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    • 2. 发明专利
    • Feldeffekttransistor mit piezoelektrischem Ladungsgenerator
    • DE102008023517B4
    • 2018-04-05
    • DE102008023517
    • 2008-05-15
    • FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
    • SCHWARZMANN HOLGERBERBERICH SVEN
    • H01L41/107H01L29/78H01L41/083
    • Feldeffekttransistor, mit folgenden Merkmalen: einem Halbleitersubstrat (62); einem Drain-Gebiet (64) und einem Source-Gebiet (66), die in dem Halbleitersubstrat (62) angeordnet sind; einem Gate, das über einem Kanalgebiet zwischen dem Drain-Gebiet (64) und dem Source-Gebiet (66) angeordnet ist, und ein Gateoxid (67) und einen Gate-Anschluss (68) aufweist; und einem Ladungsgenerator (10; 20; 30; 40; 50) zum Laden oder Entladen einer Gate-Kapazität des Feldeffekttransistors, wobei der Ladungsgenerator auf dem Gate angeordnet ist und folgende Merkmale aufweist: ein erstes Bauteil (12) mit einem ersten piezoelektrischen Bereich (14) zwischen ersten elektrischen Anschlüssen (16a; 16b), wobei einer der ersten elektrischen Anschlüsse (16a) des ersten Bauteils (12) über Durchkontaktierungen (69) mit dem Gate-Anschluss (68) verbunden ist; und ein zweites Bauteil (18), das mit dem ersten Bauteil (12) mechanisch gekoppelt ist, um eine mechanische Verformung des ersten piezoelektrischen Bereichs (14) zu bewirken, so dass zwischen den ersten elektrischen Anschlüssen (16a; 16b) aufgrund eines direkten Piezoeffekts eine Spannung (Uout) abgegriffen werden kann, wobei das zweite Bauteil (18) einen zweiten piezoelektrischen Bereich (24) zwischen zweiten elektrischen Anschlüssen (26a; 26b) aufweist, um durch Anlegen einer Steuerspannung (Uin) mit einer ersten Polarität an die zweiten elektrischen Anschlüsse (26a; 26b) eine mechanische Verformung des zweiten piezoelektrischen Bereichs (24) zu bewirken, die durch die mechanische Kopplung auf den ersten piezoelektrischen Bereich (14) des ersten Bauteils (12) übertragen wird, so dass elektrische Ladungsträger erzeugt werden, die zwischen den ersten elektrischen Anschlüssen (16a; 16b) eine Spannung (Uout) mit einer zweiten Polarität bewirken, um die Gate-Kapazität des Feldeffekttransistors entsprechend der zweiten Polarität über den ersten elektrischen Anschluss (16a), der potentialtechnisch von den zweiten elektrischen Anschlüssen (26a; 26b) entkoppelt ist, zu laden oder zu entladen.