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1. 发明申请

WO2005045961A3 SOLID OXIDE BATTERY ANODE BASED ON A SPECIFIC CERMET AND SOLID OXIDE BATTERY CONTAINING THE SAME 审中-公开
标题翻译：固体氧化物电池阳极基于特定的固体氧化锡电池
公开(公告)号：WO2005045961A3
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/FR2004050571
申请日：2004-11-05
申请人： ELECTRICITE DE FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT , STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , BROHAN LUC , CALDES-ROUILLON MARIA-TERESA
发明人： STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , BROHAN LUC , CALDES-ROUILLON MARIA-TERESA
IPC分类号： H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/12
CPC分类号： H01M4/9066 , H01M4/8621 , H01M4/8652 , H01M4/8885 , H01M2004/8684 , H01M2008/1293
摘要： The invention concerns a solid oxide battery anode based on a composite material comprising a ceramic oxide matrix containing barium and titanium and, optionally, indium in which a metal electronic conductive element is dispersed. The invention also relates to a solid oxide battery containing said anode.
摘要翻译：本发明涉及一种基于复合材料的固体氧化物电池阳极，所述复合材料包含含有钡和钛的陶瓷氧化物基质和任选的铟，其中分散有金属电子导电元素。本发明还涉及包含所述阳极的固体氧化物电池。

2. 发明专利

FR2862163B1 ANODE DE PILE A OXYDE SOLIDE A BASE D'UN CERMET PARTICULIER ET PILE A OXYDE SOLIDE LA COMPRENANT 未知
公开(公告)号：FR2862163B1
公开(公告)日：2011-08-12
申请号：FR0350807
申请日：2003-11-07
申请人： ELECTRICITE DE FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , BROHAN LUC , CALDES ROUILLON MARIA TERESA
IPC分类号： H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/12

3. 发明专利

FR2907114B1 未知
公开(公告)号：FR2907114B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：FR0608914
申请日：2006-10-11
申请人： ELECTRICITE DE FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , CALDES ROUILLON MARIA TERESA , DELAHAYE THYBAUD
IPC分类号： C04B35/468 , B01D71/06 , H01M8/12

4. 发明专利

FR2907114A1 DISPOSITIF ELECTROCHIMIQUE COMPRENANT UN ELECTROLYTE CERAMIQUE CONDUCTEUR DE PROTONS 未知
公开(公告)号：FR2907114A1
公开(公告)日：2008-04-18
申请号：FR0608914
申请日：2006-10-11
申请人： ELECTRICITE DE FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , CALDES ROUILLON MARIA TERESA , DELAHAYE THYBAUD
IPC分类号： C04B35/468 , B01D71/06 , H01M8/12
摘要： L'invention concerne l'utilisation d'une céramique de formule (I)(I) Ba2(1-x)M2xIn2(1-y)M'2yO4+delta(OH)delta, oùM représente au moins un cation métallique de degré d'oxydation II ou III ou une combinaison de ceux-ci, M' représente au moins un cation métallique de degré d'oxydation III, IV, V ou VI ou une combinaison de ceux-ci, 0

5. 发明专利

FR2862163A1 未知
公开(公告)号：FR2862163A1
公开(公告)日：2005-05-13
申请号：FR0350807
申请日：2003-11-07
申请人： ELECTRICITE DE FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： STEVENS PHILIPPE , JOUBERT OLIVIER , PIFFARD YVES , BROHAN LUC , CALDES ROUILLON MARIA TERESA
IPC分类号： H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/12

6. 发明申请

WO2014102222A9 MICROELECTRONIC METHOD FOR ETCHING A LAYER 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻层的微电子方法
公开(公告)号：WO2014102222A9
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2013077853
申请日：2013-12-20
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , UNIV JOSEPH FOURIER
发明人： POSSEME NICOLAS , JOUBERT OLIVIER , VALLIER LAURENT
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/0223 , H01L21/266 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32133
摘要： The invention relates to a microelectronic method for etching a layer to be etched, comprising the following steps: - modifying the layer to be etched from the surface of the layer to be etched and over a depth corresponding to at least a portion of the thickness of the layer to be etched so as to form a film, the modification comprising implanting light ions in the layer to be etched; - removing the film comprising a selective etching of the film relative to at least one layer underlying the film.
摘要翻译：本发明涉及一种用于蚀刻被蚀刻层的微电子方法，包括以下步骤： - 从待蚀刻层的表面改变待蚀刻的层，并且在相当于厚度的至少一部分的深度待蚀刻的层以形成膜，所述修改包括将光离子注入待蚀刻的层中; - 去除所述膜包括相对于所述膜下面的至少一个层选择性地蚀刻所述膜。

