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    • 1. 发明申请
      US20070025131A1 Semiconductor memory module and system 失效
    • Semiconductor memory module and system
    • 半导体存储器模块和系统
    • US20070025131A1
    • 2007-02-01
    • US11192335
    • 2005-07-29
    • Hermann Ruckerbauer , Simon Muff , Christian Weiss , Peter Gregorius
    • Hermann Ruckerbauer , Simon Muff , Christian Weiss , Peter Gregorius
    • G11C5/06
    • G11C5/04 , G11C5/06 , H05K1/142
    • The present invention includes a semiconductor memory modules and semiconductor memory systems using the same. The modules divide a conventional DIMM into a series of separate, smaller memory modules. Each memory module includes at least one semiconductor memory chip arranged on a substrate; CAwD signal input lines arranged on the substrate in a first predetermined line number and connecting one of the semiconductor memory chips to CAwD input signal pins on the substrate; and rD signal output lines arranged on the substrate in a second predetermined line number and connecting the one or a last semiconductor memory to a second number of rD output signal pins of the substrate. In a semiconductor memory system including the semiconductor memory modules, each memory module is separately connected to a memory controller by the CAwD signal input linesand the rD signal output lines in a respective point-to-point fashion.
    • 本发明包括半导体存储器模块和使用其的半导体存储器系统。 这些模块将常规DIMM分成一系列独立的较小内存模块。 每个存储器模块包括布置在衬底上的至少一个半导体存储器芯片; CAwD信号输入线，以第一预定行号排列在基板上，并将半导体存储器芯片之一连接到基板上的CAwD输入信号引脚; 和rD信号输出线，以第二预定行号排列在基板上，并将一个或最后一个半导体存储器连接到基板的第二数量的rD输出信号引脚。 在包括半导体存储器模块的半导体存储器系统中，每个存储器模块通过CAwD信号输入线和rD信号输出线分别以点对点的方式连接到存储器控制器。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 2. 发明授权
      US07414917B2 Re-driving CAwD and rD signal lines 失效
    • Re-driving CAwD and rD signal lines
    • 重新启动CAwD和rD信号线
    • US07414917B2
    • 2008-08-19
    • US11192335
    • 2005-07-29
    • Hermann Ruckerbauer , Simon Muff , Christian Weiss , Peter Gregorius
    • Hermann Ruckerbauer , Simon Muff , Christian Weiss , Peter Gregorius
    • G11C8/00
    • G11C5/04 , G11C5/06 , H05K1/142
    • Semiconductor memory modules and semiconductor memory systems using the same are described herein. The modules divide a conventional DIMM into a series of separate, smaller memory modules. Each memory module includes at least one semiconductor memory chip arranged on a substrate; CAwD signal input lines arranged on the substrate in a first predetermined line number and connecting one of the semiconductor memory chips to CAwD input signal pins on the substrate; and rD signal output lines arranged on the substrate in a second predetermined line number and connecting the one or a last semiconductor memory to a second number of rD output signal pins of the substrate. In a semiconductor memory system including the semiconductor memory modules, each memory module is separately connected to a memory controller by the CAwD signal input lines and the rD signal output lines in a respective point-to-point fashion.
    • 本文描述了使用其的半导体存储器模块和半导体存储器系统。 这些模块将常规DIMM分成一系列独立的较小内存模块。 每个存储器模块包括布置在衬底上的至少一个半导体存储器芯片; CAwD信号输入线，以第一预定行号排列在基板上，并将半导体存储器芯片之一连接到基板上的CAwD输入信号引脚; 和rD信号输出线，以第二预定行号排列在基板上，并将一个或最后一个半导体存储器连接到基板的第二数量的rD输出信号引脚。 在包括半导体存储器模块的半导体存储器系统中，每个存储器模块通过CAwD信号输入线和rD信号输出线分别以点对点的方式连接到存储器控制器。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 8. 发明授权
      US07173877B2 Memory system with two clock lines and a memory device 有权
    • Memory system with two clock lines and a memory device
    • 具有两个时钟线和存储器件的存储器系统
    • US07173877B2
    • 2007-02-06
    • US10955177
    • 2004-09-30
    • Hermann Ruckerbauer , Christian Sichert , Dominique Savignac , Peter Gregorius , Paul Wallner
    • Hermann Ruckerbauer , Christian Sichert , Dominique Savignac , Peter Gregorius , Paul Wallner
    • G11C8/00
    • G11C5/04 , G11C5/063 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/4076
    • The present invention relates to a memory system having a memory device with two clock lines. One embodiment of the present invention provides a memory system comprising at least one memory device, a memory controller to control operation of the memory device, a first clock line which extends from a write clock output of the memory controller to a clock port of the memory device to provide a clock signal to the memory device, and a second clock line which extends from the clock port of the memory device to a read clock input of the memory controller to forward the clock signal applied to the clock port of the memory device back to a read clock input of the memory controller. The memory device may further comprise a synchronization circuit adapted to receive the clock signal from the memory controller and to, provide an output data synchronized to the forwarded clock signal.
    • 本发明涉及一种具有两条时钟线的存储器件的存储器系统。 本发明的一个实施例提供了一种存储器系统，其包括至少一个存储器件，用于控制存储器件的操作的存储器控​​制器，从存储器控制器的写时钟输出延伸到存储器的时钟端口的第一时钟线 向存储器件提供时钟信号的第二时钟线，以及从存储器件的时钟端口延伸到存储器控制器的读时钟输入端的第二时钟线，以将施加到存储器件的时钟端口的时钟信号转发回 到存储器控制器的读时钟输入。 存储器件还可以包括同步电路，其适于从存储器控制器接收时钟信号，并提供与转发的时钟信号同步的输出数据。
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