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    • 4. 发明申请
    • HIGH POWER T/R SWITCH USING STACKED TRANSISTORS
    • 使用堆叠晶体管的大功率T / R开关
    • WO2008133620A1
    • 2008-11-06
    • PCT/US2007/010295
    • 2007-04-26
    • UNIVERSITY OF FLORIDAXU, HaifengO, Kenneth, K.
    • XU, HaifengO, Kenneth, K.
    • H03K17/693H03K17/10H01L27/04
    • H03K17/693H01L21/823892H03K17/102H03K2217/0018
    • A T/R switch circuit is provided. In a preferred embodiment, T/R switch circuit designs are provided that increase IP1 dB for T/R switches while maintaining IL less than ~1 dB. In an embodiment, the T/R switch circuit can incorporate a series transistor on the TX leg, 3-stack transistors on the RX leg, shunt 3-stack transistors on the TX node, and a shunt transistor on the RX node. The transistors can be formed using sub-design-rule (SDR) channel length to reduce insertion loss (IL) and can be located in isolated p-wells to provide an improved floating body. In addition, feed-forward metal capacitors can be included to improve the total voltage swing of stacked transistors. This circuit can be implemented in the UMC 130-nm mixed mode triple-well CMOS process.
    • 提供T / R开关电路。 在优选实施例中,提供T / R开关电路设计,其在保持IL小于〜1dB的T / R开关的同时增加IP1dB。 在一个实施例中,T / R开关电路可以并入TX脚上的串联晶体管,RX脚上的3堆叠晶体管,TX节点上的3堆叠晶体管,以及RX节点上的分流晶体管。 可以使用子设计规则(SDR)通道长度来形成晶体管,以减少插入损耗(IL),并且可以位于隔离的p阱中以提供改进的浮体。 此外,可以包括前馈金属电容器以改善堆叠晶体管的总电压摆幅。 该电路可以在UMC 130nm混合模式三阱CMOS工艺中实现。