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1. 发明申请

WO2011072887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMCHLORDIALKOXIDEN 审中-公开
标题翻译：用于生产INDIUMCHLORDIALKOXIDEN
公开(公告)号：WO2011072887A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/059376
申请日：2010-07-01
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , FRÜHLING, Dennis , HOPPE, Arne , BRAUSCH, Nicole
发明人： STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , FRÜHLING, Dennis , HOPPE, Arne , BRAUSCH, Nicole
IPC分类号： C07F5/00 , H01L33/42
CPC分类号： C07F5/003
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Indium(lll)halogendialkoxiden der generischen Formel lnX(OR) 2 mit X = F, Cl, Br, I und R = Alkylrest, Alkyloxyalkylrest, bei dem eine Zusammensetzung (A) umfassend ein Indiumtrihalogenid InX 3 mit X = F, Cl, Br und/oder I und mindestens einen Alkohol der generischen Formel ROH mit R = Alkylrest, Alkyloxyalkylrest mit einer Zusammensetzung (B) umfassend mindestens ein sekundäres Amin der generischen Formel R' 2 NH mit R' = Alkylrest umgesetzt wird, die nach dem Verfahren herstellbaren Indium(lll)halogendialkoxide und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产铟（III）halogendialkoxiden通式LNX（OR）2，其中X =氟，氯，Br，I和R =烷基，Alkyloxyalkylrest，其中所述包含一个Indiumtrihalogenid InX3的组合物（A）包含至少一种通式的仲胺与R“=烷基与X = F，Cl，Br和/或I，其中R =烷基的通式ROH的至少一种醇反应R'2NH，Alkyloxyalkylrest与组合物（B）该进程铟（III）halogendialkoxide和它们的用途而获得。

2. 发明申请

WO2013186082A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2013186082A3
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/EP2013/061452
申请日：2013-06-04
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , STEIGER, Jürgen , FRÜHLING, Dennis , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , FRÜHLING, Dennis , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, bei dem eine Zusammensetzung enthaltend mindestens ein Indiumoxoalkoxid der generischen Formel M x O y (OR) z [O(R'O) e H] a X b Y c [R"OH] d mit x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 - 25, b = 0 - 20, c = 1 - 20, d = 0 - 25, e = 0, 1, M = In, R, R', R" = organischer Rest, X = F, Cl, Br, I, und Y = -NO 3, -NO 2 , wobei b + c = 1 - 20 ist und mindestens ein Lösemittel auf ein Substrat aufgebracht, ggf. getrocknet, und in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, die Indiumoxoalkoxide der genannten generischen Formel, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.

3. 发明申请

WO2011020792A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG METALLOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：法生产金属，含有层
公开(公告)号：WO2011020792A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/061836
申请日：2010-08-13
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1258
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten aus nichtwässriger Lösung, bei dem eine wasserfreie Zusammensetzung enthaltend i) mindestens ein Metalloxoalkoxid der generischen Formel M χ O y (OR) z [O(R'O) c H] a X b [R"OH] d mit M = In, Ga, Sn und/oder Zn, x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 - 25, b = 0 - 20, c = 0 - 1, d = 0 - 25, R, R', R" = organischer Rest, X = F, Cl, Br, I und ii) mindestens ein Lösemittel auf ein Substrat aufgebracht, ggf. getrocknet, und in eine Metalloxid- haltige Schicht konvertiert wird, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产非水溶液的含有金属的层的液相方法，其特征在于，不含水的组合物，其包含i）至少一种Metalloxoalkoxid通式M + Oy公司（OR）Z [O（R'O）CH] X B [ R“OH] D M =的In，Ga，Sn和/或Zn，X = 3-25，Y = 1 - 10，Z = 3-50，A = 0 - 25，b = 0-20，c = 0 - 1个D = 0 - 25，R，R”，R“=有机基团，X =施加的氟，氯，溴，I，和ii）至少一种溶剂到基材上，任选地进行干燥，并放置在金属氧化物含有层被转换为与本发明的层和其使用的方法获得的化合物。

