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1. 发明专利

JP2009088529A Sheathed wire and film resistor 有权
标题翻译：电线和薄膜电阻器
公开(公告)号：JP2009088529A
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：JP2008250289
申请日：2008-09-29
申请人： Heraeus Sensor Technology Gmbh , ヘレーウスゼンゾールテクノロジーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングHeraeus Sensor Technology GmbH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： H01C1/144 , H01C1/034 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/00 , G01K7/183 , H01B1/02 , H01B3/004 , Y10T29/49098
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for simplifying brazing of connection lines, while permitting a platinum outer sheath to maintain the intended protective characteristics, and to provide a method further simplified for mass production. SOLUTION: In the film resistor, platinum-measuring resistance is provided on an electrically insulated substrate, and there is provided a connection line which is connected to the measuring resistance, and further, the connection line has a nickel core 2 on which the connection line is sheathed, and the outer sheath 3 is made of a mixture of silver, or silver and glass or ceramics. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种简化连接线的钎焊的方法，同时允许铂外护套保持预期的保护特性，并提供进一步简化为批量生产的方法。＆lt; P＆gt;解决方案：在薄膜电阻器中，在电绝缘基板上设置铂测量电阻，并且提供连接到测量电阻的连接线，此外，连接线具有镍芯2，镍芯2 连接线被包覆，外护套3由银或银和玻璃或陶瓷的混合物制成。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

2. 发明申请

WO2010089024A2 NON-CONDUCTING ZIRCONIUM DIOXIDE 审中-公开
标题翻译：不导电的氧化锆
公开(公告)号：WO2010089024A2
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/EP2010000307
申请日：2010-01-20
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH , WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： G01K7/18
CPC分类号： H01C7/02 , G01K7/183 , G01K2205/04 , H01C7/008 , H01C7/06 , Y10T29/49085
摘要： The invention relates to a resistance thermometer having a measuring resistor in the form of a structured platinum layer 0.1 to 10 µm thick applied to an electrically insulated surface of a substrate and having an electrically insulating coating layer, wherein the substrate or the surface thereof comprises zirconium dioxide stabilized by oxides of a trivalent and a pentavalent metal. The trivalent metal is in particular yttrium, and the pentavalent metal is in particular tantalum or niobium. The characteristic curve of the measurement resistor preferably conforms to DIN-IEC 751. For mass production of resistance thermometers having high and reproducible measurement accuracy, a structure platinum layer 0.1 to 10 µm thick is applied to an electrically insulating substrate having a thermal expansion coefficient in the range of 8.5 through 10.5 x 10-6/K and a roughness less than 1 µm, and the structured platinum layer is electrically insulatively covered. Resistance thermometers according to the invention allow precise temperature measurement between -200°C and +850°C, in particular as a sensor in an exhaust gas treatment system. In a material-sensitive sensor having a circuit path structure on a substrate, the circuit path structure comprises an epitactically applied base layer, and a material-sensitive metal layer attached to the epitactically applied base layer.
摘要翻译：与在沉积于衬底的电绝缘表面上并且设置有一个电绝缘的覆盖层，含有底物或氧化锆的表面上，这是一个与氧化物的0.1到10微米厚的图案化铂层的形式的测量电阻器的电阻温度计 3和五价金属是稳定的。特别地，三价金属钇和五价金属为钽或铌。优选地，测量电阻器的特性与DIN-IEC符合751是用于大规模生产电阻温度计的使用具有在8.5至10.5×10 -6 / K的范围内的热膨胀系数和下一个粗糙度的电绝缘基片上的高和可再现的精度 1微米施加结构化0.1至10微米厚的铂层和图案化铂层的电绝缘盖。根据本发明的电阻温度计使-200℃与850℃之间的精确的温度测量，尤其是作为一种排气处理设备的传感器。在具有导体轨道结构在衬底上的材料敏感的传感器在导体轨道结构具有外延沉积层和安装在外延生长基极层材料敏感金属层上的基极。

