , C01G39/00 , C01G41/00 , C22B34/34 , C22B34/36 , C01G39/02 , C01G41/02
CPC分类号： C22B34/36 , B22F9/22 , C01G39/003 , C01G41/003 , C22B3/42 , C22B34/34 , Y02P10/234 , Y10S423/14
摘要： High-purity molybdenum or tungsten powder can be produced by a process comprising (a) decomposing a powder or an oxide powder of molybdenum or tungsten with hydrogen peroxide water; (b) bringing the resulting aqueous solution of molybdenum or tungsten into contact with a cation exchange resin; (c) concentrating the aqueous solution; and (d) reducing a concentrated solid material. By omitting reducing step (d), one can obtain high-purity molybdenum or tungsten oxide powders. Because the Mo and W powders and MoO.sub.3 and WO.sub.3 powders prepared by this invention are of an extremely high purity, they are useful as materials for targets of VLSI elements.
摘要翻译：可以通过以下方法制备高纯度的钼或钨粉末：（a）用过氧化氢水分解钼或钨的粉末或氧化物粉末; （b）使所得到的钼或钨水溶液与阳离子交换树脂接触; （c）浓缩水溶液; 和（d）还原浓缩的固体物质。通过省略步骤（d），可以获得高纯度的钼或氧化钨粉末。由于通过本发明制备的Mo和W粉末和MoO 3和WO 3粉末具有非常高的纯度，因此它们可用作VLSI元素靶的材料。

2. 发明授权

US4377563A Method of preparing silicon carbide 失效
标题翻译：制备碳化硅的方法
公开(公告)号：US4377563A
公开(公告)日：1983-03-22
申请号：US358512
申请日：1982-03-15
申请人： Motoo Seimiya
发明人： Motoo Seimiya
IPC分类号： C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , C01P2006/80
摘要： A method of producing silicon carbide which comprises heating wet process white carbon in the presence of a carbon source.
摘要翻译：一种生产碳化硅的方法，包括在碳源的存在下加热湿法白碳。

3. 发明授权

US4414190A Method of preparing silicon nitride 失效
标题翻译：制备氮化硅的方法
公开(公告)号：US4414190A
公开(公告)日：1983-11-08
申请号：US358433
申请日：1982-03-15
申请人： Motoo Seimiya , Katsutoshi Nishida
发明人： Motoo Seimiya , Katsutoshi Nishida
IPC分类号： C01B21/068 , C01B21/06
CPC分类号： C01B21/0685 , C01B21/0682
摘要： A method of producing silicon nitride which comprises heating wet process white carbon in the presence of a carbon source and a source of nitrogen.
摘要翻译：一种生产氮化硅的方法，包括在碳源和氮源的存在下加热湿法白碳。

4. 发明授权

US4101309A Method for preparing tungsten materials 失效
标题翻译：钨材料的制备方法
公开(公告)号：US4101309A
公开(公告)日：1978-07-18
申请号：US732073
申请日：1976-10-13
申请人： Isamu Koseki , Motoo Seimiya
发明人： Isamu Koseki , Motoo Seimiya
IPC分类号： C22B34/36 , C22C1/04 , B22F1/00
CPC分类号： C22C1/045 , C22B34/36
摘要： A method for preparing tungsten materials in which tungsten powder obtained by reducing tungsten oxides having doping agents added thereto is washed first with hydrochloric acid having a concentration of not lower than 4% by weight and then with hydrofluoric acid having a concentration of not lower than 3% by weight, and thereafter dried. The above-mentioned washing steps may be carried out at a time by using a mixture of such hydrochloric acid and hydrofluoric acid as specified above. Articles formed by treating tungsten materials obtained by the above-mentioned process are subjected to only a low high temperature deformation.
摘要翻译：一种制备钨材料的方法，其中通过还原添加有掺杂剂的钨氧化物获得的钨粉末首先用浓度不低于4重量％的盐酸洗涤，然后用浓度不低于3的氢氟酸重量％，然后干燥。上述洗涤步骤可以通过使用如上所述的这种盐酸和氢氟酸的混合物一次进行。通过处理通过上述方法获得的钨材料形成的制品仅经受低的高温变形。

5. 发明授权

US4327066A Method of preparing silicon carbide 失效
标题翻译：制备碳化硅的方法
公开(公告)号：US4327066A
公开(公告)日：1982-04-27
申请号：US162819
申请日：1980-06-25
申请人： Motoo Seimiya
发明人： Motoo Seimiya
IPC分类号： C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , C01P2006/80
摘要： A method of producing silicon carbide which comprises heating silica in a gas atmosphere comprising hydrocarbon gas and hydrogen gas.
摘要翻译：一种生产碳化硅的方法，其包括在包含烃气体和氢气的气体气氛中加热二氧化硅。

6. 发明授权

US4280989A Method of preparing silicon nitride 失效
标题翻译：制备氮化硅的方法
公开(公告)号：US4280989A
公开(公告)日：1981-07-28
申请号：US158875
申请日：1980-06-12
申请人： Motoo Seimiya , Katsutoshi Nishida
发明人： Motoo Seimiya , Katsutoshi Nishida
IPC分类号： C01B21/068 , C01B21/06
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B21/068 , C01B21/0685 , C01P2004/62 , C01P2004/64
摘要： A method of producing silicon nitride which comprises heating silica in a gas atmosphere comprising hydrocarbon gas, ammonia gas and hydrogen gas.
摘要翻译：一种氮化硅的制造方法，其特征在于，在包含烃气体，氨气和氢气的气体气氛中加热二氧化硅。

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