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1. 发明专利

DD152501A1 未知
公开(公告)号：DD152501A1
公开(公告)日：1981-12-02
申请号：DD22329480
申请日：1980-08-13
申请人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ , BOEHME OTTO
发明人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ , BOEHME OTTO
IPC分类号： B23K7/00

2. 发明专利

DD153342A1 未知
公开(公告)号：DD153342A1
公开(公告)日：1982-01-06
申请号：DD22428580
申请日：1980-10-02
申请人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS , COLDITZ WERNER
发明人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS , COLDITZ WERNER
IPC分类号： B29C27/02

3. 发明专利

DD200725A1 未知
公开(公告)号：DD200725A1
公开(公告)日：1983-06-08
申请号：DD23380481
申请日：1981-10-02
申请人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
发明人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
IPC分类号： B26D7/10 , B29C27/02

4. 发明专利

DD158867A1 未知
公开(公告)号：DD158867A1
公开(公告)日：1983-02-09
申请号：DD22998881
申请日：1981-05-15
申请人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ
发明人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ
IPC分类号： B23K7/00 , B23K9/16

5. 发明专利

DD203261A1 未知
公开(公告)号：DD203261A1
公开(公告)日：1983-10-19
申请号：DD23712582
申请日：1982-02-02
申请人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ , DOMRAU HORST , TELZER HANS JOACHIM
发明人： FROEHLICH HANS , MUELLER KARLHEINZ , DOMRAU HORST , TELZER HANS-JOACHIM
IPC分类号： B23K7/10

6. 发明专利

DD152732A1 未知
公开(公告)号：DD152732A1
公开(公告)日：1981-12-09
申请号：DD22353980
申请日：1980-08-27
申请人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
发明人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
IPC分类号： B23K7/00

7. 发明专利

DD138158A1 未知
公开(公告)号：DD138158A1
公开(公告)日：1979-10-17
申请号：DD20719378
申请日：1978-08-10
申请人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
发明人： MUELLER KARLHEINZ , FROEHLICH HANS
IPC分类号： B23K7/02

8. 发明申请

WO03096412A2 METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT WITH A BIPOLAR TRANSISTOR AND A HETERO BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR制造集成电路与集成电路具有双极晶体管和杂
公开(公告)号：WO03096412A2
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP0305001
申请日：2003-05-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , DAHL CLAUS , MUELLER KARLHEINZ , WAGNER CAJETAN
发明人： DAHL CLAUS , MUELLER KARLHEINZ , WAGNER CAJETAN
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/082
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/8222 , H01L21/8249 , H01L27/0825
摘要： In order to integrate an npn bipolar transistor with a hetero bipolar transistor, a placeholder layer is produced (322) in a base area of the hetero bipolar transistor after structuring (320) a collector structure for both types of transistors, wherein the placeholder layer is not present in a base area of the bipolar transistor. The base of the bipolar transistor is covered (326) once the base of the bipolar transistor has been produced (324), whereupon the placeholder layer is removed and the base (328) of the hetero bipolar transistor is then produced on the site from which the placeholder layer has been removed. The emitter structure is then equally produced (330) for both types of transistors so that an integrated circuit comprising the bipolar transistors and the hetero bipolar transistors is obtained, the collector structures and/or the emitter structures of which consist of identical production layers. This makes it possible to produce space-saving and economical integrated circuits profiting from the advantages of both transistor types.
摘要翻译：用于根据图案化（320）的集电极结构两种晶体管类型的具有异质结双极晶体管的npn双极晶体管的集成是在异质（322），其中所述占位符层不存在于所述双极晶体管的基区的基极区中产生的占位符层。双极晶体管的基极的生成（324）后，将双极晶体管的基极被覆盖（326），于是在牺牲层被去除，异质结双极型晶体管的基极（328）产生，其中该占位符层已被移除。其中的发射极结构被同时产生这两种类型的晶体管（330），使得存在一种集成电路，其包括双极晶体管和异质其集电极结构和/或发射器的结构相同的底涂层组成。因此节省空间和成本效益的集成电路可以由从两种类型的晶体管的优点在于益处。

9. 发明申请

WO0163644A3 METHOD FOR PRODUCING BIPOLAR TRANSISTORS IN A BICMOS PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于生产双极晶体管，BiCMOS工艺
公开(公告)号：WO0163644A3
公开(公告)日：2002-03-14
申请号：PCT/EP0101054
申请日：2001-02-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , MUELLER KARLHEINZ
发明人： MUELLER KARLHEINZ
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8249 , H01L29/66272
摘要： According to a method for producing bipolar single-polysilicon transistors which can be integrated into a BICMOS, an emitter contact hole (13) is etched out through a base contact layer (10) as far as a collector area (2, 7). The base layer (8) and the emitter (15) are then formed in the emitter contact hole (13).
摘要翻译：在一可组合在单个双极晶体管的多晶硅到集电极区域的BiCMOS一个制造方法（2，7）由一基极接触层（10）蚀刻出发射极接触孔（13）。随后，形成在发射极接触孔（13）基极层（8）和所述发射器（15）。

10. 发明申请

WO2006003086A8 INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT COMPRISING A PIN DIODE, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：具有PIN二极管和方法集成电路
公开(公告)号：WO2006003086A8
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/EP2005052809
申请日：2005-06-17
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LANGGUTH GERNOT , MUELLER KARLHEINZ , WILLE HOLGER
发明人： LANGGUTH GERNOT , MUELLER KARLHEINZ , WILLE HOLGER
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/146 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L27/14681
摘要： Disclosed is an integrated circuit arrangement (10), among other things, comprising a pin photodiode (14) and a highly doped connecting area (62) of a bipolar transistor (58). An ingenious method allows a very deep intermediate area (30) of the pin diode (14) to be produced without autodoping in a central area.
摘要翻译：除了别的以外，集成电路组件（10），其包括一个pin光电二极管（14）和双极型晶体管（58）的烹饪掺杂连接区（62）进行说明包含。通过一个聪明的过程管理，pin二极管（14）的中间部分（30）产生具有大深度，没有在中心区域的自动掺杂。

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