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    • 9. 发明授权
    • Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
    • 平面化半导体晶片的上表面的方法
    • US06194317B1
    • 2001-02-27
    • US09091932
    • 1998-06-24
    • David A. KaisakiHeather K. KranzThomas E. WoodL. Charles Hardy
    • David A. KaisakiHeather K. KranzThomas E. WoodL. Charles Hardy
    • H01L21302
    • B24B21/04B24B7/228H01L21/3212
    • This invention pertains to a method of modifying or refining a surface of a wafer suited for semiconductor fabrication. This method may be used to modify a wafer having an unmodified, exposed surface comprised of a layer of a second material deployed over at least one discrete feature of a first material attached to the wafer. A first step of this method comprises contacting and relatively moving the exposed surface of the wafer with respect to an abrasive article, wherein the abrasive article comprises an exposed surface of a plurality of three-dimensional abrasive composites comprising a plurality of abrasive particles fixed and dispersed in a binder and maintaining contact to effect removal of the second material. In a second step, the contact and relative motion are continued until an exposed surface of the wafer has at least one area of exposed first material and at least one area of exposed second material.
    • 本发明涉及一种修改或精制适合半导体制造的晶片表面的方法。 该方法可以用于修改具有未修饰的暴露表面的晶片,该表面包括由连接到晶片的第一材料的至少一个离散特征部分的第二材料层。 该方法的第一步包括相对于磨料制品接触和相对移动晶片的暴露表面,其中磨料制品包括多个固定和分散的多个磨料颗粒的多个三维磨料复合材料的暴露表面 在粘合剂中并保持接触以实现第二材料的去除。 在第二步骤中,接触和相对运动继续进行,直到晶片的暴露表面具有暴露的第一材料的至少一个区域和暴露的第二材料的至少一个区域。