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1. 发明申请

WO1981000027A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：WO1981000027A1
公开(公告)日：1981-01-08
申请号：PCT/JP1980000143
申请日：1980-06-24
申请人： FUJITSU LTD , NAKANO M , NAKANO T , BABA F , MOCHIZUKI H , TAKEMAE Y
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/844
摘要： A semiconductor memory device having a redundant memory array (11) provided for a main memory cell matrix (1, 2). A memory cell in the main memory cell matrix is selected by two decoders (6, 7) and a memory cell in the redundant memory array is selected by two decoders (12, 7). When the redundant memory array is selected by the decoder (12), a switching circuit (13) stops feeding clocks to the decoder (6).
摘要翻译：一种具有为主存储单元阵列（1,2）提供的冗余蜂窝存储器（11）的半导体存储器件。两个解码器（12,7）选择主存储器单元阵列中的并且由两个解码器（6,7）和冗余单元存储器中的存储器单元选择的存储器单元。当解码器（12）选择冗余蜂窝存储器时，开关电路（13）停止提供给解码器（6）的时钟脉冲。

2. 发明申请

WO1980002624A1 SEMICONDUCTIVE MEMORY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO1980002624A1
公开(公告)日：1980-11-27
申请号：PCT/JP1980000106
申请日：1980-05-17
申请人： FUJITSU LTD , TAKEMAE Y
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L29/66181 , G11C11/404 , H01L27/10805
摘要： In prior art, for a one-transistor- one-capacitor-memory, the area of a memory cell is influenced by the accuracy of patterning for capacitor electrodes (3). The prior art requires therefore to take into estimation an error in patterning the capacitor electrodes (3) in addition to the minimum requisite area to the capacitor electrodes. For decreasing the area of a memory cell, according to the present invention, capacitors (14) are made of silicon nitride, memory cells are isolated by the combination of thick insulator layers (18) and field-shield layers (20), and capacitor electrodes (13) are formed by self-alignment, using the field-shield layers (20) and gate electrodes (16) of the transistors. The present invention is usable for IC- and LSI- fabrications.

3. 发明申请

WO1982000918A1 ELECTROMAGNETIC RELAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：电磁继电器及其制造方法
公开(公告)号：WO1982000918A1
公开(公告)日：1982-03-18
申请号：PCT/JP1981000210
申请日：1981-09-01
申请人： FUJITSU LTD , KINOSHITA Y , HANADA K , TAMURA M
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： H01H50/44
CPC分类号： H01H50/026 , H01H2050/044
摘要： Un petit relais electromagnetique, mince est monte dans une plaque a circuit imprime, ou le nombre de composants assembles dans une enceinte est reduit pour diminuer le nombre des phases d'assemblages, et son procede de fabrication. L'enceinte (110) a la forme d'une boite dont la partie superieure et le fond sont ouverts, et des bornes a ressort de contact (111a) et autres sont montes sur une moulure d'insertion. Une bobine (128) possede un noyau en fer en forme de U (130), dans lequel un noyau et une culasse sont formes de maniere solidaire. Un support a evidement est forme sur la surface externe de la bride (138) de la bobine (128), et une piece polaire de contact (117) est maintenue de maniere pivotante dans le support a evidement de la bobine. Une unite a electro-aimant (116) est introduite depuis l'ouverture inferieure de l'enceinte (110) de maniere a etre amenee en contact avec une projection de maintien. Ainsi, le relais peut etre assemble rapidement sans deformer les pieces respectives.

4. 发明申请

WO1982000540A1 METHOD OF CONTROLLING STEP-TRANSFER OF AN INFORMATION MEDIUM 审中-公开
标题翻译：控制信息媒介转移的方法
公开(公告)号：WO1982000540A1
公开(公告)日：1982-02-18
申请号：PCT/JP1981000172
申请日：1981-07-30
申请人： FUJITSU LTD , MOROTO S , OSADA N , KANAMORI A , KIMURA T , HORIE H , YOSHIZOE T
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： G11B05/09
CPC分类号： G11B15/602 , G11B15/02 , G11B15/1808 , G11B20/1816
摘要： Dans un systeme de memoire a grande capacite avec un support d'information telle qu'une bande magnetique (T), un procede de commande d'un moteur d'enroulement (16) permet de faire en sorte e l'intervalle de temps requis pour clarifier les resultats du controle d'erreur ne provoque pas de retard dans le depart du transfert pas a pas du support. Des pistes d'enregistrement sont formees en bandes coupant obliquement le sens longitudinal de la bande magnetique (T). Lorsqu'une tete magnetique rotative finit l'enregistrement ou la reproduction sur l'une des pistes d'enregistrement, une impulsion de signal de fin de donnees est generee, et le moteur d'enroulement (16) commence le transfert pas a pas de la bande magnetique (T), avant que les resultats du controle d'erreur des donnees reproduites ne soient con- Dans le cas normal d'absence d'erreur, une instruction est generee de maniere a poursuivre le transfert, et la tete magnetique rotative (14) effectue l'enregistrement et la reproduction sur la piste d'enregistrent suivante. Si une erreur est detectee, une impulsion de signal d'inversion de rotation est generee et le moteur d'enroulement (16) tourne dans le sens inverse de maniere telle a ce que la premiere piste d'enregistrement soit enregistree ou reproduite de nouveau.