3. 发明申请

WO2014063877A3 HIGH-TEMPERATURE CHIP WITH HIGH STABILITY 审中-公开
标题翻译：高稳定性的高温芯片
公开(公告)号：WO2014063877A3
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/EP2013069696
申请日：2013-09-23
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI , SANDER MARGIT
IPC分类号： G01K1/08 , G01K7/18
CPC分类号： G01K7/18 , F02D41/1446 , G01K1/08 , G01K13/02 , G01K2013/024 , G01K2205/04
摘要： The invention relates to a temperature sensor, particularly a high-temperature sensor, having a coated substrate (16), at least one resistor structure (11) and at least two connection contacts (12, 13). The connection contacts (12, 13) electrically contact the resistor structure (11) and the substrate (16) is made of zirconium oxide or a zirconium oxide ceramic, wherein the zirconium oxide or the zirconium oxide in the zirconium oxide ceramic is stabilized with oxides of a trivalent and a pentavalent metal. The substrate (16) is coated with an insulation layer (17) and the resistor structure (11) and the free regions of the insulation layer (17), on which no resistor structure (11) is arranged are coated, at least in certain regions, with a ceramic intermediate layer, (18) and a protective layer (19) and/or a cover (20) is arranged on the ceramic intermediate layer (18). The invention also relates to a temperature sensor, particularly a high-temperature sensor, having a substrate (16), at least one resistor structure (11) and at least two connection contacts (12,13). The connection contacts (12, 13) electrically contact the resistor structure (11) and at least one electrode (14 15) is arranged, at least at one connection contact (12, 13), alongside the resistor structure (11) on the substrate (16). The electrode (14, 15) or the electrodes (14, 15) is or are formed integrally with the resistor structure (11). The resistor structure (11) and the free regions of the substrate (16), on which the resistor structure (11) is not arranged, are coated at least in certain regions with a ceramic intermediate layer (18), and a protective layer (19) and/or a cover (20) is arranged on the ceramic intermediate layer (18). Finally, the invention also relates to the use of such temperature sensors in an exhaust system for controlling and/or regulating an engine, particularly a motor vehicle engine.
摘要翻译：本发明涉及一种温度传感器，特别是高的温度传感器，其包括涂覆的基底（16），至少一个电阻器结构（11）和至少两个连接接点（12，13），所述连接接点（12，13）与所述电阻结构（11）接触电的基板（16）由氧化锆或氧化锆，其中，在与三价和五价金属的氧化物中的氧化锆的氧化锆或氧化锆稳定化，其特征在于，所述基板（16）的绝缘层（17）涂覆，该电阻结构的（11 ），并在其上没有电阻器结构（11）布置，至少部分地涂覆有陶瓷的中间层（18）和（陶瓷中间层18上的绝缘层（17）的自由区域），保护层（19）和/或盖（20）。本发明还涉及一种温度传感器，特别是高的温度传感器，其包括一个基板（16），至少一个电阻器结构（11）和至少两个连接接点（12，13），其中，所述连接接点（12，13）的电阻器图案（11）电接触，并至少在端子接触（12，13）的至少一个电极（14,15）相邻的衬底上的电阻结构（11）（16）布置，其中，所述电极（14,15）或电极（14，15）与所述电阻结构成一体（11）形成，或者，其中所述电阻结构（11）和其上的电阻结构（11）不被设置在所述基板（16）的自由区域，则至少与陶瓷中间层（18）区域被涂覆在所述陶瓷中间层（18）布置有保护层（19）和/或盖子（20）。最后，本发明还涉及在排气系统中使用这样的温度传感器，用于发动机的控制和/或调节，特别是机动车辆的发动机。

4. 发明专利

ES2625267T3 Alambre encamisado y resistencia estratificada 未知
公开(公告)号：ES2625267T3
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：ES08016617
申请日：2008-09-22
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： H01B3/00 , G01K7/18 , H01B1/02 , H01C7/00
摘要： Resistencia estratificada (8) que contiene una resistencia de medida de platino sobre un sustrato eléctricamente aislante y unos alambres de conexión (1) que están unidos con la resistencia de medida y que presentan un núcleo de níquel encamisado (2), consistiendo la camisa (3) en plata o una mezcla de plata con vidrio o cerámica.

