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1. 发明申请

WO2006029607A1 GUNN-DIODE 审中-公开
标题翻译：耿氏二极管
公开(公告)号：WO2006029607A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/DE2005/001612
申请日：2005-09-14
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , FÖRSTER, Arno , MONTANARI, Simone , LÜTH, Hans , LEPSA, Mihail, Ion
发明人： FÖRSTER, Arno , MONTANARI, Simone , LÜTH, Hans , LEPSA, Mihail, Ion
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Gunn-Diode, umfassend einen, einen Gunn-Effekt ausübenden aktiven Bereich (2) und einen Injektor (4, 5, 6), dadurch gekennzeichnet, dass der Injektor einen Energiebandpassfilter für die in den aktiven Bereich injizierten Elektronen umfasst. Der Energiebandpassfilter ist viertagsweise als Resonanztunneldiode bestehend aus Barriereschichten (5a, 5c) und einer Zwischenschicht (5b) ausgelegt.
摘要翻译：本发明涉及一种耿氏二极管，其包括，一个耿氏效果的发挥活性区域（2）和喷射器（4，5，6），其特征在于，所述喷射器包括用于注入到有源区中的电子电流的能量带通滤波器。的能量带通滤波器被设计为4个标签由作为阻挡层（图5a，图5c）的谐振隧穿二极管和中间层（5B）。

2. 发明申请

WO2004061990A2 SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：层序列
公开(公告)号：WO2004061990A2
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/DE2003/003867
申请日：2003-11-21
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
发明人： FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schichtenfolge für eine Gunn-Diode. Die Schichtenfolge umfasst eine Abfolge aufeinander angeordneter Schichten mit einer ersten hochdotierten n d -GaAs-Schicht (3), einer auf der ersten hochdotierten Schicht (3) angeordneten gegradeten Schicht aus AlGaAs (5), wobei die Aluminium-Konzentration dieser Schicht von der Grenzfläche zur ersten n d -GaAs-Schicht (3) ausgehend in Richtung der gegenüberliegenden Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) abnimmt, und einer zweiten hochdotierten n + -Schicht (7). An mindestens einer Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) zu einer der hochdotierten Schichten (3, 7) ist eine undotierte Zwischenschicht (4, 6) als Diffusions- bzw. Segregationsstopschicht angeordnet, die eine ungewollte Dotierung der gegradeten Schicht unterbindet.
摘要翻译：本发明涉及用于耿氏二极管的层序列。层序列依次包括具有第一高度掺杂的n <子> d GaAs层（3），设置在第一重掺杂层上的一个（3）的AlGaAs的gegradeten层（5），其中，所述铝布置在层的顺序该层的浓度从界面到第一nDasGaAs层（3）朝着AlGaAs层（5）的相对边界表面减小，并且第二重掺杂的 n ^{+ 图层（7）。 AlGaAs层（5）的高掺杂层中的至少一个边界BEAR表面（3,7）是一个未掺杂的中间层（4,6）布置成其防止gegradeten层的无意掺杂<扩散或偏析阻挡层。 / p>}

3. 发明公开

EP1573829A2 SCHICHTENFOLGE 有权
标题翻译：耿氏二极管
公开(公告)号：EP1573829A2
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：EP03788806.2
申请日：2003-11-21
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： The invention relates to a layered construction for a Gunn diode. The layered construction comprises a series of stacked layers consisting of a first highly doped nd GaAs layer (3), a graded AlGaAs layer (5), which is placed upon the first highly doped layer (3), whereby the aluminum concentration of this layer, starting from the boundary surface to the first nd GaAs layer (3), decreases toward the opposite boundary surface of the AlGaAs layer (5), and of a second highly doped n+ layer (7). An undoped intermediate layer (4, 6) serving as a diffusion or segregation stop layer is placed on at least one boundary surface of the AlGaAs layer (5) to one of the highly doped layers (3, 7) and prevents an unwanted doping of the graded layer.

4. 发明授权

EP1573829B1 GUNN-DIODE 有权
标题翻译：耿氏二极管
公开(公告)号：EP1573829B1
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：EP03788806.2
申请日：2003-11-21
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： The invention relates to a layered construction for a Gunn diode. The layered construction comprises a series of stacked layers consisting of a first highly doped nd GaAs layer (3), a graded AlGaAs layer (5), which is placed upon the first highly doped layer (3), whereby the aluminum concentration of this layer, starting from the boundary surface to the first nd GaAs layer (3), decreases toward the opposite boundary surface of the AlGaAs layer (5), and of a second highly doped n layer (7). An undoped intermediate layer (4, 6) serving as a diffusion or segregation stop layer is placed on at least one boundary surface of the AlGaAs layer (5) to one of the highly doped layers (3, 7) and prevents an unwanted doping of the graded layer.

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