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1. 发明申请

WO2011103994A1 WAFER EQUIVALENT, METHOD FOR PRODUCING IT AND USE 审中-公开
标题翻译： WAFER等效方法的生产和使用
公开(公告)号：WO2011103994A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/EP2011000826
申请日：2011-02-21
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG , JANZ STEFAN , MITCHELL EMILY , LINDEKUGEL STEFAN
发明人： ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG , JANZ STEFAN , MITCHELL EMILY , LINDEKUGEL STEFAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/02 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02436 , H01L21/02573 , H01L21/02667 , H01L31/035281 , H01L31/03921 , H01L31/068 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to a method for producing a wafer equivalent, in which doped semiconductor layers are applied to a perforated substrate and subsequently crystallized. The present invention likewise relates to a wafer equivalent produced by the above method, and intended uses of said wafer equivalent.
摘要翻译：本发明涉及一种制造晶片等同物的方法，可以在其中掺杂成的多孔基片的半导体层和在所述连接器中结晶来施加。另外，本发明涉及一种具有在晶片等效及其使用上述方法制造的产品。

2. 发明申请

WO2010057613A3 TANDEM SOLAR CELL MADE FROM CRYSTALLINE SILICON AND CRYSTALLINE SILICON CARBIDE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：叠层太阳能电池和晶体碳化硅晶体硅，及其制备方法
公开(公告)号：WO2010057613A3
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/EP2009008163
申请日：2009-11-17
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , JANZ STEFAN , REBER STEFAN
发明人： JANZ STEFAN , REBER STEFAN
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/06 , H01L21/04 , H01L21/205 , H01L31/052 , H01L31/0725 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/0445 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L31/0725 , H01L31/1816 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to photovoltaic tandem solar cells made from crystalline silicon and crystalline silicon carbide, having a Si/C intermediate layer. Furthermore, the invention relates to a method for producing tandem solar cells.
摘要翻译：本发明涉及串列式光伏太阳能电池由晶体硅，和具有Si / C中间层结晶碳化硅。此外，本发明描述了一种生产叠层型太阳能电池的方法。

3. 发明专利

ES2732098T3 Módulo solar de capas delgadas con interconexión integrada así como procedimiento para su fabricación 未知
公开(公告)号：ES2732098T3
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：ES12731322
申请日：2012-06-04
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV FREIBURG ALBERT LUDWIGS
发明人： JANZ STEFAN , LINDEKUGEL STEFAN , REBER STEFAN , JAUS JOACHIM , SCHILLINGER KAI , RACHOW THOMAS , BARTSCH JONAS
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L27/142 , H01L31/0465 , H01L31/18
摘要： Módulo solar a base de capas delgadas con la interconexión integrada de al menos dos células solares, que contiene a) un sustrato (1) no eléctricamente conductor; o b) un sustrato (1) eléctricamente conductor; con una capa de barrera (2) no eléctricamente conductora, sobre la que está depositada una estructura de capas que contiene al menos una capa semiconductora (3) cristalina con una primera dotación así como al menos una capa semiconductora (4) cristalina con una segunda dotación contraria a la primera dotación, en el cual el módulo solar presenta entre las distintas células solares fosas de separación (5) aislantes en las que se ha eliminado la estructura de capas, y en el cual al menos en una parte de las fosas de separación (5) y al menos en zonas de la estructura de capas están depositados un contacto emisor (7) y un contacto de base (8) por medio de deposición en fase gaseosa, pulverización, bombardeo iónico, impresión o procedimiento de aplicación por vaporización, caracterizado por que las fosas de separación presentan un aislamiento de flanco (6') en forma de una capa de nitruro o carburo impresa, aplicada por vaporización, depositada o crecida, en el cual el sustrato en su totalidad está encapsulado completamente con la capa de barrera, en el cual la capa de barrera está compuesta por una capa de nitruro o una capa de carburo o combinaciones de estas o las contiene sustancialmente, en el cual la capa de barrera presenta un grosor de 100 nm a 100 μm, y en el cual la estructura de capas presenta una capa aislante (6) frontal que constituye una capa de pasivación.

