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1. 发明申请

US20050104087A1 InGaP pHEMT device for power amplifier operation over wide temperature range 审中-公开
标题翻译： InGaP pHEMT器件用于宽温度范围内的功率放大器工作
公开(公告)号：US20050104087A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：US10881162
申请日：2004-06-30
申请人： Ellen Lan , Monica De Baca , Bruce Green , Monte Miller , Charles Weitzel
发明人： Ellen Lan , Monica De Baca , Bruce Green , Monte Miller , Charles Weitzel
IPC分类号： H01L29/778 , H03F1/30 , H01L31/0328 , H01L29/739
CPC分类号： H03F1/301 , H01L29/7785
摘要： In one embodiment, a semiconductor device (500) includes a buffer layer (504) formed over a substrate (502). An AlxGa1-xAs layer (506) is formed over the buffer layer (504) and has a first doped region (508) formed therein. An InxGa1-xAs channel layer (512) is formed over the AlxGa1-xAs layer (506). An InxGa1-xP barrier layer (518) is formed over the InxGa1-xAs channel layer (512), the InxGa1-xP layer (518) has a second doped region formed therein. A control electrode (526) is formed over the InxGa1-xP layer (518). An undoped GaAs layer (520) is formed over the InxGa1-xP layer (518) adjacent to the control electrode (526). A doped GaAs layer (524) is formed over the undoped GaAs layer (520) and on opposite sides of the control electrode (526) and provides first and second current electrodes. When used to amplify a digital modulation signal, the semiconductor device (500) maintains linear operation over a wide temperature range.
摘要翻译：在一个实施例中，半导体器件（500）包括形成在衬底（502）上的缓冲层（504）。在缓冲层（504）之上形成Al x Ga 1-x As层（506），并且在其中形成有第一掺杂区域（508）。在Al x Ga 1-x 上形成一个In 1 / x Ga 1-x As As沟道层（512） >作为层（506）。在In 1 / x Ga 1-x 作为沟道层（512），In 1 / x Ga 1-x P层（518）具有形成在其中的第二掺杂区域。控制电极（526）形成在In 1 x 1 Ga 1-x P层（518）上。在与控制电极（526）相邻的In 1 x 1 Ga 1-x P P层（518）上形成未掺杂的GaAs层（520）。在未掺杂的GaAs层（520）上和控制电极（526）的相对侧上形成掺杂GaAs层（524），并提供第一和第二电流电极。当用于放大数字调制信号时，半导体器件（500）在宽的温度范围内保持线性操作。

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