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1. 发明专利

JP2012069965A Copper indium diselenide-based photovoltaic device and method of preparing the same 审中-公开
标题翻译：铜箔基紫外线照射器件及其制备方法
公开(公告)号：JP2012069965A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：JP2011231726
申请日：2011-10-21
申请人： Dow Corning Corp , Dow Corning Toray Co Ltd , Itn Energy Systems Inc , アイティーエヌ・エナジー・システムズ・インコーポレーテッド , ダウ・コーニング・コーポレイション , 東レ・ダウコーニング株式会社
发明人： THOMAS DUNCAN BARNARD , HARIHARA YUKINARI , HATANAKA HIDEKATSU , ITO MAKI , DIMITRIS ELIAS KATSOULIS , SUDO MICHITAKA , ZHU BIZHONG , LAWRENCE M WOODS , JOSEPH H ARMSTRONG , RIBELIN ROSINE M
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0322 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08L83/04 , H01L31/072 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , C08L83/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a CIS photovoltaic device which is both flexible and sufficiently able to withstand annealing temperatures in excess of 500°C to obtain maximum efficiency of the device.SOLUTION: The copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. The CIS-based photovoltaic device further includes a substrate 106 which has a metal foil layer 312 and a silicone layer 306 formed from a silicone composition.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种CIS光电器件的基板，其既柔性又能够承受超过500℃的退火温度，以获得最大的器件效率。解决方案：基于铜铟锡（CIS）的光伏器件包括包含铜，铟和硒的基于CIS的太阳能吸收层。基于CIS的光电器件还包括具有金属箔层312和由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层306的衬底106。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2011171775A Copper indium diselenide-based photovoltaic device and method of preparing the same 审中-公开
标题翻译：铜箔基紫外线照射器件及其制备方法
公开(公告)号：JP2011171775A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：JP2011128211
申请日：2011-06-08
申请人： Dow Corning Corp , Itn Energy Systems Inc , アイティーエヌ・エナジー・システムズ・インコーポレーテッド , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： ANDERSON NICOLE R , KATSOULIS DIMITRIS ELIAS , REESE HERSCHEL HENRY , ZHU BIZHONG , LAWRENCE M WOODS , ARMSTRONG JOSEPH H , RIBELIN ROSINE M
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0749 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/03928 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/072 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , C08L83/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a copper indium diselenide-based photovoltaic device and to provide a method of preparing the photovoltaic device. SOLUTION: The copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. The CIS-based photovoltaic device further includes a substrate formed from a silicone composition. The substrate, because it is formed from the silicone composition, is both flexible and sufficiently able to withstand annealing temperatures in excess of 500°C to obtain maximum efficiency of the device. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种铜铟锡硒基光伏器件，并提供一种制备光伏器件的方法。解决方案：基于铜铟锡（CIS）的光伏器件包括包含铜，铟和硒的基于CIS的太阳能吸收层。基于CIS的光电器件还包括由硅氧烷组合物形成的衬底。由于其由硅氧烷组合物形成，所以基材既柔韧又足以承受超过500℃的退火温度，以获得最大的器件效率。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2013108099A Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition 审中-公开
标题翻译：硅树脂薄膜，其制备方法和纳米填充硅酮组合物
公开(公告)号：JP2013108099A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2013048289
申请日：2013-03-11
申请人： Dow Corning Corp , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： FISHER MARK DAVID , ZHU BIZHONG
IPC分类号： C08L83/07 , C08J5/18 , C08K7/00
CPC分类号： C08J5/005 , B82Y30/00 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C08K3/04 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L31/0481 , Y10T428/31663 , C08L83/00 , C08K3/046 , C08K5/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicone resin film having high thermal stability, excellent flexibility, high tensile strength, high elastic modulus, and high coefficient of thermal expansion, and a method for preparing the same, and to provide a silicone composition for giving the silicone resin film.SOLUTION: A nanomaterial-filled silicone composition contains: a hydrosilylation-curable silicone composition containing silicone resin having at least two silicon-bonded alkenyl groups or silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule on average; and a carbon nanomaterial. Moreover, a method of preparing a silicone resin film includes the steps of: coating a release liner with the nanomaterial-filled silicone composition comprising the hydrosilylation-curable silicone composition having at least two silicon-bonded alkenyl groups or silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule on average and the carbon nanomaterial; and heating the coated release liner at a temperature sufficient to cure the silicone resin.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高热稳定性，优异的柔性，高拉伸强度，高弹性模量和高热膨胀系数的硅树脂膜及其制备方法，并提供一种硅氧烷用于给予有机硅树脂膜的组合物。解决方案：纳米材料填充的硅氧烷组合物包含：含有硅树脂的氢化硅烷化可固化的硅氧烷组合物，其平均含有一个分子中具有至少两个与硅键合的烯基或与硅键合的氢原子; 和碳纳米材料。此外，制备硅树脂膜的方法包括以下步骤：用填充有纳米材料的硅氧烷组合物涂覆剥离衬垫，所述硅氧烷组合物包括具有至少两个与硅键合的烯基或与硅键合的氢原子的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物平均分子和碳纳米材料; 并在足以固化有机硅树脂的温度下加热涂覆的剥离衬垫。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2015051635A 優れた耐火性を有する複合品审中-公开
标题翻译：具有良好耐火性的复合材料
公开(公告)号：JP2015051635A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2014182128
申请日：2014-09-08
申请人：ダウ・コーニング・コーポレイション , Dow Corning Corp
发明人： KATSOULIS DIMITRIS ELIAS , WILLIAM ROBERT O'BRIEN , AARON SEITZ , ZHU BIZHONG
IPC分类号： B32B17/10 , C03C27/12 , C08K3/00 , C08L83/05 , C08L83/07
CPC分类号： B32B17/10018 , B32B17/10036 , B32B17/10366 , B32B17/1055 , B32B17/10798 , B32B25/20 , C08J7/047 , C08J2483/00 , Y10T428/31663 , Y10T442/30 , Y10T442/60
摘要：【課題】優れた耐火性を有する複合品であって、加工するのにより実質的に費用効率がより優れていて、重量がより軽くて、さらに、複合品に欠陥が形成された後においてさえも、優れた構造的な統合性を維持し、主として炭素系材料を含む複合品ほどたくさんには煙及び毒ガスを放出しない複合品を提供する。【解決手段】複合品10はガラス質材料から形成される第一の窓層12及び第一の窓層12に隣接して配置される強化シリコーン層14を備える。強化シリコーン層14は硬化シリコーン組成物及び繊維強化剤を含み、強化シリコーン層14中の硬化シリコーン組成物の存在のおかげで、複合品10は優れた耐火性を示し、主に炭素系材料を含む複合品10ほどたくさんの煙や毒ガスを放出しない。さらに、強化シリコーン層14中の繊維強化剤の存在のおかげで、熱により複合品10に欠陥が形成された後でさえも、複合品10は優れた構造的な統合性を維持する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异耐火性的复合制品，其制造成本更高，重量更轻，并且即使在复合制品中形成破裂之后也保持优异的结构完整性，并且也不作为主要包括碳基材料的复合制品排放尽可能多的烟雾和有毒气体。解决方案：复合制品10包括由玻璃质材料形成的第一窗口层12和邻近第一窗口层12设置的增强硅树脂层14。增强硅树脂层14包括固化的硅氧烷组合物和纤维增强剂。由于在增强硅树脂层14中存在固化的硅氧烷组合物，复合制品10表现出优异的耐火性，并且不会像主要包括碳基材料的复合制品10那样排出太多的烟雾和有毒气体。此外，由于增强硅树脂层14中纤维增强剂的存在，复合制品10即使在复合制品10中由于热而形成破裂之后也保持优异的结构完整性。