4. 发明专利

ES2880739T3 Dispositivo y procedimiento para la producción continua de capas de silicio poroso 未知
公开(公告)号：ES2880739T3
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：ES14776891
申请日：2014-09-29
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： REBER STEFAN , LINDEKUGEL STEFAN , PAVLOVIC REGINA , JANZ STEFAN
IPC分类号： H01L21/67 , C25F3/12 , C25F3/14 , C25F7/00 , H01L21/677
摘要： Dispositivo para la producción continua de capas de silicio poroso sobre piezas (3) de trabajo de silicio o sobre una pieza (3) de trabajo con un revestimiento de silicio mediante grabado unilateral, que comprende: - al menos un dispositivo (7) de transporte para el transporte continuo de la pieza (3) de trabajo; - más de una cámara (6) de grabado que comprende un electrolito (5) y un cátodo (2), que están dispuestos de tal modo que solo se puede humedecer con el electrolito (5) una superficie de la pieza (3) de trabajo que ha de ser grabada; y - un ánodo (4) que está en contacto eléctrico con la pieza (3) de trabajo en una superficie que no ha de ser grabada, mediante una unidad de contacto; estando dispuestas las cámaras (6) de grabado por debajo de la pieza (3) de trabajo.

5. 发明专利

DE102018123397A1 Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit einem Heteroübergang und einem eindiffundiertem Emitterbereich 未知
公开(公告)号：DE102018123397A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：DE102018123397
申请日：2018-09-24
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： HERMLE MARTIN , JANZ STEFAN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/22 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L31/074
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit mindestens einem eindiffundierten Diffusionsbereich und mindestens einem Heteroübergang, mit den VerfahrensschrittenA. Bereitstellen mindestens eines Halbleitersubstrats mit einer Basisdotierung;B. Erzeugen des Heteroübergangs an einer Rückseite des Halbleitersubstrats, welcher Heteroübergang mit einer dotierten, siliziumhaltigen Heteroübergangsschicht und einer mittelbar oder unmittelbar zwischen Heteroübergangsschicht und Halbleitersubstrat angeordneten dielektrischen Tunnelschicht ausgebildet wird,C. Texturieren der Oberfläche des Halbleitersubstrats zumindest an einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite des Halbleitersubstrats;D. Erzeugen des Diffusionsbereiches an der Vorderseite des Halbleitersubstrats durch Eindiffundieren zumindest eines Diffusions-Dotierstoffes mit einem der Basisdotierung entgegengesetzten Dotierungstyp in das Halbleitersubstrat;Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die vorgenannten Verfahrensschritte - mit oder ohne Zwischenschaltung weiterer Verfahrensschritte - in der Reihenfolge A-C-B-D durchgeführt werden, dass in Verfahrensschritt D der Diffusionsbereich mittels Diffusion aus der Gasphase bei einer Temperatur im Bereich 700°C bis 1200°C in einer sauerstoffarmen Atmosphäre bei Zufuhr eines den Dotierstoff enthaltenden Dotier-Gasgemisches erzeugt wird, dass nach Verfahrensschritt D - mit oder ohne Zwischenschaltung weiterer Verfahrensschritte - zumindest in einem Verfahrensschritt D1 eine Temperaturbehandlung bei einer Temperatur im Bereich 700°C bis 1200°C ohne Zufuhr des Dotier-Gasgemisches erfolgt, um den Diffusions-Dotierstoff in das Halbleitersubstrat einzutreiben und um die dotierte Heteroübergangsschicht zu aktivieren und dass Verfahrensschritte D und D1 in-situ durchgeführt und währenddessen die Rückseite des Halbleitersubstrates durch ein diffusionshemmendes Element geschützt wird, welches nicht Bestandteil der Solarzelle ist.

6. 发明专利

DE102009031357A1 Kristalline Siliciumschicht auf einem Substrat, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung 未知
公开(公告)号：DE102009031357A1
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：DE102009031357
申请日：2009-07-01
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , ALBERT LUDWIGS UNI
发明人： JANZ STEFAN , LINDEKUGEL STEFAN , REBER STEFAN
IPC分类号： H01L21/324 , C30B13/24 , H01L21/20 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Siliciumschicht auf einem Substrat, bei der eine Abscheidung einer Metallschicht auf einem Substrat und anschließende Abscheidung einer Siliciumschicht auf der Metallschicht erfolgt. Im Anschluss wird eine zonengeführte Erwärmung der Siliciumschicht durchgeführt und schließlich die Metallschicht abgetragen. Erfindungsgemäß wird ebenso die so hergestellte kristalline Siliciumschicht bereitgestellt. Verwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Sensoren, Silicium-basierten Leuchtdioden, Flachbildschirmen oder optischen Filtern.

