专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013075712A1 FESTKÖRPEROBERFLÄCHEN AUS ZWEI- UND MEHRSTOFFSYSTEMEN MIT KOMPOSIT-NANOSTRUKTUREN AUS METALLEN, HALBLEITERN ODER ISOLATOREN 审中-公开
标题翻译：固体表面二进制和多组分体系与金属，半导体和绝缘体复合纳米结构
公开(公告)号：WO2013075712A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/DE2012/200077
申请日：2012-11-22
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： BÜRGER, Danilo , SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , B82Y40/00 , H01L21/3221 , H01L31/035218 , H01L45/06 , H01L45/148 , H01L45/1608
摘要： Die Erfindung betrifft funktionalisierte Festkörperoberflächen mit Kompositen aus Zwei- und Mehrstoffsystemen aus Metallen, Halbleitern und Isolatorenoder Fremdatomen, welche eine definierte chemische Komposition auf der Nanometer und Mikrometer-Längenskala aufweisen für neuartige Komposit-Nano- und Mikrostrukturen.
摘要翻译：本发明涉及具有金属，半导体和绝缘体，或杂质二元和多组分体系，其具有在纳米和微米尺度为新型复合纳米和微结构的定义的化学组成的复合材料，以官能化固体表面。

2. 发明申请

WO2013017131A2 INTEGRIERTE NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERELEMENTE, AUFBAU UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：集成非易失性存储器元件，安装和使用
公开(公告)号：WO2013017131A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/DE2012/200047
申请日：2012-07-12
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01L27/228 , G06N3/0635 , H01G7/06 , H01L27/2472 , H01L29/43 , H01L31/022408 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/09 , H01L45/065 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/147 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau eines integrierten Speicherbauelementes, umfassend mindestens einen gleichrichtenden Bottom-Kontakt und einen Top-Kontakt und eine ferrroelektrische oder piezoelektrische Schicht als leitfähigen Kanal zwischen den Kontakten. Weiterhin wird der Aufbau des Speicherbauelementes mit einem zusätzlichen Drain-Anschluss und einem zusätzlichen Source-Anschluss zur nichtflüchtigen Steuerung der Leitfähigkeit zwischen dem Source- und Drain-Anschluss über den gleichrichtenden Bottom-Kontakt oder Top-Kontakt beschrieben. Das Prinzip und der Aufbau wird anschließend auf nichtflüchtige Analogspeicher erweitert, wobei die Leitfähigkeit der piezo- oder ferroelektrischen Schicht zwischen den Kontakten und/oder unter dem Oberflächenkontakt und/oder unter dem zugehörigen Gegenkontakt modifiziert ist, so dass eine an gegenüberliegenden Kontakten von außen angelegte Spannung nicht gleichmäßig in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht abfällt und das elektrische Feld lokal groß/klein ist und ein großes elektrisches Feld eine Phasenumwandlung der piezo- oder ferroelektrischen Schicht induzieren kann. Weiterhin wird die Integration und Verwendung des nichtflüchtigen Analogspeichers in einer Arraystruktur für neuromorphe Anwendungen und als Kalibrierelement mit darunterliegender CMOS-Analogschaltung beschrieben. Das Prinzip des Aufbaus des erfindungsgemäßen Speicherbauelements ist weiterhin als integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht erweiterbar. Dazu wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben
摘要翻译：本发明描述了制造和集成的存储器装置的结构，其包括至少一个整流底接触和顶部接触和ferrroelektrische或压电层作为触点之间的导电沟道。另外，存储器设备具有一附加漏极的结构和用于源极之间的导电性的非易失性控制的附加源极端子和漏极经由整流底接触，或顶接触端子进行说明。然后，原理和结构被扩展到非易失性的模拟存储器，其特征在于，所述触点之间的压电或铁电体层的导电性和/或和/或根据通过表面接触改性相关的相对接触是，使得施加到外部电压的相对触头的电压不是均匀的滴在压电或铁电体层和所述电场局部大/小和大的电场可诱导压电或铁电体层的相变。此外，在用于神经形态的应用程序和与底层CMOS模拟电路的校准元件的阵列结构的集成和使用非易失性模拟存储的进行说明。根据本发明的存储器装置的结构的原理是进一步扩大综合电极定位非易失性，静态边界的带电层。为了这个目的，使用该电极的可集成在照片组件，粒子探测器，在电容能量存储和逻辑器件被描述

