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    • 10. 发明授权
    • Method of making a MIM capacitor with self-passivating plates
    • 制造具有自钝化板的MIM电容器的方法
    • US06451664B1
    • 2002-09-17
    • US09774251
    • 2001-01-30
    • Hans-Joachim BarthGerald FriesePetra Felsner
    • Hans-Joachim BarthGerald FriesePetra Felsner
    • H01L2120
    • H01L28/40H01L28/60
    • A method of making a metal-insulator-metal (MIM) capacitor (158) having self-passivating plates (143, 155). A liner (116) is deposited on a workpiece (112) and dielectric (114). A conductive layer (142) is deposited and annealed to form dopant-rich region (144). Insulating region (145) is formed on exposed portions of dopant-rich region (144) by exposure to atmosphere or oxygen. Capacitor dielectric layer (146) is disposed over the first capacitive plate (143). A second capacitive plate (155) is formed over the first capacitive plate (143) and capacitor dielectric layer (146). The second capacitive plate (155) is annealed to form dopant-rich region (154) and exposed to atmosphere or oxygen to form insulating region (156). Optional seed layer (140) may be deposited prior to the formation of the first capacitive plate (143).
    • 一种制造具有自钝化板(143,155)的金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)电容器(158)的方法。 衬垫(116)沉积在工件(112)和电介质(114)上。 沉积并退火导电层(142)以形成富掺杂区域(144)。 绝缘区域(145)通过暴露于大气或氧气而形成在富掺杂区域(144)的暴露部分上。 电容电介质层(146)设置在第一电容板(143)的上方。 在第一电容板(143)和电容器电介质层(146)之上形成第二电容板(155)。 退火第二电容板155以形成富掺杂区域154并暴露于大气或氧气以形成绝缘区域156。 可以在形成第一电容板(143)之前沉积可选种子层(140)。