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1. 发明申请

WO2003046972A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046972A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/004237
申请日：2002-11-16
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
发明人： KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/321
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen (24') im Nanometerbereich aus vorhandenen, grösseren Strukturen (24). Dabei wird ein elastisches Spannungsfeld in einer bereits strukturierten Schicht (22) und gegebenenfalls in einem Substrat erzeugt. Abschliessend erfolgt ein spannungsabhängiger Diffusions- oder Reaktionsprozess, bei dem durch Materialtransport die vorhandene Struktur (24) reproduzierbar verkleinert (24') wird.

2. 发明申请

WO2002071452A2 VERFAHREN ZUR SUBMIKROMETER-STRUKTURIERUNG VON SILIZIDEN SOWIE DADURCH HERGESTELLTE BAUTEILE 审中-公开
标题翻译：方法亚微米结构自杀，因此生产的部件
公开(公告)号：WO2002071452A2
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：PCT/DE2002/000387
申请日：2002-02-02
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , ZHAO, Quing-Tai , KLUTH, Patrick , MANTL, Siegfried
发明人： ZHAO, Quing-Tai , KLUTH, Patrick , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/66606 , H01L21/28123 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L29/66545
摘要： Die Erdindung betrifft ein selbst ausrichtendes Strukturierungsverfahren zur Herstellung von Submikrometer-Strukturen in Silizidschichten auf einem Substrat. Zunächst wird eine Metallschicht auf ein Substrat aufgebracht, welches zusammen mit dem Substrat zu einer Silizidschicht reagieren kann. Anschliessend werden Masken auf die Metallschicht aufgebracht. Die Spannungsverteilung, die durch die Maske Einschnitte, d. h. Einkerungen, bis zur Oberfläche der ausgebildeten Metallschicht erzeugt werden. Am Boden eines Einschnitts ist das Spannungsfel regelmässig grösser. Eine spannungsabhängige Festkörperreaktion (Silizidierung) erzeugt dann die gewünschte Nanometer-Strukturierung der gebildeten Silizidschicht, beispeilsweise erfolgt die Silizidierungsreaktion nur in dem Bereich unterhalb der Maske, während am Boden des Einschnitts keine Slilizidierungsreaktion erfolgt. Auf diese Weise können vorteilhaft verschiedene MOSFETs zusammen mit einigen weiteren Prozessschritten hergestellt werden.
摘要翻译：地球的粪涉及一种用于在基板上硅化物层的制造亚微米结构的自对准图案化的方法。首先，将金属层施加到基材上，其可以与所述基板的硅化物层进行反应。然后掩模施加到所述金属层。通过掩模切口的应力分布，D。小时。 Einkerungen被产生以所形成的金属层的表面上。在该定期Spannungsfel大切口的底部。电压依赖性固态反应（硅化）然后产生形成beispeilsweise硅化硅化物层的期望的纳米结构化仅发生在掩模下方的区域，而没有Slilizidierungsreaktion发生在切口的底部。以这种方式，有利地不同的MOSFET可与一些附加的工艺步骤产生沿。

3. 发明申请

WO2003092058A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ODER MEHRERER EINKRISTALLINER SCHICHTEN MIT JEWEILS UNTERSCHIEDLICHER GITTERSTRUKTUR IN EINER EBENE EINER SCHICHTENFOLGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003092058A3
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/DE2003/001315
申请日：2003-04-22
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MANTL, Siegfried , HOLLÄNDER, Bernhard , ZHAO, Quing-Tai
发明人： MANTL, Siegfried , HOLLÄNDER, Bernhard , ZHAO, Quing-Tai
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer einkristalliner Schichten mit jeweils unterschiedlicher Gitterstruktur in einer Ebene für ein elektronisches Bauelement zur Herstellung eines System an a chip. Des weiteren betrifft die Erfindung ein eine oder mehrere solcher Schichten enthaltende Bauelemente, wie MOSFETs, MODFETs, resonante Tunneldioden und / oder Photodetektoren.