5. 发明申请

WO1982000073A1 LIGHT RECEIVING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：光接收电路
公开(公告)号：WO1982000073A1
公开(公告)日：1982-01-07
申请号：PCT/JP1981000138
申请日：1981-06-15
申请人： FUJITSU LTD , MINAMI T , NISHIMOTO H
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： H04B09/00
CPC分类号： H04B10/6931 , H03G3/3084 , H04B10/6911
摘要： Dans un circuit de reception de lumiere ou la sortie d'un amplificateur (13) est maintenue a un niveau constant independamment du niveau des sorties lumineuses en commandant le facteur de multiplication d'une photodiode a avalanche (12) et le gain de l'amplificateur (13), le facteur de multiplication M de la photodiode a avalanche (12) et le gain G de l'amplificateur (13) sont changes successivement selon une approximation d'une ligne polygonale de maniere telle que le rapport signal-bruit dans la sortie de l'amplificateur (13) s'approche d'une valeur optimale en utilisant un circuit de commande simple. A cet effet, lorsque le niveau d'entree de lumiere (11) est faible, la VAPD est reglee par l'intermediaire d'un amplificateur differentiel (52), une diode (56) et un circuit generateur de haute tension (54) de maniere a diminuer M et, lorsque le niveau d'entree de lumiere monte et que V2 devient negatif, VAGC est regle de maniere a diminuer G. Lorsque le niveau d'entree de lumiere monte encore plus et que VAGC devient egal a Vreff3, M est encore diminue en ajustant une tension de reference qui alimente un amplificateur differentiel (51), vers un niveau plus bas. Lorsque la sortie V5 d'un amplificateur differentiel (53) est saturee, VAPD est fixe de maniere a maintenir M constant et seul VAGC change de maniere a diminuer G. Ainsi, M et G sont commandes pour suivre des valeurs optimales.

6. 发明申请

WO1981000481A1 INFORMATION PROCESSING SYSTEM FOR ERROR PROCESSING,AND ERROR PROCESSING METHOD 审中-公开
标题翻译：用于错误处理的信息处理系统和错误处理方法
公开(公告)号：WO1981000481A1
公开(公告)日：1981-02-19
申请号：PCT/JP1980000175
申请日：1980-07-29
申请人： FUJITSU LTD , KUBO S , TANIGUCHI S , SHINKE O , ISHII M
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/70 , F02P5/1506 , G06F11/1024 , G06F11/1044 , Y02T10/46
摘要： A data processing system for error processing and an error processing method, which system includes a main memory (M), an information processing unit (A), an error processing unit (EP) and an alternate memory. When an error arises in a portion of the main memory, corrected information is stored in the alternate memory. Then, under the control of the error processing unit (EP), the alternate memory is employed instead of the malfunctioning portion of the main memory. The alternate memory is adapted to be used only when the error is a fixed error or a burst error, in order to avoid a system shut-down caused by fixed- and soft-errors or burst- and soft-errors which occur during information processing. The alternate memory, therefore, is not used in a case where the error is a soft error. This imparts an additional advantage in that the size of the memory is reduced.
摘要翻译：一种用于错误处理的数据处理系统和错误处理方法，该系统包括主存储器（M），信息处理单元（A），错误处理单元（EP）和备用存储器。当在主存储器的一部分中出现错误时，校正的信息被存储在备用存储器中。然后，在错误处理单元（EP）的控制下，使用备用存储器代替主存储器的故障部分。备用存储器仅适用于仅当错误是固定错误或突发错误时才使用，以避免在信息处理期间发生的固定和软错误或突发和软错误引起的系统关闭。因此，在错误是软错误的情况下，不使用备用存储器。这提供了另外的优点，即存储器的尺寸减小。

7. 发明申请

WO1980002772A1 ELECTRON BEAM PROJECTING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：电子束投影系统
公开(公告)号：WO1980002772A1
公开(公告)日：1980-12-11
申请号：PCT/JP1980000125
申请日：1980-06-06
申请人： FUJITSU LTD , GOTO Y , IGAKI S , FURUKAWA Y
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J37/3026
摘要： An electron beam projecting system for patterning in which, using an encircle-diagram (Q) which encircles a pattern (P) and is more simplified than the pattern (P), electron-beam-projecting position-information for the pattern according to the encircle-diagram, is stored in a pattern-package-memory and the electron-beam-projecting position-information, start-point data of the encircle-diagram and scanning information are supplied to deflecting means (82, 85) in electron-beam-projecting equipment (8).

