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1. 发明申请

WO2011149965A3 COPPER FILLING OF THROUGH SILICON VIAS 审中-公开
标题翻译：铜填充硅橡胶
公开(公告)号：WO2011149965A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/US2011037777
申请日：2011-05-24
申请人： ENTHONE , RICHARDSON THOMAS B , SHAO WENBO , LIN XUAN , WANG CAI , PANECCASIO VINCENT JR , ABYS JOSEPH A , ZHANG YUN , HURTUBISE RICHARD , WANG CHEN
发明人： RICHARDSON THOMAS B , SHAO WENBO , LIN XUAN , WANG CAI , PANECCASIO VINCENT JR , ABYS JOSEPH A , ZHANG YUN , HURTUBISE RICHARD , WANG CHEN
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/768
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要： A method for metallizing a through silicon via feature in a semiconductor integrated circuit device substrate. The method comprises immersing the semiconductor integrated circuit device substrate into an electrolytic copper deposition composition, wherein the through silicon via feature has an entry dimension between 1 micrometers and 100 micrometers, a depth dimension between 20 micrometers and 750 micrometers, and an aspect ratio greater than about 2:1; and supplying electrical current to the electrolytic deposition composition to deposit copper metal onto the bottom and sidewall for bottom-up filling to thereby yield a copper filled via feature. The deposition composition comprises (a) a source of copper ions; (b) an acid selected from among an inorganic acid, organic sulfonic acid, and mixtures thereof; (c) an organic disulfide compound; (d) a compound selected from the group consisting of a reaction product of benzyl chloride and hydroxyethyl polyethyleneimine, a quaternized dipyridyl compound, and a combination thereof; and (d) chloride ions.
摘要翻译：一种用于在半导体集成电路器件衬底中金属化穿硅通孔特征的方法。该方法包括将半导体集成电路器件衬底浸入电解铜沉积组合物中，其中通孔硅通孔特征具有介于1微米至100微米之间的入口尺寸，20微米至750微米的深度尺寸，以及大于约2：1; 向电解沉积组合物供给电流以将铜金属沉积到底部和侧壁上以进行自底向上填充，由此产生铜填充的通孔特征。沉积组合物包括（a）铜离子源; （b）选自无机酸，有机磺酸及其混合物的酸; （c）有机二硫化物; （d）选自苄基氯和羟乙基聚亚丙基亚胺的反应产物，季铵化吡啶基化合物及其组合的化合物; 和（d）氯离子。

2. 发明申请

WO2011056698A2 IMMERSION TIN SILVER PLATING IN ELECTRONICS MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：电子制造中的镀银镀银
公开(公告)号：WO2011056698A2
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：PCT/US2010054413
申请日：2010-10-28
申请人： ENTHONE , YAU YUNG-HERNG , WANG XINGPING , WANG CAI , FARRELL ROBERT , YE PINGPING , KUDRAK EDWARD J JR , WENGENROTH KARL F , ABYS JOSEPH A
发明人： YAU YUNG-HERNG , WANG XINGPING , WANG CAI , FARRELL ROBERT , YE PINGPING , KUDRAK EDWARD J JR , WENGENROTH KARL F , ABYS JOSEPH A
IPC分类号： C23C18/48
CPC分类号： C23C18/54 , C23C18/48 , Y10T428/12715
摘要： A method is provided for depositing a whisker resistant tin-based coating layer on a surface of a copper substrate. The method is useful for preparing an article comprising a copper substrate having a surface; and a tin-based coating layer on the surface of the substrate, wherein the tin-based coating layer has a thickness between 0.5 micrometers and 1.5 micrometers and has a resistance to formation of copper-tin intermetallics, wherein said resistance to formation of copper-tin intermetallics is characterized in that, upon exposure of the article to at least seven heating and cooling cycles in which each cycle comprises subjecting the article to a temperature of at least 217°C followed by cooling to a temperature between about 20°C and about 28°C, there remains a region of the tin coating layer that is free of copper that is at least 0.25 micrometers thick.
摘要翻译：提供了在铜基板的表面上沉积耐晶须锡基涂层的方法。该方法可用于制备包含具有表面的铜基材的制品; 以及在所述基板的表面上的锡基涂层，其中所述锡基涂层的厚度为0.5微米至1.5微米，并且具有形成铜 - 锡金属间化合物的阻力，其中所述耐铜 - 锡金属间化合物的特征在于，当制品暴露于至少七个加热和冷却循环时，其中每个循环包括使制品经受至少217℃的温度，然后冷却至约20℃至约20℃的温度 28℃时，仍然存在不超过至少0.25微米厚的铜的锡涂层的区域。

3. 发明专利

ES2743408T3 Potenciación de superficie metálica 未知
公开(公告)号：ES2743408T3
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：ES08746252
申请日：2008-04-18
申请人： MACDERMID ENTHONE INC
发明人： ABYS JOSEPH , SUN SHENLIANG , FAN CHONGLUN , KUDRAK EDWARD , WANG CAI
IPC分类号： C04B9/02 , C09K3/00 , C23C22/03 , C23F11/00 , C23F11/10 , C23F11/14 , H05K3/28
摘要： Un método para potenciar la resistencia a la corrosión, la resistencia al desgaste y la resistencia al contacto de un dispositivo electrónico o microelectrónico que comprende un sustrato de cobre o aleación de cobre y al menos una capa a base de metal sobre una superficie del sustrato, comprendiendo el método exponer el dispositivo a una composición que comprende: un compuesto de óxido de fósforo; un compuesto orgánico que comprende un grupo funcional que contiene nitrógeno seleccionado entre el grupo que consiste en amina, heterociclo aromático que comprende nitrógeno y una combinación de los mismos; y un disolvente que tiene una tensión superficial inferior a 50 mN/m (50 dinas/cm) medida a 25 ºC, en el que el disolvente se selecciona entre el grupo que consiste en aceite mineral parafínico, aceite mineral isoparafínico, disolvente de aceite nafténico, un alcohol que tiene un punto de ebullición de al menos 90 ºC, y agua y un tensioactivo, comprendiendo dicho disolvente agua y un tensioactivo; caracterizado porque el compuesto de óxido de fósforo se selecciona entre el grupo que consiste en un ácido fosfónico, una sal de fosfonato, un éster de fosfonato y mezclas de los mismos y tiene la estructura (1):**Fórmula** en la que R1 es un hidrocarbilo que tiene entre uno y 24 átomos de carbono; y R2 y R3 son cada uno independientemente o juntos hidrógeno, un catión equilibrador de carga o un hidrocarbilo que tiene entre un átomo de carbono y cuatro átomos de carbono.