5. 发明专利

DE102013210903A1 Gassensor zur Messung unterschiedlicher Gase und dazugehöriges Herstellungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE102013210903A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：DE102013210903
申请日：2013-06-11
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI , ULLRICH KARL-HEINZ
IPC分类号： G01N27/406 , G01N27/407 , G01N27/409
摘要： Die Erfindung betrifft einen Gassensor (1) zur Messung der Konzentrationen von Gasen, insbesondere von Sauerstoff und zumindest von einem weiteren Gas, vorzugsweise zumindest von einer oxidierbaren Abgaskomponente in Form eines weiteren Gases, wobei der Gassensor (1) einen Festkörperelektrolyten (3), zumindest drei Elektroden (5a, 5b, 6) und eine geschlossene Kammer (7) aufweist. Gemäß der Erfindung weisen das dotierte Platin zumindest 50 Gewichtsprozent Platin und Rest zumindest eines weiteren Elementes aus der Gruppe der Festkörperelektrolyte auf, insbesondere das dotierte Platin zwischen 0,5 Gewichtsprozent bis 15 Gewichtsprozent ZrO2 und Rest Platin auf, oder das Reinplatin 100 Gewichtsprozent Platin auf und die Goldlegierung zumindest 50 Gewichtsprozent Gold und maximal 50 Gewichtsprozent Platin auf, insbesondere die Goldlegierung etwa 85 Gewichtsprozent Gold und etwa 15 Gewichtsprozent Platin oder die Goldlegierung zumindest Gold und Platin im Verhältnis von 85% Gold zu 15% Platin, vorzugsweise die Goldlegierung Gold und Platin im Verhältnis von 85% Gold zu 15% Platin und zusätzlich zumindest 0,5 Gewichtsprozent bis 15 Gewichtsprozent eines Festkörperelektrolyten, insbesondere ZrO2, auf. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Herstellung von Gassensoren, ein Verfahren zur Herstellung von Gassensoren, ein Verfahren zur Messung der Konzentrationen von Gasen, eine Gassensorvorrichtung und die Verwendung eines Gassensors.

6. 发明专利

DE102013110291A1 Verfahren zur Herstellung eines Rußsensors mit einem Laserstrahl 未知
公开(公告)号：DE102013110291A1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：DE102013110291
申请日：2013-09-18
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI , TEUSCH DIETER
IPC分类号： G01N15/06 , F01N9/00 , F02D41/00 , G01K7/18 , G01N27/04
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Rußsensors, umfassend die Verfahrensschritte Aufbringen einer zusammenhängenden metallischen Schicht (68) auf einem elektrisch isolierenden Substrat (1, 20, 60); Strukturieren der metallischen Beschichtung (68) mit einem Laserstrahl durch Verdampfen von Bereichen der metallischen Schicht (68), wobei zumindest zwei ineinander verschachtelte zusammenhängende elektrisch leitfähige Strukturen (2, 3, 42, 52, 53) erzeugt werden und die elektrisch leitfähigen Strukturen (2, 3, 42, 52, 53) mit dem Laserstrahl derart räumlich voneinander getrennt und elektrisch voneinander isoliert werden, dass die leitfähigen Strukturen (2, 3, 42, 52, 53) bezogen auf ihre Gesamtlänge im Wesentlichen nebeneinander und in diesem Bereich dicht nebeneinander verlaufen. Die Erfindung betrifft auch einen Rußsensor hergestellt mit einem Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Rußsensor ein elektrisch isolierendes Substrat (1, 20, 60) und wenigstens zwei voneinander räumlich getrennte und ineinander verschachtelte zusammenhängende elektrisch leitfähige Strukturen (2, 3, 42, 52, 53) als strukturierte metallische Schichten aufweist, wobei der Zwischenraum zwischen den leitfähigen Strukturen (2, 3, 42, 52, 53) mit einem Laser freigebrannt ist, bevorzugt der Zwischenraum zumindest bereichsweise kleiner als 50 µm ist und die Heizwendeln mit verbreiterten Leitungsschichten (14) kontaktiert sind.

7. 发明专利

DE102016115183A1 Poröses Material, Pulver zur Herstellung eines porösen Materials, Verfahren zur Herstellung eines porösen Materials und Bauteil 未知
公开(公告)号：DE102016115183A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：DE102016115183
申请日：2016-08-16
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： DIETMANN STEFAN , WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： C04B35/01 , C04B38/00 , C04B35/03 , C04B35/08 , C04B35/10 , G01K7/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein poröses Material, insbesondere eine Vergussmasse für einen Sensor, wobei das poröse Material, insbesondere die Vergussmasse, erfindungsgemäß einen spezifischen elektrischen Widerstand von mindestens 105 Ω·cm, insbesondere von mindestens 106 Ω·cm, bei einer Temperatur von 1.000 °C aufweist.