3. 发明申请

WO2021144399A2 VORRICHTUNG ZUR GEZIELTEN ANORDNUNG VON IN EINEM ANALYTEN GELÖSTEN, ELEKTRISCH POLARISIERBAREN MATERIALIEN, VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINES ISOELEKTRISCHEN PUNKTES EINES ELEKTRISCH ISOLIERENDEN MATERIALS, VERFAHREN ZUM GEZIELTEN ANORDNEN EINES IN EINEM ANALYTEN GELÖSTEN ELEKTRISCH POLARISIERBAREN MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021144399A2
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/EP2021/050765
申请日：2021-01-15
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： REBOHLE, Lars , FISCHER, Cornelius , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Heidemarie , KRÜGER, Stephan , BLASCHKE, Daniel
IPC分类号： G01N27/327 , B01L3/00 , B05D1/00 , B82Y35/00 , B01L2300/0645 , B82Y30/00
摘要： Es wird eine Vorrichtung (10) zur gezielten Anordnung eines in einem Analyten gelösten, elektrisch polarisierbaren Materials (4), aufweisend eine siliziumhaltige Trägerstruktur (3), eine elektrisch isolierende erste Deckstruktur (1) mit einem ersten isoelektrischen Punkt und eine elektrisch isolierende zweite Deckstruktur (2) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt vorgeschlagen, wobei der erste isoelektrische Punkt vom zweiten isoelektrischen Punkt verschieden ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Bestimmung eines ersten isoelektrischen Punktes eines Materials sowie ein Verfahren zum gezielten Anordnen eines in einem Analyten gelösten, elektrisch polarisierbaren Materials (4) vorgeschlagen.

4. 发明申请

WO2020074718A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KERAMISCHEN MATERIALS MIT LOKAL EINSTELLBAREM PERMEABILITÄTSGRADIENTEN, DESSEN ANWENDUNG IN EINEM BESCHICHTUNGSVERFAHREN SOWIE DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020074718A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：PCT/EP2019/077626
申请日：2019-10-11
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , DU, Nan , BÜRGER, Danilo , KRÜGER, Stephan , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： C04B35/01 , C04B41/00 , C04B41/50 , H01B3/12 , G11C11/22 , H01L27/11502
摘要： Die Erfindungbetrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Materials mit lokal einstellbarem Permeabilitätsgradienten, dessen Anwendung in einem Beschichtungsverfahren-Materialbearbeitungsverfahren sowie dessen Verwendung. Die Aufgabe ein Material zur Verfügung zu stellen, welches zum Leiten und Isolieren von Magnetfeldern geeignet ist sowie in magnetischen Kopplungselementen verwendet werden kann,wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Materials mit lokal einstellbarem Permeabilitätsgradienten gelöst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: - Erzeugen eines keramischen Materials mittels Erhitzen einer Ausgangsmaterialkomposition bis zu einer Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur der Ausgangsmaterialkomposition, - Abkühlen deserzeugten keramischen Materials auf Raumtemperatur nach einer definierten Abkühlrate zur Einstellung einer Vortex-Dichte in dem erzeugten keramischen Material, und - nachfolgende zweiten lokale Temperaturbehandlung zum Erhitzen des keramischen Materials über dessen ferroelektrische Ordnungstemperatur und zum Einstellen des lokalen Permeabilitätsgradienten.