4. 发明专利

ES2712079T3 Chapado de estaño y plata por inmersión en la fabricación de productos electrónicos 未知
公开(公告)号：ES2712079T3
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：ES10773811
申请日：2010-10-28
申请人： MACDERMID ENTHONE INC
发明人： YAU YUNG-HERNG , WANG XINGPING , WANG CAI , FARRELL ROBERT , YE PINGPING , KUDRAK EDWARD , WENGENROTH KARL , ABYS JOSEPH
IPC分类号： C23C18/54 , C23C18/48
摘要： Un método para depositar una capa de recubrimiento a base de estaño resistente a los bigotes sobre una superficie de un sustrato de cobre, comprendiendo el método: poner en contacto la superficie del sustrato de cobre con una composición de chapado a base de estaño por inmersión que comprende: una fuente de iones Sn2+ suficiente para proporcionar una concentración de iones Sn2+ de entre 5 g/l y 20 g/l; una fuente de iones Ag+ suficiente para proporcionar una concentración de iones Ag+ de entre 10 ppm y 24 ppm; una fuente de agente complejante a base de azufre para iones de estaño e iones de cobre suficiente para proporcionar una concentración de agente complejante a base de azufre de entre 60 g/l y 120 g/l, siendo dicho agente complejante a base de azufre capaz de revertir los potenciales relativos de CEM del cobre y el estaño; una fuente de ion hipofosfito suficiente para proporcionar una concentración de ion hipofosfito de entre 30 g/l y 100 g/l; además de la fuente de hipofosfito, una fuente de antioxidante suficiente para proporcionar una concentración de antioxidante de entre 30 g/l y 110 g/l; una fuente de pirrolidona suficiente para proporcionar una concentración de pirrolidona de al menos 12 g/l; y un ácido en una concentración suficiente para disminuir el pH de la composición entre 0 y 5, en donde el recubrimiento a base de estaño comprende al menos el 80 % en peso de Sn.

5. 发明公开

EP2142485A4 METALLIC SURFACE ENHANCEMENT 有权转让
标题翻译： VERBESSERUNG VONMETALLOBERFLÄCHEN
公开(公告)号：EP2142485A4
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：EP08746252
申请日：2008-04-18
申请人： ENTHONE
发明人： ABYS JOSEPH A , SUN SHENLIANG , FAN CHONGLUN , KUDRAK EDWARD J JR , WANG CAI
IPC分类号： C04B9/02 , C09K3/00 , C23C22/03 , C23F11/00 , C23F11/10 , H05K3/28
CPC分类号： H05K3/282 , C23C22/03 , C23F11/10 , C23F11/149 , H05K2203/124 , Y10T428/12611 , Y10T428/12903 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
摘要： A method and composition for enhancing corrosion resistance, wear resistance, and contact resistance of a device comprising a copper or copper alloy substrate and at least one metal-based layer on a surface of the substrate. The composition comprises a phosphorus oxide compound selected from the group consisting of a phosphonic acid, a phosphonate salt, a phosphonate ester, a phosphoric acid, a phosphate salt, a phosphate ester, and mixtures thereof; an organic compound comprising a nitrogen-containing functional group; and a solvent having a surface tension less than about 50 dynes/cm as measured at 25° C.
摘要翻译：一种用于增强包含铜或铜合金基底和至少一个金属基层在该基底表面上的装置的耐腐蚀性，耐磨性和接触电阻的方法和组合物。该组合物包含选自膦酸，膦酸盐，膦酸酯，磷酸，磷酸盐，磷酸酯及其混合物的磷氧化物化合物; 包含含氮官能团的有机化合物; 和在25℃下测得的表面张力低于约50达因/厘米的溶剂

6. 发明专利

ES2644268T3 Proceso para rellenar surcos de contacto en microelectrónica 未知
公开(公告)号：ES2644268T3
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：ES12703929
申请日：2012-01-26
申请人： MACDERMID ENTHONE INC
发明人： RICHARDSON THOMAS , ABYS JOSEPH , SHAO WENBO , WANG CHEN , PANECCASIO JR , WANG CAI , LIN XUAN , ANTONELLIS THEODORE
IPC分类号： C25D5/18 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768

7. 发明公开

EP2183769A4 COPPER METALLIZATION OF THROUGH SILICON VIA 有权转让
标题翻译： KUPFERMETALLISIERUNG EINER SI-DURCHKONTAKTIERUNG
公开(公告)号：EP2183769A4
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：EP08797141
申请日：2008-08-04
申请人： ENTHONE
发明人： RICHARDSON THOMAS B , ZHANG YUN , WANG CHEN , PANECCASIO VINCENT , WANG CAI , LIN XUAN , HURTUBISE RICHARD , ABYS JOSEPH A
IPC分类号： C25D5/02 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/76898 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/123 , H01L21/2885

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