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1. 发明申请

WO2022073863A2 MEHRFACHSOLARZELLE UND VERWENDUNG EINER MEHRFACHSOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022073863A2
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/EP2021/077077
申请日：2021-10-01
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG
发明人： LACKNER, David , HÖHN, Oliver , BLÄSI, Benedikt , OHLMANN, Jens , DIMROTH, Frank , SCHÖN, Jonas
IPC分类号： H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0693
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Mehrfachsolarzelle (1) mit zumindest zwei Teilzellen (2, 3), wobei zumindest eine Teilzelle (2, 3) aus einem direkten Halbleiter gebildet ist, mit einer Licht zugewandten oberen Teilzelle (2) und einer Licht abgewandten unteren Teilzelle (3), wobei eine obere Bandlücke der oberen Teilzelle (2) größer als eine untere Bandlücke der unteren Teilzelle (3) ist, und wobei auf der Licht abgewandten Seite der unteren Teilzelle (3) eine Zwischenschicht (4) angeordnet ist. Die Erfindung zeichnet aus, dass auf einer Licht abgewandten Seite der Zwischenschicht (4) ein optisches Element (5) umfassend ein unteres Spiegelelement (6) angeordnet ist, wobei das optische Element (5) ein Teilelement (7) mit mehreren Strukturelementen (8) umfasst, welche unmittelbar oder mittelbar an der Licht abgewandten Seite der Zwischenschicht (4) in einer lateralen Richtung (15) angeordnet sind, und dass das Teilelement (7) und das untere Spiegelelement (6) aus einem gleichen Material ausgebildet sind und die Strukturelemente (8) einen mittleren Abstand (X) kleiner oder gleich dem 1,3-fachen eines Abstandswerts (A) aufweisen, wobei sich der Abstandswert (A) aus einem Verhältnis aus einer der unteren Bandlücke zugeordneten Wellenlänge zu einem Brechungsindex der unteren Teilzelle (3) ergibt oder dass das untere Spiegelelement (6) als ein planer Spiegel mit einer Rauigkeit mit einem Effektivwert kleiner 50nm, bevorzugt kleiner 20 nm ausgebildet ist, wobei zwischen dem Teilelement (7) und dem unteren Spiegelelement (6) zumindest eine Trennschicht (9) ausgebildet ist.

2. 发明申请

WO2014122308A1 MEHRFACHSOLARZELLE, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG UND VERWENDUNGEN HIERVON 审中-公开
标题翻译：多结太阳能电池，方法及其用途体和
公开(公告)号：WO2014122308A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：PCT/EP2014/052552
申请日：2014-02-10
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： DIMROTH, Frank , BETT, Andreas W.
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L21/18 , H01L31/0687 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/02168 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/041 , H01L31/054 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , Y02E10/544
摘要： Es wird eine Mehrfachsolarzelle mit mindestens drei pn-Übergängen vorgeschlagen, welche eine rückseitige, mindestens einen pn-Übergang aufweisende Teilzelle enthaltend GaSb und eine vorderseitige und mindestens zwei pn-Übergänge aufweisende Teilzelle enthält und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die rückseitige Teilzelle eine ≥ 2 %, insbesondere > 4 %, größere Gitterkonstante aufweist als die vorderseitige Teilzelle und die beiden Teilzellen über eine optisch transparente und elektrisch leitfähige Wafer-Bond Verbindung miteinander verbunden sind. Die Mehrfachsolarzelle erreicht eine hohe Absorption bis zur Bandlückenenergie der untersten GaSb-enthaltenden Teilzelle und eine Photospannung, welche gegenüber Mehrfachsolarzellen aus dem Stand der Technik erhöht ist. Ferner werden Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle vorgestellt und Verwendungen der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle angegeben.
摘要翻译：它提出了一种具有至少三个pn结的多结太阳能电池，包括一个背面，至少含有锑化镓和前侧和至少两个PN结具有部分细胞和其中具有pn结部的细胞的特征在于，所述背面部分细胞是≥2 ％，在通过光学透明且导电的晶片键特定>较大的4％的晶格比细胞和两个子电池的前部常数相互连接。多结太阳能电池实现了高的吸收，以含有的GaSb-最低部分的带隙能量，并且相对于多结现有技术的太阳能电池增加光电池电压。此外，方法提出了用于生产本发明的多结太阳能电池，并表示本发明的多结太阳能电池中的用途。

