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1. 发明申请

WO2005079528A2 SPIN TRANSFER MAGNETIC ELEMENT HAVING LOW SATURATION MAGNETIZATION FREE LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有低饱和磁化自由层的旋转磁体元件
公开(公告)号：WO2005079528A2
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/US2005/005448
申请日：2005-02-18
申请人： GRANDIS, INC. , NGUYEN, Paul, P. , HUAI, Yiming , DIAO, Zhitao , ALBERT, Frank
发明人： NGUYEN, Paul, P. , HUAI, Yiming , DIAO, Zhitao , ALBERT, Frank
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01H9/00 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/16 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01F41/303
摘要： A method and system for providing a magnetic element that can be used in a magnetic memory is disclosed. The magnetic element includes pinned, nonmagnetic spacer, and free layers. The spacer layer resides between the pinned and free layers. The free layer can be switched using spin transfer when a write current is passed through the magnetic element. The magnetic element may also include a barrier layer, a second pinned layer. Alternatively, second pinned and second spacer layers and a second free layer magnetostatically coupled to the free layer are included. In one aspect, the free layer(s) include ferromagnetic material(s) diluted with nonmagnetic material(s) and/or ferrimagnetically doped to provide low saturation magnetization(s).
摘要翻译：公开了一种用于提供可用于磁存储器中的磁性元件的方法和系统。磁性元件包括固定，非磁性间隔物和自由层。间隔层位于固定层和自由层之间。当写入电流通过磁性元件时，可以使用自旋转移来切换自由层。磁性元件还可以包括阻挡层，第二固定层。或者，包括第二固定和第二间隔层和静电耦合到自由层的第二自由层。在一个方面，自由层包括用非磁性材料稀释的铁磁材料和/或亚铁磁掺杂以提供低的饱和磁化强度。

2. 发明申请

WO2005029497A2 CURRENT CONFINED PASS LAYER FOR MAGNETIC ELEMENTS UTILIZING SPIN-TRANSFER AND AN MRAM DEVICE USING SUCH MAGNETIC ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：使用旋转元件的磁性元件的当前配置通道层和使用这种磁性元件的MRAM器件
公开(公告)号：WO2005029497A2
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/US2004/030677
申请日：2004-09-17
申请人： GRANDIS, INC. , HUAI, Yiming , NGUYEN, Paul, P. , ALBERT, Frank
发明人： HUAI, Yiming , NGUYEN, Paul, P. , ALBERT, Frank
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A method and system for providing and magnetic element is disclosed. In one aspect, the magnetic element includes at least a pinned layer, a free layer, and a current confined layer residing between the pinned layer and the free layer. The pinned layer is ferromagnetic and has a first magnetization. The current confined layer has at least one channel in an insulating matrix. The channel(s) are conductive and extend through the current confined layer. The free layer is ferromagnetic and has a second magnetization. The pinned layer, the free layer, and the current confined layer are configured to allow the magnetization of the free layer to be switched using spin transfer. The magnetic element may also include other layers, including layers for spin valve(s), spin tunneling junction(s), dual spin valve(s), dual spin tunneling junction(s), and dual spin valve/tunnel structure(s).
摘要翻译：公开了一种用于提供和磁性元件的方法和系统。在一个方面，磁性元件至少包括钉扎层，自由层和驻留在被钉扎层和自由层之间的电流限制层。被钉扎层是铁磁性的并且具有第一磁化强度。电流限制层在绝缘矩阵中具有至少一个通道。通道是导电的并延伸通过电流限制层。自由层是铁磁性的并且具有第二磁化强度。被钉扎层，自由层和电流限制层被配置为允许使用自旋转移来切换自由层的磁化。磁性元件还可以包括其它层，包括用于自旋阀的层，自旋隧道结，双自旋阀，双自旋隧道结，以及双自旋阀/隧道结构，。