4. 发明申请

WO2011020781A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产铟含有层
公开(公告)号：WO2011020781A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/061805
申请日：2010-08-13
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1258
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten aus nichtwässriger Lösung, bei dem eine wasserfreie Zusammensetzung enthaltend mindestens ein Indiumoxoalkoxid der generischen Formel M x O y (OR) z [O(R'O) c H] a X b [R"OH] d mit x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 -25, b = 0 - 20, c = 0 - 1, d = 0 - 25, M = In, R, R', R" = organischer Rest, X = F, Cl, Br, I und mindestens ein Lösemittel auf ein Substrat aufgebracht, ggf. getrocknet, und in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种液相方法用于生产非水溶液的含氧化铟层，其中含有至少一种Indiumoxoalkoxid通用式M×○Y（OR）的无水组合物Z [O（R'O）CH] X b的[R“OH] 深x = 3-25，Y = 1 - 10，Z = 3-50，A = 0 -25，b = 0-20，c = 0-1，d = 0的 - 25，M =中的R， R”，R“=有机基团，X =氟，氯，Br，I和至少将溶剂施加到衬底上，任选地进行干燥，并且被转换成与本发明的层和过程中产生的含铟层其使用。

5. 发明申请

WO2014206634A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN, DIE NACH DEM VERFAHREN HERSTELLBAREN INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：过程对于与过程生产醇铟化合物及其用途根据PRODUCING醇铟CONNECTIONS
公开(公告)号：WO2014206634A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/059957
申请日：2014-05-15
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne , FRÜHLING, Dennis
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne , FRÜHLING, Dennis
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285
CPC分类号： C07F5/003 , C07F5/00 , C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/288
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Indiumalkoxid-Verbindungen, die herstellbar sind durch Umsetzen eines Indiumtrihalogenids InX 3 mit X = F, Cl, Br, I mit einem sekundären Amin der Formel R' 2 NH mit R' =Alkyl, im molaren Verhältnis von 8:1 bis 20:1 in Bezug auf das Indiumtrihalogenid in Gegenwart eines Alkohols der generischen Formel ROH mit R = Alkyl, ein Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung zur Herstellung Indiumoxid-haltiger bzw. (halb)leitender Schichten.
摘要翻译：本发明涉及铟醇盐化合物，其可以通过一个Indiumtrihalogenids InX3其中X =氟，氯，溴，我与R中的式R'2NH的仲胺“=烷基反应来制备，在8:1的摩尔比：1至20 ：1与在通式ROH的，R =烷基，它们的制备方法以及它们用于含氧化铟的或（半）导电层的制备中使用的处理的醇的存在对于Indiumtrihalogenid。

6. 发明申请

WO2010094581A1 INDIUMALKOXID-HALTIGE ZUSAMMENSETZUNGEN, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：醇铟，含组合物，其制造方法相同，它们的用途
公开(公告)号：WO2010094581A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/EP2010/051409
申请日：2010-02-05
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , PHAM, Duy Vu , DAMASCHEK, Yvonne , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , PHAM, Duy Vu , DAMASCHEK, Yvonne , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/125
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft flüssige Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzung, umfassend mindestens ein Indiumalkoxid und mindestens drei Lösemittel L 1 , L 2 und L 3 , bei denen das Lösemittel L 1 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Ethylenglycoldiacetat und Ethylbenzoat, und die Differenz der Siedepunkte der beiden Lösemittel L 2 und L 3 unter SATP-Bedingungen mindestens 30°C beträgt, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及到含有烷氧化物的液体铟组合物，其包含至少一个铟醇盐，和至少三个溶剂L1，L2和L3，其中所述溶剂L1选自乳酸乙酯，苯甲醚，四氢糠醇，乙酸丁酯，乙二醇二乙酸酯和苯甲酸乙酯组成的组中，和在两种溶剂L2 L3的和沸点差至少为30℃下SATP条件下，它们的制备方法和它们的使用过程中。

7. 发明申请

WO2012062575A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMOXID-HALTIGEN SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产含氧化铟层
公开(公告)号：WO2012062575A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/068736
申请日：2011-10-26
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , H01L21/288 , H01L29/22 , H01L29/43
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxid- haltiger Schichten, bei dem eine aus einem Gemisch enthaltend mindestens einen Indiumoxid- Precursor und mindestens ein Lösemittel bzw. Dispersionsmedium herstellbare Beschichtungszusammensetzung in der Reihenfolge der Punkte a) bis d) a) auf ein Substrat aufgebracht, b) die auf dem Substrat aufgebrachte Zusammensetzung mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, c) ggf. getrocknet und d) thermisch in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, wobei der Indiumoxid-Precursor ein Indium-Halogen-Alkoxid der generischen Formel lnX(OR)2 mit R = Alkylrest und/oder Alkoxyalkylrest und X = F, Cl, Br oder I ist und die Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung mit signifikanten Anteilen von Strahlung im Bereich von 170 - 210 nm und von 250 - 258 nm durchgeführt wird, die mit dem Verfahren herstellbaren Indiumoxid-haltigen Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种液相方法含有层制造氧化铟的方法，其中一个从含有至少一种氧化铟前体和在点a）至d的顺序的至少一种溶剂或分散介质可产生的涂料组合物）a）一种混合物到施加的基底，b）施加到所述底物组合物上的力被照射用电磁辐射，c）任选地干燥和d）被热转化成的含铟层，其中所述氧化铟前体的通式LNX的铟 - 卤代烷氧基化合物（ OR）2，其中R =烷基和/或烷氧基烷基和X = F，Cl，Br或I，和与在范围170-210纳米和250-258纳米的辐射的显著水平电磁辐射的照射下进行，所述由该方法含氧化铟层和它们的使用产生的。