3. 发明申请

WO2023021002A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN VON HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2023021002A1
公开(公告)日：2023-02-23
申请号：PCT/EP2022/072777
申请日：2022-08-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： DÖRSAM, Tobias , DIMROTH, Frank , BALIOZIAN, Puzant , RICHTER, Armin
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/78
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen (5), mit einem Verfahrensschritt A mit Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks (1 ) mit einem Trägersubstrat (2) und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (5), wobei die Halbleiterbauelemente (5) zumindest eine an einer Vorderseite des Trägersubstrats (2) angeordnete funktionale Halbleiterschicht (3), welche als Ill-V-Verbindungshalbleiter ausgebildet ist, und zumindest eine an einer Rückseite des Trägersubstrats (2) angeordnete metallische Rückseitenkontaktierungsschicht (4) aufweisen, und mit einem Verfahrensschritt B mit Durchtrennen des Halbleiterwerkstücks (1 ) entlang einer Mehrzahl von Trennstrecken, um die Halbleiterbauelemente (5) zu Vereinzeln. Wesentlich ist, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: in einem Verfahrensschritt B1 wird an der Rückseite des Trägersubstrats (2) entlang der Trennstrecken die metallische Rückseitenkontaktierungsschicht (4) der Halbleiterbauelemente (5) durchtrennt und zumindest in Teilbereichen der Trennstrecken wird ein Trenngraben (9) an der Rückseite des Trägersubstrats (2) mittels Ablation durch Laserstrahlung erzeugt und in einem Verfahrensschritt B2 erfolgt entlang der Trennstrecken ein Durchtrennen des Trägersubstrats (2) durch Energieeintrag in das Trägersubstrat (2) mittels Laserstrahlung, wobei das Trägersubstrat (2) unterhalb der Schmelztemperatur des Trägersubstrats (2) erwärmt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin ein vereinzeltes Halbleiterbauelement (2).

4. 发明申请

WO2005112132A1 TRANSPARENTER KONTAKT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：透明接触和方法及其
公开(公告)号：WO2005112132A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/EP2005/005249
申请日：2005-05-13
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , DIMROTH, Frank
发明人： DIMROTH, Frank
IPC分类号： H01L31/0304
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L31/0224 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10T428/12028
摘要： Verfahren zur Herstellung eines transparenten, niederohmigen Kontaktes auf einem Substrat, bei welchem eine Schichtenabfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten Schicht und einer dritten Schicht auf das Substrat aufgebracht wird, wobei die erste Schicht aus einem A1 n Ga 1-n As m Sb 1-m enthaltenden Material hergestellt wird, worauf in vorbestimmten Raumbereichen eine In x Ga 1-x As y Sb 1-y enthaltende Schicht aufgebracht wird und auf die In x Ga 1-x As y Sb 1-y enthaltenden Bereiche der zweiten Schicht zumindest teilweise eine Schicht aus einem Metall oder einer Legierung aufgebracht ist, wobei die Parameter x und y aus dem Intervall von 0.9 bis 1.0, der Parameter n aus dem Intervall von 0.3 bis 1 und der Parameter m aus dem Intervall von 0.0 bis 0.1 ausgewählt sind.
摘要翻译：一种用于制造基底，其中一个层序列是从第一层，第二层和所述基板上的第三层，其中第一层由含A1nGa1-nAsmSb1米的材料涂布在透明的，低电阻的接触过程中，于是涂布含有在预定的空间区域和INX GA1-X ASY Sb1中-y层的INX GA1-X ASY Sb1中-y是至少部分地由金属构成的层或合金沉积含有的间隔的第二层，所述参数x和y的部分 0.9到1.0，从间隔0.3至1和从0.0至0.1的间隔参数m的参数n被选择。

5. 发明公开

EP4226430A2 MEHRFACHSOLARZELLE UND VERWENDUNG EINER MEHRFACHSOLARZELLE 审中-实审
公开(公告)号：EP4226430A2
公开(公告)日：2023-08-16
申请号：EP21786441.2
申请日：2021-10-01
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. , Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
发明人： LACKNER, David , HÖHN, Oliver , BLÄSI, Benedikt , OHLMANN, Jens , DIMROTH, Frank , SCHÖN, Jonas
IPC分类号： H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0693

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