5. 发明申请

WO2019223999A1 VERFAHREN ZUR REKONFIGURATION EINER VORTEX-DICHTE IN EINEM SELTENEN-ERD-MANGANAT, EIN NICHTFLÜCHTIGER IMPEDANZSCHALTER UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019223999A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/EP2019/061717
申请日：2019-05-07
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , DU, Nan , BOGUSZ, Agnieszka , KRÜGER, Stephan , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01F1/03 , H01F10/193
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Rekonfiguration einer Vortex-Dichte in einem Seltene-Erd-Manganat sowie einen nichtflüchtigen Impedanzschalter mit rekonfigurierbarer Impedanz und dessen Verwendung als Mikroinduktivität mit geringem Footprint. Die Aufgabe ein Verfahren anzugeben, mittels dem in speziellen Materialien deren Impedanz in Abhängigkeit von einer Vortex-Dichte ohne großen Aufwand beeinflusst und eingestellte werden kann, wird durch ein Verfahren zur Rekonfiguration einer Vortex-Dichte in einem Seltene-Erd-Manganat gelöst, wobei ein einmaliges Spannungs-Zeit-Profil zwischen einem ersten und einem zweiten, an das Seltene-Erd-Manganat angebrachten elektrisch leitenden Kontakt angelegt wird, so dass das Seltene-Erd-Manganat in einem Bereich eines sich zwischen den beiden elektrisch leitenden Kontakten ausbildenden elektrischen Feldes während eines Abkühlvorganges während und nach Anlegen des Spannungspulses oder der Spannungsrampe eine Ordnungstemperatur durchläuft und damit die Vortex-Dichte lokal im Bereich des sich zwischen den beiden elektrisch leitenden Kontakten ausbildenden elektrischen Feldes beeinflusst und eingestellt wird.

6. 发明申请

WO2013093110A1 THERMOCHROMES EINZEL- UND MEHRSCHICHTSYSTEM, DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译： THERMO铬合金单，多层次的系统，它的生产和使用
公开(公告)号：WO2013093110A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/EP2012/076862
申请日：2012-12-22
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G02F1/01 , H01L27/22
CPC分类号： H01L45/065 , G02F1/15 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L45/1213 , H01L45/146
摘要： Die Anmeldung beschreibt ein elektrisches Element, das Einzel- oder Mehrschichtsysteme umfasst, wobei die Komponenten des Einzel- und Mehrschichtsystems teilweise oder vollständig aus thermochromem Material (1, 2, 2') mit anisotropen oder isotropen Dielektrizitätseigenschaften bestehen und in sich strukturiert ausgeführt sein können. Diese Elemente können zum lokalen Heizen, als elektronische oder optische Detektoren und Schalter oder zur Magnetfelderzeugung genutzt werden.
摘要翻译：该申请描述了包括单个或多层系统，它为单和多层系统的部分或完全脱离热致变色材料（1，2，2“）的组分是可能的电气元件具有各向异性或各向同性的介电特性是由与本身执行图案化。这些元件可用于局部加热作为电子或光学检测器和交换机或用于磁场产生。

7. 发明申请

WO2014135586A1 MAGNETOOPTIK MIT OPTISCHEN POLARISATIONSGITTERN AUS STRUKTURIERTEN, UNMAGNETISCHEN METALLEN 审中-公开
标题翻译：结构化的，非磁性METALS的磁光与光偏振BARS
公开(公告)号：WO2014135586A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/EP2014/054259
申请日：2014-03-05
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN-ROSSENDORF E.V. , ERNST-ABBE-FACHHOCHSCHULE JENA HOCHSCHULE FÜR ANGEWANDTE WISSENSCHAFTEN , LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , BRUNNER, Robert , KASPAR, Tim , SCHMIDT, Oliver, G.
IPC分类号： G02F1/09 , G02F1/01
CPC分类号： G02F1/09 , G02F1/0136 , G02F2202/36 , G02F2203/10
摘要： Die Erfindung beschreibt die Auslegung einer Anordnung eines regelmäßig strukturierten unmagnetischen Einzel- oder Mehrschichtsystems (2) mit einem optischen Polarisationsgitter, das mehrere Basiselemente in der Einheitszelle aufweist. Bei dem Schichtsystem wird für eine vorgegebene Wellenlänge der einfallenden elektromagnetischen Welle eine bestimmte Polarisation der reflektierten oder transmittierten Welle in Abhängigkeit von einem von außen angelegten Magnetfeld erreicht.
摘要翻译：本发明描述了利用光学偏振光栅包括在所述单位单元的多个基部构件的结构规则的非磁性单或多层系统（2）的布置的设计。在响应于外部施加的磁场的反射波或透射波的特定偏振的层系统为入射电磁波的给定的波长来实现。