8. 发明申请

WO2012010464A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译： INDIUMOXOALKOXIDE用于制造铟含有层
公开(公告)号：WO2012010464A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/061867
申请日：2011-07-12
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/003 , C07C31/28 , C09D1/00 , C23C18/1216
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft halogenhaltige Indiumoxoalkoxide der generischen Formel ln 7 O 2 (OH)(OR) 12 X 4 (ROH) x mit R = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- oder C7-C15-Alkoxyaryl, X = F, Cl, Br, I und x = 0 bis 10, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及Indiumoxoalkoxide通式ln7O2（OH）（OR）12×4（ROH）x，其中R = C1-C15烷基，C1-C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6含卤素 C15芳基或C7-C15烷氧基芳基，X = F，氯，溴，I，和x = 0到10，它们的制备方法和它们的用途。

9. 发明申请

WO2013050221A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHPERFORMANTEN UND ELEKTRISCH STABILEN, HALBLEITENDEN METALLOXIDSCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产高性能的，电动STABLE，HALF官员金属氧化物，直制备的层及其用途
公开(公告)号：WO2013050221A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/EP2012/067804
申请日：2012-09-12
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaminats, das eine erste und eine zweite Metalloxid-Schicht sowie eine Dielektrikum-Schicht umfasst, wobei die erste Metalloxid-Schicht zwischen der zweiten Metalloxid-Schicht und der Dielektrikum-Schicht angeordnet ist. Die erste und die zweite Metalloxid-Schicht werden entsprechend aus einer ersten und einer zweiten flüssigen Phase ausgebildet. Ebenfalls betrifft die vorliegende Erfindung ein Halbleiterlaminat, das nach einem solchen Verfahren erhältlich ist sowie elektronische Bauteile, die ein solches Halbleiterlaminat umfassen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体层叠体，其包括第一和第二金属氧化物层和介电层，其中所述第二金属氧化物层和介电层之间的第一金属氧化物层配置。第一和第二金属氧化物层被形成在根据第一和第二液相。另外，本发明涉及一种半导体层叠体，其是通过这样的方法以及电子元件，包括这种半导体层叠体获得。

10. 发明申请

WO2012010427A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译： INDIUMOXOALKOXIDE用于制造铟含有层
公开(公告)号：WO2012010427A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/061493
申请日：2011-07-07
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/00 , C07F5/069 , C23C18/1216 , C23C18/1254
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft halogenhaltige Indiumoxoalkoxide der generischen Formel ln 6 O 2 X 6 (OR) 6 (R'CH(0)COOR") 2 (HOR) x (HNR"' 2 ) y mit X = F, Cl, Br und/oder I, R = C1-C15- Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15- Alkoxyaryl, R' = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6- C15-Aryl- und/oder C7-C15-Alkoxyaryl, R" = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15-Alkoxyaryl, R'" = C1-C15-Alkyl, C1- C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15- Alkoxyaryl, x = 0 bis 10 und y = 0 bis 10, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及Indiumoxoalkoxide通式ln6O2X6（OR）含卤素的6（R'CH（0）COOR '）2（HOR）×（HNR'“2）y，其中X = F，Cl，Br和/或I，R = C1-C15烷基，C1-C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R“= C 1 -C 15 - 烷基，C1 -C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R“= C 1 -C 15 - 烷基，C 1 -C 15 - 链烯基，C1-C15 炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R““= C 1 -C 15烷基，C 1 -C 15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15 烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C 7 -C 15烷氧基芳基，x = 0到10和y = 0〜10，它们的制备方法和它们的用途。

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