会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明申请
    • SYSTEME SILICONE MODULATEUR D'ADHERENCE ET SON UTILISATION POUR LA PREPARATION DE COMPOSITIONS ANTI-ADHERENTES DURCISSABLES
    • 释放调节硅酮体系及其用于制备可固化释放组合物
    • WO2002098972A1
    • 2002-12-12
    • PCT/FR2002/001892
    • 2002-06-04
    • RHODIA CHIMIEDHALER, DidierWHITE, John
    • DHALER, DidierWHITE, John
    • C08L83/04
    • C09D183/06C08G77/12C08G77/14C08G77/16C08G77/20C08G77/80C08L83/04C08L83/06C09D183/04C08L83/00
    • La présente invention a pour objet un nouveau système silicone modulateur d'adhérence, et son utilisation pour la préparation de compositions silicones antiadhérentes, durcissables (Si-H/Si-Vi), et applicables sur des supports, de manière à faciliter l'enlèvement de matières adhésives collées de manière réversible sur ces supports. On recherche des modulateurs très efficaces en terme de pouvoir modulant, très réactifs et sans effet négatif sur les propriétés d'adhérence instantanée ("tack") des matières adhésives contrecollées sur le revêtement silicone anti-adhérent. Pour atteindre ce but, on a mis au point un système modulateur d'adhérence à base de 96 à 85 parties en poids d'au moins une résine polyorganosiloxane (A) réactive de type: MDViQ, MMViQ, MDViT, MMHéxénylQ, ou MMAllyloxypropylQ,o de 4 à 15 parties en poids d'au moins une résine (B) non réactive de type: MD'Q, MDD'Q, MDT', MQ, ou MDQ. Utilisation dudit système modulateur pour la préparation de compositions durcissables anti-adhérentes renfermant un polydiorganosiloxane linéaire, ledit système modulateur, un inhibiteur d'hydrosilylation, un polyorgano-hydrogénosiloxane linéaire réticulant et un catalyseur d'hydrosilylation.
    • 本发明涉及新型释放调节硅酮组合物及其用于制备适用于基材上的可固化脱模组合物(Si-H / Si-Vi)的用途,以便于去除可逆粘合在所述基材上的粘合剂材料。 本发明的目的是在调节功率方面提供高效的粘合改性剂,并且不会对层压在剥离硅氧烷涂层上的粘合剂材料的瞬时粘合性产生不利影响。 因此,本发明提供一种释放调节系统,其基于:96至85重量份的至少一种以下类型的反应性聚有机硅氧烷树脂(A):MDViQ,MDViT,MMHexenylQ或MMAllyloxypropyl Q; 4至15重量份至少一种类型为MD'Q,MDD'Q,MDT',MQ或MDQ的非反应性树脂(B)。 本发明还涉及调节系统用于制备含有线性聚有机硅氧烷,所述调节系统,氢化硅烷化抑制剂,线性交联聚有机卤代硅氧烷和氢化硅烷化催化剂的释放组合物的用途。
    • 10. 发明申请
    • MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFTs
    • 用于低温聚硅薄膜的多层高质量栅介质
    • WO2006073568A2
    • 2006-07-13
    • PCT/US2005/041231
    • 2005-11-15
    • APPLIED MATERIALS, INC.WHITE, John
    • WHITE, John
    • C23C16/00H05H1/24
    • C23C8/36C23C16/0218C23C16/402
    • A method and apparatus that is useful for forming a high quality gate dielectric layer in MOS TFT devices using a high density plasma oxidation (HDPO) process. In one embodiment a HDPO process layer is formed over the channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer. The HDPO process generally uses an inductively and/or capacitively coupled RF transmitting device to generate and control the plasma generated over the substrate and injecting a gas containing an oxidizing source to grow the interfacial layer. A second dielectric layer may then be deposited on the substrate using a CVD or PECVD deposition process. Aspects of the invention also provide a cluster tool that contains at least one specialized plasma processing chamber that is capable of depositing a high quality gate dielectric layer.
    • 一种用于在使用高密度等离子体氧化(HDPO)工艺的MOS TFT器件中形成高质量栅极电介质层的方法和装置。 在一个实施例中,在沟道,源极和漏极区域上形成HDPO处理层以形成电介质界面,然后将一个或多个电介质层沉积在HDPO层上以形成高质量的栅极电介质层。 HDPO工艺通常使用感应和/或电容耦合的RF传输装置来产生和控制在衬底上产生的等离子体,并且注入含有氧化源的气体以生长界面层。 然后可以使用CVD或PECVD沉积工艺将第二电介质层沉积在衬底上。 本发明的各方面还提供了一种集群工具,其包含能够沉积高质量栅极电介质层的至少一个专用等离子体处理室。