8. 发明申请

WO2014111481A2 KOMPLEMENTÄRER WIDERSTANDSSCHALTER, KONTAKTIERTE POLYKRISTALLINE PIEZO- ODER FERROELEKTRISCHE DÜNNSCHICHT, VERFAHREN ZUM VERSCHLÜSSELN EINER BITFOLGE 审中-公开
标题翻译：互补电阻开关，接触多晶压电或铁电薄膜，METHOD用于加密的比特序列
公开(公告)号：WO2014111481A2
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2014/050829
申请日：2014-01-16
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN-ROSSENDORF E.V.
发明人： YOU, Tiangui , SCHMIDT, Heidemarie , DU, Nan , BÜRGER, Danilo , SKOPURA, Ilona , SHUAI, Yao , OU, Xon
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/147 , G09C1/00 , G11C13/0007 , H01L27/2472 , H01L31/0749 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H03K19/08 , H04L9/00 , H04L9/065 , H04L2209/12 , Y02E10/541
摘要： Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein komplementärer Widerstandsschalter aufweisen: zwei äußere Kontakte (T1, T2 ), zwischen denen zwei piezo- oder ferroelektrische Schichten (11a und 11b) liegen, die durch einen inneren gemeinsamen Kontakt voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Bereich der piezo- oder ferroelektrischen Schicht (11a und 11b) mindestens einmal derart modifiziert ist, dass in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht (11a und 11b) jeweils zwischen dem inneren Kontakt und dem zugehörigen äußeren Kontakt ein Bereich (11') der Dicke (d ') entsteht, weicher mindestens zusätzlich in einem Bereich (11") der Dicke (d") modifiziert sein kann, wobei a) die äußeren Kontakte Oberflächenkontakte (Sa) und (Sb) und der innere Kontakt ein gemeinsamer zugehöriger Gegenkontakt (O) oder die äußeren Kontakte Gegenkontakte (Oa) und (Ob) und der innere Kontakt ein gemeinsamer zugehöriger Oberflächenkontakt (S) sind, b) die Oberflächenkontakte (S), (Sa) und (Sb) gleichrichtend und die Gegenkontakte (O) bzw. (Oa) und (Ob) nicht-gleichrichtend sind, c) sich die modifizierten Bereiche in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht (11a und 11b) an den Oberflächenkontakten (S) bzw. (Sa) und (Sb) ausbilden, d) die piezo- oder ferroelektrische Schichten (11, 11', 11") verschiedene verspannungsabhängige strukturelle Phasen mit unterschiedlicher Bandlücke und/oder unterschiedlicher Polarisationsladung aufweisen, und e) die elektrische Leitfähigkeit der piezo- oder ferroelektrischen Schichten (11, 11', 11") unterschiedlich ist.
摘要翻译：根据各种实施例，互补电阻开关可以包括两个外触片（T1，T2）之间，其中两个压电或铁电层（11a和11b）由一个内部公共触点彼此分离，其特征在于：至少一部分压电或铁电体层（11a和11b）一旦这种至少改性的是，在压电体或铁电体层（11a和11b）的厚度的内触头和所关联的外部接触的部分（11“）之间的每一种情况下（D “）形成，在‘厚度（d）的’的区域（11）可以更软至少除了被修改，其中：a）所述外接触表面接触（SA）和（Sb）和内接触，共同相关联的对应接触（O）或外触点的配合触点（OA），和（OB）和内接触是一个关节相关联的表面接触（S），b）将肤浅 enkontakte（S），（SA）和（Sb）的整流和配合触点（O）和（OA）和（If）是非整流，C）在压电或铁电体层（11a和11b中的改质区域）到表面接触件（S）或（SA）和（Sb）的形式，d）中的压电或铁电层（11，11”，11“）包括具有不同带隙和/或不同的极化电荷不同应力相关的结构相，和 E）压电或铁电层（11，11”，11“）的导电性是不同的。