7. 发明专利

FR3027453A1 DISPOSITIF RESISTIF POUR CIRCUIT MEMOIRE OU LOGIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF 未知
公开(公告)号：FR3027453A1
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：FR1460073
申请日：2014-10-20
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , UNIV JOSEPH FOURIER - GRENOBLE
发明人： DIENY BERNARD , DARNON MAXIME , NAVARRO GABRIELLE , JOUBERT OLIVIER
IPC分类号： H01L45/00 , G11C11/02 , G11C11/21
摘要： L'invention est relative à un dispositif résistif comprenant : - un substrat (100) ; - une pluralité de piliers électriquement conducteurs (110) disposés sur le substrat et espacés les uns des autres, chaque pilier conducteur (110) possédant une section à sa base plus petite qu'à son sommet - une pluralité d'éléments de stockage (120) de résistance électrique variable disposés aux sommets des piliers conducteurs, de sorte que chaque élément de stockage (120) est supporté par l'un des piliers conducteurs (110).

8. 发明专利

FR3017241A1 PROCEDE DE GRAVURE PLASMA 未知
公开(公告)号：FR3017241A1
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：FR1450781
申请日：2014-01-31
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： JOUBERT OLIVIER , CUNGE GILLES , DESPIAU-PUJO EMILIE , PARGON ERWINE , POSSEME NICOLAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要： L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une séquence d'étapes comprenant au moins: une étape de formation d'une couche réactive (710) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s), le plasma de gaz réactif(s) formant avec la couche à graver une couche réactive (110) qui pénètre dans la couche à graver au fur et à mesure de la gravure de la couche à graver, les paramètres de l'étape de formation d'une couche réactive (710) permettant à la couche réactive (110) d'atteindre, à l'issue d'une durée déterminée d'injection du gaz réactif, une épaisseur stationnaire dans le temps, caractérisé en ce que : l'injection du gaz réactif est interrompue avant ladite durée déterminée de manière à ce qu'à l'issue de l'étape de formation d'une couche réactive (710) l'épaisseur de la couche réactive (110) est inférieure à ladite épaisseur stationnaire dans le temps, et en ce que la séquence d'étapes comprend au moins une étape de retrait (720) de la couche réactive (110), l'étape de retrait (720) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer uniquement la couche réactive (110). L'invention porte également sur un système pour la mise en œuvre de l'invention.

9. 发明专利

FR3000600A1 PROCEDE MICROELECTRONIQUE DE GRAVURE D'UNE COUCHE 未知
公开(公告)号：FR3000600A1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：FR1262958
申请日：2012-12-28
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , UNIV JOSEPH FOURIER
发明人： POSSEME NICOLAS , JOUBERT OLIVIER , VALLIER LAURENT
IPC分类号： H01L21/306
摘要： L'invention concerne un procédé microélectronique de gravure d'une couche à graver, comprenant les étapes suivantes: - modification de la couche à graver depuis la surface de la couche à graver et sur une profondeur correspondant à une portion au moins de l'épaisseur de la couche à graver de manière à former un film, la modification comprenant l'implantation d'ions légers dans la couche à graver; - retrait du film comprenant une gravure sélective du film par rapport à au moins une couche sous jacente au film.

10. 发明专利

FR2936094A1 PROCEDE DE GRAVURE UTILISANT UNE STRUCTURE DE MASQUAGE MULTICOUCHE 未知
公开(公告)号：FR2936094A1
公开(公告)日：2010-03-19
申请号：FR0805022
申请日：2008-09-12
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： JOUBERT OLIVIER , DAVID THIBAUT , CHEVOLLEAU THIERRY , CUNGE GILLES
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/3213
摘要： Le procédé de gravure d'une couche cible comporte la formation sur la couche cible (1) d'une structure multicouche (2) ayant une couche de masque dur inorganique (4) disposée sur ladite couche cible (1 ), elle-même recouverte par un masque (5) comportant un réseau de motifs nanométriques. La couche de masque dur inorganique (4) comporte une couche mince d'oxyde métallique d'épaisseur inférieure ou égale à 10 nm. Le réseau de motifs nanométriques du masque (5) est transféré dans la couche cible (1) par gravures successives.

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