3. 发明申请

WO2004063760A2 MAGNETOSTATICALLY COUPLED MAGNETIC ELEMENTS UTILIZING SPIN TRANSFER AND AN MRAM DEVICE USING THE MAGNETIC ELEMENT 审中-公开
标题翻译：使用磁性元件的磁耦合磁耦合元件和使用磁性元件的MRAM器件
公开(公告)号：WO2004063760A2
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/US2004/000453
申请日：2004-01-09
申请人： GRANDIS, INC.
发明人： HUAI, Yiming , ALBERT, Frank , NGUYEN, Paul, P.
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A method and system for providing a magnetic element capable of being written using the spin-transfer effect and a magnetic memory using the magnetic element are disclosed. The magnetic element includes a spin tunneling junction, a separation layer and a spin valve. In an alternate embodiment, the spin tunneling junction and/or spin valve may be dual. The separation layer is between a first free layer of the spin tunneling junction and a second free layer of the spin valve. The separation layer is configured so that the two free layers are magnetostatically coupled, preferably with their magnetizations antiparallel. In an alternate embodiment, having a dual spin valve and a dual spin tunneling junction, the separation layer may be omitted, and the appropriate distance provided using an antiferromagnetic layer. Another embodiment includes shaping the element such that the spin valve has a smaller lateral dimension than the spin tunneling junction.
摘要翻译：公开了一种用于提供能够使用自旋转移效应进行写入的磁性元件和使用该磁性元件的磁性存储器的方法和系统。磁性元件包括自旋隧道结，分离层和自旋阀。在替代实施例中，自旋隧道结和/或自旋阀可以是双重的。分离层位于自旋隧穿结的第一自由层和自旋阀的第二自由层之间。分离层被配置为使得两个自由层被静磁耦合，优选地它们的磁化反平行。在替代实施例中，具有双自旋阀和双自旋隧道结，可以省略分离层，并且使用反铁磁层提供适当的距离。另一个实施例包括使元件成形，使得自旋阀具有比自旋隧道结更小的横向尺寸。

4. 发明公开

EP1716561A2 SPIN TRANSFER MAGNETIC ELEMENT HAVING LOW SATURATION MAGNETIZATION FREE LAYERS 审中-公开
标题翻译：与磁化低饱和HAVING自由层的自旋转移磁性元件
公开(公告)号：EP1716561A2
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：EP05723406.4
申请日：2005-02-18
申请人： Grandis, Inc.
发明人： NGUYEN, Paul, P. , HUAI, Yiming , DIAO, Zhitao , ALBERT, Frank
IPC分类号： G11B5/673
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/16 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01F41/303
摘要： A method and system for providing a magnetic element that can be used in a magnetic memory is disclosed. The magnetic element includes pinned, nonmagnetic spacer, and free layers. The spacer layer resides between the pinned and free layers. The free layer can be switched using spin transfer when a write current is passed through the magnetic element. The magnetic element may also include a barrier layer, a second pinned layer. Alternatively, second pinned and second spacer layers and a second free layer magnetostatically coupled to the free layer are included. In one aspect, the free layer(s) include ferromagnetic material(s) diluted with nonmagnetic material(s) and/or ferrimagnetically doped to provide low saturation magnetization(s).

5. 发明申请

WO2004079743A2 MAGNETOSTATICALLY COUPLED MAGNETIC ELEMENTS UTILIZING SPIN TRANSFER AND AN MRAM DEVICE USING THE MAGNETIC ELEMENT 审中-公开
标题翻译：使用磁性元件的磁耦合磁耦合元件和使用磁性元件的MRAM器件
公开(公告)号：WO2004079743A2
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/US2004/006003
申请日：2004-02-27
申请人： GRANDIS, INC.
发明人： ALBERT, Frank , HUAI, Yiming , NGUYEN, Paul, P.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A method and system for providing a magnetic element and a corresponding memory are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a dual spin tunnel/valve structure and at least one spin valve. The dual spin tunnel/valve structure includes a nonmagnetic spacer layer between a pinned layer and a free layer, another pinned layer and a barrier layer between the free layer and the other pinned layer. The free layers of the dual spin tunnel/valve structure and the spin valve are magnetostatically coupled. In one embodiment a separation layer resides between the dual spin tunnel/valve structure and the spin valve. In another aspect, the method and system include providing two dual spin valves, a spin tunneling junction there between and, in one embodiment, the separation layer. In both aspects, the magnetic element is configured to write to the free layers using spin transfer when a write current is passed through the magnetic element.
摘要翻译：公开了一种用于提供磁性元件和相应的存储器的方法和系统。在一个方面，该方法和系统包括提供双自旋隧道/阀结构和至少一个自旋阀。双自旋隧道/阀结构包括在被钉扎层和自由层之间的非磁性间隔层，在自由层和另一个钉扎层之间的另一个钉扎层和阻挡层。双自旋隧道/阀结构和自旋阀的自由层是静磁耦合的。在一个实施例中，分离层位于双自旋隧道/阀结构和自旋阀之间。在另一方面，该方法和系统包括提供两个双自旋阀，其间的自旋隧道结，在一个实施例中，分离层。在两个方面，磁性元件配置成当写入电流通过磁性元件时，使用自旋转移来写入自由层。

