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1. 发明授权

US08007966B2 Multiple technology node mask 有权
标题翻译：多技术节点掩码
公开(公告)号：US08007966B2
公开(公告)日：2011-08-30
申请号：US13007048
申请日：2011-01-14
申请人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
发明人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/00
摘要： A method of fabricating a mask set is provided. The method includes providing mask data associated with a plurality of mask layers. The mask data includes a first pattern associated with a first technology node and a second pattern associated with a second technology node. The method continues with determining to form a multi-technology node mask (MTM) for a first mask layer of the plurality of mask layers. The MTM for the first mask layer is formed, which includes features associated with the first pattern and features associated with the second pattern.
摘要翻译：提供了一种制造掩模组的方法。该方法包括提供与多个掩模层相关联的掩模数据。掩模数据包括与第一技术节点相关联的第一模式和与第二技术节点相关联的第二模式。该方法继续确定以形成多个掩模层中的第一掩模层的多技术节点掩码（MTM）。形成第一掩模层的MTM，其包括与第一图案相关联的特征和与第二图案相关联的特征。

2. 发明申请

US20110113389A1 MULTIPLE TECHNOLOGY NODE MASK 有权
标题翻译：多技术节点掩码
公开(公告)号：US20110113389A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：US13007048
申请日：2011-01-14
申请人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
发明人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/00
摘要： A method of fabricating a mask set is provided. The method includes providing mask data associated with a plurality of mask layers. The mask data includes a first pattern associated with a first technology node and a second pattern associated with a second technology node. The method continues with determining to form a multi-technology node mask (MTM) for a first mask layer of the plurality of mask layers. The MTM for the first mask layer is formed, which includes features associated with the first pattern and features associated with the second pattern.
摘要翻译：提供了一种制造掩模组的方法。该方法包括提供与多个掩模层相关联的掩模数据。掩模数据包括与第一技术节点相关联的第一模式和与第二技术节点相关联的第二模式。该方法继续确定以形成多个掩模层中的第一掩模层的多技术节点掩码（MTM）。形成第一掩模层的MTM，其包括与第一图案相关联的特征和与第二图案相关联的特征。

3. 发明授权

US07875406B2 Multiple technology node mask 有权
标题翻译：多技术节点掩码
公开(公告)号：US07875406B2
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：US12056897
申请日：2008-03-27
申请人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
发明人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
IPC分类号： G03F1/00 , G03C5/00 , H01L21/00
CPC分类号： G03F1/00
摘要： A multiple technology node mask (MTM) is provided. An MTM includes a pattern associated with a first technology node and a pattern associated with a second technology node. The first technology node and the second technology node may be different. For example, the first technology node may be a main node and the second technology node a sub-node. A mask set including an MTM may also include single technology node masks (STMs) for mask layers in which the first technology node and second technology node and/or the patterns associated with each are not compatible. A single mask set including MTM and STMs, may be used to produce a plurality of devices, each on a different wafer.
摘要翻译：提供了多技术节点掩码（MTM）。 MTM包括与第一技术节点相关联的模式和与第二技术节点相关联的模式。第一技术节点和第二技术节点可能不同。例如，第一技术节点可以是主节点，而第二技术节点可以是子节点。包括MTM的掩模集还可以包括用于掩模层的单技术节点掩码（STM），其中第一技术节点和第二技术节点和/或与每个技术节点相关联的模式不兼容。可以使用包括MTM和STM的单个掩模组来产生多个设备，每个设备在不同的晶片上。

4. 发明申请

US20090246975A1 MULTIPLE TECHNOLOGY NODE MASK 有权
标题翻译：多技术节点掩码
公开(公告)号：US20090246975A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：US12056897
申请日：2008-03-27
申请人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
发明人： Feng Lung Lin , Kuan Liang Wu , Fei-Gwo Tsai , Che-Rong Liang
IPC分类号： H01L21/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/00
摘要： A multiple technology node mask (MTM) is provided. An MTM includes a pattern associated with a first technology node and a pattern associated with a second technology node. The first technology node and the second technology node may be different. For example, the first technology node may be a main node and the second technology node a sub-node. A mask set including an MTM may also include single technology node masks (STMs) for mask layers in which the first technology node and second technology node and/or the patterns associated with each are not compatible. A single mask set including MTM and STMs, may be used to produce a plurality of devices, each on a different wafer.
摘要翻译：提供了多技术节点掩码（MTM）。 MTM包括与第一技术节点相关联的模式和与第二技术节点相关联的模式。第一技术节点和第二技术节点可能不同。例如，第一技术节点可以是主节点，而第二技术节点可以是子节点。包括MTM的掩模集还可以包括用于掩模层的单技术节点掩码（STM），其中第一技术节点和第二技术节点和/或与每个技术节点相关联的模式不兼容。可以使用包括MTM和STM的单个掩模组来产生多个设备，每个设备在不同的晶片上。

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