4. 发明申请

WO2003092058A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ODER MEHRERER EINKRISTALLINER SCHICHTEN MIT JEWEILS UNTERSCHIEDLICHER GITTERSTRUKTUR IN EINER EBENE EINER SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：用于生产每个单晶硅不同的网格结构的一个或更多层的图层中的序列的LEVEL
公开(公告)号：WO2003092058A2
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/DE2003/001315
申请日：2003-04-22
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , MANTL, Siegfried , HOLLÄNDER, Bernhard , ZHAO, Quing-Tai
发明人： MANTL, Siegfried , HOLLÄNDER, Bernhard , ZHAO, Quing-Tai
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , H01L21/823807 , H01L21/823892 , H01L29/66151 , H01L29/66242 , H01L29/66431 , H01L29/66916
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer einkristalliner Schichten mit jeweils unterschiedlicher Gitterstruktur in einer Ebene für ein elektronisches Bauelement zur Herstellung eines System an a chip. Des weiteren betrifft die Erfindung ein eine oder mehrere solcher Schichten enthaltende Bauelemente, wie MOSFETs, MODFETs, resonante Tunneldioden und / oder Photodetektoren.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备一种或多种的单晶层各自具有不同的晶格结构的平面中用于生产的芯片的系统的电子元件。此外，本发明涉及一种一种或多种含组分，诸如MOSFET，MODFETs，谐振隧穿二极管和/或光电检测器这样的层。

5. 发明申请

WO2003046972A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产层上的衬底
公开(公告)号：WO2003046972A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/004237
申请日：2002-11-16
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
发明人： KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/3105 , H01L21/31662
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen im Nanometerbereich aus vorhandenen, grösseren Strukturen. Dabei wird ein elastisches Spannungsfeld in einer bereits strukturierten Schicht und gegebenenfalls in einem Substrat erzeugt. Abschliessend erfolgt ein spannungsabhängiger Diffusions- oder Reaktionsprozess, bei dem durch Materialtransport die vorhandene Struktur reproduzierbar verkleinert wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在从现有的，较大的结构纳米范围内的生产结构的方法。在这种情况下，在一个已经结构化层中产生的弹性应力场并且如果合适在一个衬底上。最后，携带的电压依赖性扩散或反应过程，其中现有的结构是通过材料输送降低再现的。

6. 发明申请

WO2002071460A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRUKTUREN IM NANOMETERBEREICH 审中-公开
标题翻译：过程在纳米范围内的结构PRODUCING
公开(公告)号：WO2002071460A2
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：PCT/DE2002/000301
申请日：2002-01-29
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
发明人： KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： H01L21/32132 , H01L21/28537 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76888
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur herstellung von Strukturen und insbesondere Drähten im nanometerbereich aus einer zu strukturierenden Schicht. Die zu strukturierende Schicht ist zwischen einem Substrat und einer Maskenstruktur, die auf der zu strukturierenden Schicht gebildet wird, angeordnet, Die Maskenstruktur erzeugt an Ihren Kanten ein elastisches Spannungsfeld in der zu strukturierenden Schicht und im Substrat. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die Schritte: - maskierte Bereiche der zu strukturierenden Schicht werden von nicht maskierten Bereichen zur Bildung einer ersten Struktur voneinander getrennt, - die elastische spannung wird lateral zur Oberfläche der zu strukturierenden Schicht verschoben, - Bereiche der zu strukturierenden Schicht werden durch eine spannungsabhängige Diffusion zur Bildung einer zweiten Struktur voneinander getrennt. Auf diese Weise lassen sichunter Verwendung weiterer lokal aufgebrachter Schutzschichten Strukturen und insbesondere Drähte mit einer Breite von 10-500 nm herstellen . Diese können für elektronische Bauelemente, z. B. in der halbleiter-Technologie, verwendet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产结构的过程，并在从一个层中的纳米范围内特定导线要被图案化。要结构设置在衬底和形成在所述层上形成掩模图案之间的层将被图案化，在它们的边缘所产生的掩模结构，在该层中的弹性应力场，以被构造和在该基板。其特征在于由以下步骤的方法： - 在待结构从未掩蔽区域被分离的层的掩蔽区域，以形成第一结构 - 弹性应力横向移动到该层的表面被结构化， - 要结构被携带的层的部分从彼此分离的电压依赖性扩散以形成第二结构。以这种方式sichunter使用其他局部地施加的保护层的结构，并与所产生的10-500纳米的宽度特定导线。这可用于这样的电子元件。随着半导体技术被使用。