8. 发明专利

DE102012110210B4 Hochtemperaturchip mit hoher Stabilität 未知
公开(公告)号：DE102012110210B4
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE102012110210
申请日：2012-10-25
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI , SANDER MARGIT
IPC分类号： G01K7/18 , F01N9/00 , G01K1/12
摘要： Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor, insbesondere Hochtemperatursensor, aufweisend ein beschichtetes Substrat, zumindest eine Widerstandsstruktur und zumindest zwei Anschlusskontakte, wobei die Anschlusskontakte die Widerstandsstruktur elektrisch kontaktieren, das Substrat aus Zirkoniumoxid oder einer Zirkoniumoxidkeramik besteht, wobei das Zirkoniumoxid oder das Zirkoniumoxid in der Zirkoniumoxidkeramik mit Oxiden eines dreiwertigen und eines fünfwertigen Metalls stabilisiert ist, wobei das Substrat mit einer Isolationsschicht beschichtet ist, die Widerstandsstruktur und die freien Bereiche der Isolationsschicht, auf denen keine Widerstandsstruktur angeordnet ist, zumindest bereichsweise mit einer keramischen Zwischenschicht beschichtet sind und auf der keramischen Zwischenschicht eine Schutzschicht und/oder ein Deckel angeordnet ist. Die Erfindung betrifft auch einen Temperatursensor, insbesondere Hochtemperatursensor aufweisend ein Substrat, zumindest eine Widerstandsstruktur und zumindest zwei Anschlusskontakte, wobei die Anschlusskontakte die Widerstandsstruktur elektrisch kontaktieren und zumindest an einem Anschlusskontakt zumindest eine Elektrode neben der Widerstandsstruktur auf dem Substrat angeordnet ist, wobei die Elektrode oder die Elektroden einteilig mit der Widerstandsstruktur ausgebildet ist oder sind, wobei die Widerstandsstruktur und die freien Bereiche des Substrats, auf denen die Widerstandsstruktur nicht angeordnet ist, zumindest bereichsweise mit einer keramischen Zwischenschicht beschichtet sind und auf der keramischen Zwischenschicht eine Schutzschicht und/oder ein Deckel angeordnet ist. Schließlich betrifft die Erfindung auch die Verwendung solcher Temperatursensoren in einem Abgassystem zur Steuerung und/oder Regelung eines Motors, insbesondere eines Kraftfahrzeugmotors.

9. 发明专利

DE102009007940A1 Nichtleitfähiges Zirkonoxid 未知
公开(公告)号：DE102009007940A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：DE102009007940
申请日：2009-02-06
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI , WIENAND KARLHEINZ
IPC分类号： G01K7/18 , G01N27/406
摘要： Bei einem Widerstandsthermometer mit einem Messwiderstand in Form einer 0,1 bis 10 µm dicken strukturierten Platinschicht, die auf einer elektrisch isolierenden Oberfläche eines Substrats aufgebracht ist und mit einer elektrisch isolierenden Abdeckschicht versehen ist, enthält das Substrat oder dessen Oberfläche Zirkoniumoxid, welches mit Oxiden eines drei- und eines fünfwertigen Metalls stabilisiert ist. Insbesondere ist das dreiwertige Metall Yttrium und das fünfwertige Metall Tantal oder Niob. Vorzugsweise erfüllt die Kennlinie des Messwiderstands die DIN-IEC 751. Zur Massenproduktion von Widerstandsthermometern mit hoher und reproduzierbarer Messgenauigkeit wird auf einem elektrisch isolierenden Substrat mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten im Bereich von 8,5 bis 10,5 ppm/K und einer Rauigkeit unter 1 µm eine strukturierte 0,1 bis 10 µm dicke Platinschicht aufgebracht und die strukturierte Platinschicht elektrisch isolierend abgedeckt. Erfindungsgemäße Widerstandsthermometer ermöglichen genaue Temperaturmessungen zwischen -200°C und +850°C, insbesondere als Sensor einer Abgasbehandlungsanlage. Bei einem stoffsensitiven Sensor mit einer Leiterbahnstruktur auf einem Substrat weist die Leiterbahnstruktur eine epitaktisch aufgetragene Grundschicht auf und eine auf der epitaktisch aufgetragenen Grundschicht befestigte stoffsensitive Metallschicht.

10. 发明专利

DE102016119340A1 Verfahren zur Herstellung eines Sensors, Sensor und Verwendung eines Sensors 未知
公开(公告)号：DE102016119340A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：DE102016119340
申请日：2016-10-11
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , DIETMANN STEFAN , ZINKEVICH MATSVEI , SCHUBERT MICHAEL , MOOS RALF , TURWITT MARTIN
IPC分类号： C23C24/04 , G01K7/18 , G01K7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors, insbesondere eines Temperatursensors, umfassend mindestens eine elektrisch leitfähige Schicht und mindestens eine weitere Schicht, insbesondere eine Passivierungsschicht und/oder eine Isolationsschicht. Erfindungsgemäß wird die elektrisch leitfähige Schicht und/oder die weitere Schicht, insbesondere die Passivierungsschicht und/oder die Isolationsschicht, mittels Aerosol-Abscheidung (Aerosol Deposition Method, ADM) hergestellt.

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