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1. 发明申请

US20140264228A1 FIN SELECTOR WITH GATED RRAM 有权
标题翻译： FIN选择器与门控RRAM
公开(公告)号：US20140264228A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：US13795894
申请日：2013-03-12
申请人： Eng Huat TOH , Elgin Quek , Shyu Seng Tan
发明人： Eng Huat TOH , Elgin Quek , Shyu Seng Tan
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/146 , H01L45/1666
摘要： A method of fabricating a fin selector with a gated RRAM and the resulting device are disclosed. Embodiments include forming a bottom electrode layer and a hardmask on a semiconductor substrate; etching the hardmask, bottom electrode layer, and semiconductor substrate to form a fin-like structure; forming first and second dummy gate stacks on first and second side surfaces of the fin-like structure, respectively; forming spacers on vertical surfaces of the first and second dummy gate stacks; forming an ILD surrounding the spacers; removing the first and second dummy gate stacks, forming first and second cavities on first and second sides of the fin-like structure; forming an RRAM layer on the first and second side surfaces of the fin-like structure in the first and second cavities, respectively; and filling each of the first and second cavities with a top electrode.
摘要翻译：公开了一种制造具有门控RRAM的翅片选择器和所产生的装置的方法。实施例包括在半导体衬底上形成底电极层和硬掩模; 蚀刻硬掩模，底电极层和半导体衬底以形成鳍状结构; 分别在所述鳍状结构的第一和第二侧表面上形成第一和第二虚拟栅极堆叠; 在所述第一和第二虚拟栅极堆叠的垂直表面上形成间隔物; 形成围绕所述间隔物的ILD; 去除所述第一和第二伪栅极堆叠，在所述鳍状结构的第一和第二侧上形成第一和第二空腔; 在所述第一和第二腔中的鳍状结构的第一和第二侧表面上分别形成RRAM层; 以及用顶部电极填充第一和第二腔中的每一个。

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