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1. 发明申请

US20060063326A1 Chemical mechanical polishing method 有权
标题翻译：化学机械抛光方法
公开(公告)号：US20060063326A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：US10710604
申请日：2004-07-23
申请人： Garth Brooks , Bruce Porth , Steven Shank , Eric White
发明人： Garth Brooks , Bruce Porth , Steven Shank , Eric White
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/302
CPC分类号： H01L27/10867 , H01L21/3212
摘要： A method of forming a structure, an array of structures and a memory cell, the method of fabricating a structure, including: (a) forming a trench in a substrate; (b) depositing a first layer of polysilicon on a surface of the substrate, the first layer of polysilicon filling the trench; (c) chemical-mechanical-polishing the first layer of polysilicon at a first temperature to expose the surface of the substrate; (d) removing an upper portion of the first polysilicon from the trench; (e) depositing a second layer of polysilicon on the surface of the substrate, the second layer of polysilicon filling the trench; and (f) chemical-mechanical-polishing the second layer of polysilicon at a second temperature to expose the surface of the substrate, the second temperature different from the first temperature.
摘要翻译：一种形成结构，结构阵列和存储单元的方法，制造结构的方法，包括：（a）在衬底中形成沟槽; （b）在所述衬底的表面上沉积第一层多晶硅，所述第一层多晶硅填充所述沟槽; （c）在第一温度下化学机械抛光所述第一层多晶硅以暴露所述衬底的表面; （d）从沟槽去除第一多晶硅的上部; （e）在所述衬底的表面上沉积第二层多晶硅，所述第二层多晶硅填充所述沟槽; 和（f）在第二温度下对所述第二层多晶硅进行化学机械抛光以暴露所述衬底的表面，所述第二温度不同于所述第一温度。

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