9. 发明申请

WO2013013674A1 MAGNETISIERBARE EINZEL- UND MEHRSCHICHTSYSTEME, DEREN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：磁化的单一和多层系统，其生产和使用
公开(公告)号：WO2013013674A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/DE2012/200048
申请日：2012-07-27
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , MOK, Kah Ming , SCHMIDT, Heidemarie , SCARLAT, Camelia , WEBER, Ines
发明人： MOK, Kah Ming , SCHMIDT, Heidemarie , SCARLAT, Camelia , WEBER, Ines
IPC分类号： G02F1/09 , G01R33/032
CPC分类号： G02F1/09 , G01R33/032 , G02F1/091 , G02F2201/16 , H01F10/245 , H01F10/265
摘要： Die Erfindung beschreibt die Auslegung einer Anordnung eines magnetooptischen Systems, bei dem für eine vorgegebene Wellenlänge der einfallenden elektromagnetischen Welle eine bestimmte Polarisation der reflektierten oder transmittierten Welle erreicht wird. Die erfindungsgemäße Anordnung und das Verwendungsverfahren ermöglicht den Einsatz zur Optimierung der Auslegung eines magnetooptischen Systems um die "Ziel"-Polarisation der reflektierten oder transmittierten Welle zu erreichen oder eines magnetooptischen Speichers oder eines Magnetfeldsensors. Weiterhin werden mit der Erfindung der Aufbau eines magnetooptischen Modulators oder eines Multiplexers mit magnetooptischen Komponente ermöglicht.
摘要翻译：本发明描述中，其中，在反射波或透射波的特定偏振入射电磁波的给定波长实现磁光系统的结构的设计。根据本发明和使用的方法中的布置允许实现或磁光存储器或使用用于磁光系统的设计优化的反射波或透射波的“目标”极化的磁场传感器。此外，磁 - 光调制器或与磁 - 光学部件多路复用的结构成为可能与本发明。

10. 发明申请

WO2013029609A2 TRÄGERMATERIAL FÜR ELEKTRISCH POLARISIERBARE BIOMATERIALIEN, POLYELEKTROLYTMATERIALIEN, ATOME, IONEN UND MOLEKÜLE; DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：后盾电致生物材料，聚电解质材料，原子，离子和分子; 其生产和使用
公开(公告)号：WO2013029609A2
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/DE2012/200058
申请日：2012-08-31
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/53
CPC分类号： G01N27/28 , B01L3/502761 , G01N27/327 , G01N33/54366
摘要： Die Erfindung betrifft Trägermaterialen (Carrier) für Biomaterialien, für Polyelektrolytmatenalien, für elektrisch polarisierbare Atome, Ionen, Moleküle, wobei das Material der Trägermaterialien kompatibel zu Materialien ist, die in der Mikroelektronik verwendet werden. Mit dem Trägermaterial kann die Anordnung der Biomaterialien bzw. Biomoleküle und gegebenenfalls daran adsorbierte Biomoleküle, Biomaterialien, biologische Funktionseinheiten oder Zellen gezielt beeinflusst werden. Der Aufbau komplexer molekularer Maschinen kann mit Hilfe der Trägermaterialien gefertigt und getestet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种载体材料（载流子），用于生物材料Polyelektrolytmatenalien，用于电可极化的原子，离子，分子，其中所述支撑材料的材料是在用于微电子材料相容。与载体材料，生物材料和生物分子，并任选地向其中吸附的生物分子，生物材料，生物功能单元或电池单元的排列可以具体影响。复杂分子机器的结构可与支撑材料的帮助下被制造和测试。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式