7. 发明公开

EP1449244A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产层上的衬底
公开(公告)号：EP1449244A2
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：EP02787365.2
申请日：2002-11-16
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/3105 , H01L21/31662
摘要： The invention relates to a method for the production of structures (24') in the nanometer range from larger, existing structures (24). An elastic strain field in generated in an already structured layer (22) and optionally in a substrate. A strain-dependent diffusion and reaction process subsequently takes place, wherein the existing structure (24) can be reduced in a reproducible manner (24') by means of material transport.

8. 发明授权

EP1364394B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRUKTUREN IM NANOMETERBEREICH 有权
标题翻译：过程在纳米范围内的结构PRODUCING
公开(公告)号：EP1364394B1
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：EP02706639.8
申请日：2002-01-29
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： KLUTH, Patrick , ZHAO, Quing-Tai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/285 , B81C1/00 , H01L21/321 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/335 , H01L21/74 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/32132 , H01L21/28537 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76888
摘要： The invention relates to a method for producing structures and, in particular, wires on the nanometric scale from a layer to be structured. The layer to be structured is arranged between a substrate and a mask structure that is formed on the layer to be structured. The mask structure, on the edges thereof, produces an elastic stress field in the layer to be structured and in the substrate. The method is characterized by the following steps: masked areas of the layer to be structured are separated from one another by non-masked areas in order to form a first structure; the elastic stress is laterally shifted in relation to the surface of the layer to be structured, and; areas of the layer to be structured are separated from one another by a stress-dependent diffusion in order to form a second structure. By using additional locally applied protective layers, this enables the production of structures and, in particular, wires having a width of 10-500 nm. These structures can be used for electrical components, e.g. in the field of semiconductor technology.

9. 发明公开

EP1364395A2 VERFAHREN ZUR SUBMIKROMETER-STRUKTURIERUNG VON SILIZIDEN SOWIE DADURCH HERGESTELLTE BAUTEILE 审中-公开
标题翻译：方法亚微米结构自杀，因此生产的部件
公开(公告)号：EP1364395A2
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：EP02708199.1
申请日：2002-02-02
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： ZHAO, Quing-Tai , KLUTH, Patrick , MANTL, Siegfried
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/306 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66606 , H01L21/28123 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L29/66545
摘要： The invention relates to a self-aligned patterning method for producing submicrometer patterns in silicide layers on a substrate. The inventive method is characterized by applying a metal layer to a substrate, said metal layer being capable of reacting with the substrate to give a silicide layer. Masks are then applied to the metal layer. The distribution of stresses generated by the mask is changed by producing in said mask cuts, that is notches that extend to the surface of the metal layer formed. On the bottom of such a notch the electric field is regularly stronger. A voltage-dependent solid state reaction (silicidation) generates the desired nanometer pattern of the silicide layer formed. For example, the silicidation reaction takes only place in the area below the mask while on the bottom of the notch no silicidation takes place. The invention provides a method for producing, in combination with some further process steps, various MOSFETs.

10. 发明授权

EP1497855B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ODER MEHRERER EINKRISTALLINER SCHICHTEN MIT JEWEILS UNTERSCHIEDLICHER GITTERSTRUKTUR IN EINER EBENE EINER SCHICHTENFOLGE 有权
标题翻译：用于生产每个单晶硅不同的网格结构的一个或更多层的图层中的序列的LEVEL
公开(公告)号：EP1497855B1
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：EP03720280.1
申请日：2003-04-22
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： MANTL, Siegfried , HOLLÄNDER, Bernhard , ZHAO, Quing-Tai
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , H01L21/823807 , H01L21/823892 , H01L29/66151 , H01L29/66242 , H01L29/66431 , H01L29/66916
摘要： The invention relates to a method for producing one or more monocrystalline layers, each with a different lattice structure, on one plane, for an electronic component, in order to produce a system on a chip. The invention also relates to a component containing one or more layers of this type, such as MOSFETs, MODFETs, resonant tunnel diodes and/or photodetectors.

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