7. 发明专利

DE102021108992A1 Verfahren zur Präparation eines Germaniumsubstrats und Germaniumsubstratstruktur für ein epitaktisches Aufwachsen einer Germaniumschicht 未知
公开(公告)号：DE102021108992A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE102021108992
申请日：2021-04-12
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： JANZ STEFAN , SCHREIBER WALDEMAR
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/20 , H01L31/0312 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Präparation eines Germaniumsubstrats für ein epitaktisches Aufwachsen einer Germaniumschicht, mit den Verfahrensschritten:A. Bereitstellen eines Germaniumsubstrats mit einer Bearbeitungsseite und einer der Bearbeitungsseite gegenüberliegenden Rückseite und elektrochemisches Ätzen zumindest der Bearbeitungsseite des Germaniumsubstrats mit zumindest den Ätzschritten:A.1 Ätzen der Bearbeitungsseite, wobei die Bearbeitungsseite alternierend in einem Anodenpuls als Anode und in einem Kathodenpuls als Kathode polarisiert wird,A.2 Passivieren der Bearbeitungsseite des Germaniumsubstrats, wobei die Bearbeitungsseite als Kathode polarisiert wird;A.3 Ätzen der Bearbeitungsseite, wobei die Bearbeitungsseite alternierend in einem Anodenpuls als Anode und in einem Kathodenpuls als Kathode polarisiert wird;B. Reorganisieren der Bearbeitungsseite, wobei eine Erwärmung des Germaniumsubstrats auf eine Temperatur größer 500°C erfolgt.Die Erfindung betrifft weiterhin eine Germaniumsubstratstruktur.

8. 发明专利

DE102020103197A1 Halbleiterstruktur für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterstruktur 未知
公开(公告)号：DE102020103197A1
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：DE102020103197
申请日：2020-02-07
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： JANZ STEFAN , BETT ANDREAS
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/04 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterstruktur für ein Halbleiterbauelement, mit einer Halbleiterschicht (2) zum Ausbilden zumindest eines Halbleiterbauelementes, welche mittelbar auf einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist. Wesentlich ist, dass zwischen Halbleitersubstrat (1) und Halbleiterschicht (2) ausgehend von dem Halbleitersubstrat (1) zumindest die folgenden Schichten in der Reihenfolge A, B ,C mit oder ohne Zwischenschaltung weiterer Schichten angeordnet sindA. eine hochporöse Schicht (3) mit einer Porosität größer 50% und einer Dicke im Bereich 0,1 µm bis 1 µm,B. eine funktionale Zwischenschicht (4) mit einer Porosität im Bereich 5% bis 90% und einer Dicke im Bereich 0,1 µm bis 5 µm, eine poröse Wachstumsvorlageschicht (5) mit einer Porosität kleiner 50% und einer Dicke im Bereich 0,5 µm bis 5 µm undC. eine geschlossene Wachstumsvorlageschicht (6) mit einer Porosität kleiner 5%, insbesondere kleiner 1% und einer Dicke im Bereich 1 nm bis 100 nm,wobei die geschlossene Wachstumsvorlageschicht (6) eine Gitterkonstante aufweist, welche um weniger als 10% von der Gitterkonstante der Halbleiterschicht (2) abweicht,dass das Halbleitersubstrat (1) und die Halbleiterschicht (2) eine um zumindest 1 Massenprozent abweichende stoffliche Zusammensatzung aufweisen, dass das Halbleitersubstrat (1) und die Halbleiterschicht (2) eine unterschiedliche Gitterkonstante aufweisen und dass Halbleitersubstrat (1) und Halbleiterschicht (2) über die dazwischenliegenden Schichten elektrisch leitend verbunden sind. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleiterstruktur.

9. 发明申请

WO2008138609A2 REFLECTIVELY COATED SEMICONDUCTOR COMPONENT METHOD FOR PRODUCTION AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：反射镀膜半导体部件，加工生产同样及其用途
公开(公告)号：WO2008138609A2
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/EP2008003877
申请日：2008-05-14
申请人： FRAUHOFER GES ZUR FOERDERUNG D , JANZ STEFAN , REBER STEFAN
发明人： JANZ STEFAN , REBER STEFAN
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/052
CPC分类号： H01L31/056 , H01L31/02327 , Y02E10/52
摘要： The invention relates to a reflectively coated semiconductor component, with a semiconductor layer, a functional layer essentially made from silicon and carbon and at least one further layer essentially made from silicon and carbon. Said further layer functions as reflector for light incident on the semiconductor component. The invention further relates to a method for producing such semiconductor components. Said semiconductor components are used, in particular, as solar cells or as components in sensors or optical filters.
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体层，功能性的，基本上由硅和碳层的经过反射涂覆的半导体装置，和至少一个另外的，基本上由硅和碳层构成。此附加层充当入射到半导体装置的光的反射器。本发明还涉及一种用于制造这种半导体器件的方法。使用时，半导体元件特别是太阳能电池或作为传感器的元件，或者光学滤光器。

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