6. 发明申请

WO2004102512A2 ANZEIGEVORRICHTUNG MIT EINEM WAND- ODER SÄULENARTIGEN GEHÄUSE 审中-公开
标题翻译：与墙或列如住房显示装置
公开(公告)号：WO2004102512A2
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/EP2004/005354
申请日：2004-05-18
申请人： KACAVENDA, Vaso , ALBERT, Frank , KACAVENDA, Nebojsa
发明人： KACAVENDA, Vaso , ALBERT, Frank , KACAVENDA, Nebojsa
IPC分类号： G09F15/00
CPC分类号： G09F15/0068 , G09F15/0062
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit einem wand- oder säulenartigen faltbaren Gehäuse (102, 104, 106; 202, 204, 206), einem innerhalb des Gehäuses angeordneten Projektor (110; 210), einer Gehäuseöffnung zur Aufnahme einer Rückprojektionsfläche (108; 208), wobei ein Projektionsraum innerhalb des Gehäuses ausgebildet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种显示装置，其具有一个壁或柱状可折叠壳体（102，104，106; 202，204，206），一个设置在所述壳体投影仪（110; 210）内，壳体开口，用于接收一个后投影（108; 208）其中一个投影空间被形成在外壳内。

7. 发明申请

WO2009049867A1 WASSERSPEICHER 审中-公开
标题翻译：水箱
公开(公告)号：WO2009049867A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/EP2008/008713
申请日：2008-10-15
申请人： BYK-CHEMIE GMBH , BUBAT, Alfred , ALBERT, Frank , HARTMANN, Jürgen , GARLINSKY, Jörg
发明人： BUBAT, Alfred , ALBERT, Frank , HARTMANN, Jürgen , GARLINSKY, Jörg
IPC分类号： B01J20/32 , C08G77/04 , C08G77/18 , C08G77/46 , C08J9/42 , B01F17/00
CPC分类号： B01J20/22 , B01J20/26 , B01J20/262 , B01J20/28004 , B01J20/28054 , B01J20/28085 , B01J2220/445 , B01J2220/66
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen mit einem wässrigen Medium beladenen, aus porösen, frei fließenden Partikeln bestehenden Speicher, wobei die Partikel aus einem hydrophoben Polymeren gebildet sind und deren Beladung wenigstens ein bestimmtes Vermittleradditiv der allgemeinen Formel (I) enthält, dessen Verwendung als Schleppmittellieferant zur Entfernung von leichtflüchtigen Bestandteilen aus Kunststoffen, zur gleichmäßigen Dotierung von Kunststoffzwischenprodukten und/oder Kunststoffartikeln mit Hilfsstoffen und als Bodenverbesserungsmittel wie Pflanzenschutzmittel-Lieferant bzw. Düngemittel-Lieferant.
摘要翻译：本发明涉及一种装载有水性介质，包括多孔的，自由流动的颗粒存储器，其中所述颗粒是由疏水性聚合物形成，且其负载至少含有通式（I）的特定增容剂添加剂，其作为夹带剂的供应商使用，以除去由塑料材料，用于塑料的中间产物和/或与赋形剂的塑料制品均匀掺杂挥发性组分并用作土壤改良剂如农药或肥料的供应商的供应商。

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