8. 发明申请

WO1980002347A1 OFFSET COMPENSATING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：偏移补偿电路
公开(公告)号：WO1980002347A1
公开(公告)日：1980-10-30
申请号：PCT/JP1980000084
申请日：1980-04-23
申请人： FUJITSU LTD , OHHATA M , MATSUMURA T , YAMASAWA M , CHUJO T , TAKAHASHI M
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： H03K13/02
CPC分类号： H04L25/064 , H03M1/0602
摘要： Offset compensating circuit adapted to be built into a circuit to be compensated. The offset compensating circuit (21) is incorporated into a negative feedback loop of the circuit to be compensated, and essentially comprises an integrating circuit. The integrating circuit is composed of switching means (SW) and a switched capacitor-type integrating circuit (23). The switching means (SW) operates to feed either one of a positive reference voltage (+ Vr) and a negative reference voltage (- Vr) in response to the polarity of the output signal from the circuit to be compensated. The positive or negative reference voltage (+ Vr) is applied to the switched capacitor-type integrating circuit (23), which generates an offset compensating voltage (Vc) to be superposed to the input signal of the circuit to be compensated.
摘要翻译：偏移补偿电路适用于要补偿的电路。偏移补偿电路（21）被并入要补偿的电路的负反馈环路中，并且基本上包括积分电路。积分电路由开关装置（SW）和开关电容型集成电路（23）构成。开关装置（SW）响应于要补偿的电路的输出信号的极性而进行正参考电压（+ Vr）和负参考电压（-Vr）之一的供给。正/负参考电压（+ Vr）被施加到开关电容器型积分电路（23），该电路产生将要补偿的电路的输入信号叠加的偏移补偿电压（Vc）。

9. 发明申请

WO1980001850A1 VIRTUAL MACHINE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：虚拟机系统
公开(公告)号：WO1980001850A1
公开(公告)日：1980-09-04
申请号：PCT/JP1980000023
申请日：1980-02-20
申请人： FUJITSU LTD , IKUTA Y , SHIMIZU K , KANEDA S , MATSUMURA N , IKEGAMI F
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： G06F09/46
CPC分类号： G06F9/4843 , G06F9/45533
摘要： A virtual machine system is provided with a control program for concurrently operating plural OS's (Operating Systems). The object is to suppress the overhead produced when simulating privileged instructions for controlling PSW (Program Status Word). For this purpose, there is provided simple hardware, in place of a software control conventionally used, i.e., a qualifying register (53) for storing information required to qualify current PSW (52) information, and a pending register (54) for storing pending interrupt information for reflection on a corresponding OS.

10. 发明申请

WO1980001739A1 METHOD OF PRODUCING INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR SURFACES 审中-公开
标题翻译：生产半导体表面绝缘膜的方法
公开(公告)号：WO1980001739A1
公开(公告)日：1980-08-21
申请号：PCT/JP1979000039
申请日：1979-02-19
申请人： FUJITSU LTD , NOZAKI T , ITO T
发明人： FUJITSU LTD
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/3185
摘要： Method of producing an insulating film for semiconductor surfaces, in which a silicon substrate is subjected to direct nitriding to thereby produce a film of silicon nitride. The silicon substrate is first subjected to a direct heat-nitriding treatment to produce a relatively thick film of silicon nitride. The silicon substrate is then subjected to a nitriding treatment in aqueous ammonia or an inert gas atmosphere containing gaseous ammonia, thereby to produce a dense and relatively thick film of silicon nitride. The resultant film of silicon nitride is useful for an insulating film for semiconductor devices and also a mask for impurity diffusion or selective oxidation in the production of the semiconductor devices.
摘要翻译：制造用于半导体表面的绝缘膜的方法，其中对硅衬底进行直接氮化，从而制造氮化硅膜。首先对硅衬底进行直接热氮化处理以产生相对厚的氮化硅膜。然后将硅衬底在氨水或含有气态氨的惰性气体气氛中进行氮化处理，从而产生致密且较厚的氮化硅膜。所得到的氮化硅膜可用于半导体器件的绝缘膜，并且在半导体器件的制造中也可用于杂质扩散或选择性氧化的掩模。

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