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    • 3. 发明专利
    • GASFELDIONISIERUNGSQUELLE
    • DE102020109610B4
    • 2022-08-04
    • DE102020109610
    • 2020-04-07
    • HITACHI LTD
    • MATSUBARA SHINICHI
    • H01J37/08H01J7/20H01J37/28
    • Gasfeldionisierungsquelle zum Erzeugen eines elektrischen Feldes zum Ionisieren von Gas, die aufweist:eine Emitterspitze (11) mit einem Spitzenende;eine Extraktionselektrode (13), die der Emitterspitze (11) zugewandt ist und an einer davon beabstandeten Position eine Apertur aufweist;einen Gaslieferanten (31, 45) zum Zuführen des Gases in die Nähe der Emitterspitze (11);eine Vakuumtrennwand (12) aus einem Metall mit einem Loch (125), wobei das Loch so konstruiert ist, dass das Spitzenende der Emitterspitze (11) hindurchtreten kann; undeinen Spannungsanleger (111, 112) zum Anlegen von Spannung zwischen der Emitterspitze (11) und der Extraktionselektrode (13),wobei die Vakuumtrennwand (12) um das Loch (125) herum eine konvexe Struktur (121), die zur Seite der Extraktionselektrode (13) hin vorsteht, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dasseine äußere Form der konvexen Struktur (121) eine zylindrische Form ist; undein Verhältnis des Außendurchmessers (123) der konvexen Struktur (121) zu ihrer axialen Länge (122) gleich oder kleiner als 1,22 ist.