5. 发明专利

JP2013080943A Cadmium telluride-base photoelectromotive force device and preparation method therefor 审中-公开
标题翻译：碲化镉基光电子装置及其制备方法
公开(公告)号：JP2013080943A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：JP2012268391
申请日：2012-12-07
申请人： Dow Corning Corp , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： DIMITRIS ELIAS KATSOULIS , ZHU BIZHONG
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0392 , C08G77/12 , C09D183/04 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/073 , H01L31/1836 , Y02E10/543
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cadmium telluride (CdTe)-base photocell device including CdTe layer containing cadmium and telluride, which has flexibility and is capable of significantly enduring an annealing temperature exceeding 500°C and achieving a maximum efficiency of a device.SOLUTION: A CdTe-base photocell device further includes a substrate 106 including a silicone layer formed from a silicone composition. The substrate 106 includes a silicone layer 306 formed from a silicone composition. The photocell device is flexible and can significantly endure an annealing temperature exceeding 350°C and often 500°C and achieve a maximum efficiency of the device.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种含有碲化镉和碲化镉的CdTe层的碲化镉（CdTe） - 基光电池器件，其具有柔性并且能够显着地耐受超过500℃的退火温度并且实现最大效率一个装置。解决方案：CdTe基光电池器件还包括基底106，其包括由有机硅组合物形成的硅氧烷层。衬底106包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层306。光电池器件是灵活的，并且可以显着地承受超过350℃并且通常为500℃的退火温度，并且实现器件的最大效率。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2013241597A Reinforced silicone resin film and method of preparing the same 审中-公开
标题翻译：增强硅树脂薄膜及其制备方法
公开(公告)号：JP2013241597A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2013118438
申请日：2013-06-05
申请人： Dow Corning Corp , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： ANDERSON NICOLE , ZHU BIZHONG
IPC分类号： C08J5/18 , C08J5/04 , C08L83/05 , C08L83/07
CPC分类号： C08J5/04 , C08J3/28 , C08J2383/04 , Y10T428/24994 , Y10T428/249945 , Y10T428/249947 , Y10T428/292
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide free standing silicone resin films that have low tear strength, high brittleness, low glass transition temperature, and high coefficient of thermal expansion.SOLUTION: A method of preparing a reinforced silicone resin film comprises the steps of: impregnating a fiber reinforcement in a hydrosilylation-curable silicone composition comprising a silicone resin and a photoactivated hydrosilylation catalyst; and exposing the impregnated fiber reinforcement to radiation having a wavelength of from 150 to 800 nm at a dosage sufficient to cure the silicone resin; wherein the reinforced silicone resin film comprises from 10 to 99% (w/w) of the cured silicone resin and the film has a thickness of from 15 to 500 μm. A reinforced silicone resin film is prepared according to the method.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低撕裂强度，高脆性，低玻璃化转变温度和高热膨胀系数的独立的有机硅树脂膜。解决方案：制备增强有机硅树脂膜的方法包括以下步骤：浸渍包含有机硅树脂和光活化氢化硅烷化催化剂的氢化硅烷化可固化有机硅组合物中的纤维增强物; 并将浸渍的纤维增强剂以足以固化硅树脂的剂量暴露于波长为150至800nm的辐射; 其中所述增强有机硅树脂膜包含10至99％（w / w）的固化的有机硅树脂，并且该膜具有15至500μm的厚度。根据该方法制备增强硅树脂膜。

7. 发明专利

JP2013216895A Method for preparing silicone resin 有权
标题翻译：硅树脂制备方法
公开(公告)号：JP2013216895A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2013102660
申请日：2013-05-15
申请人： Dow Corning Corp , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： ZHU BIZHONG
IPC分类号： C08G77/14
CPC分类号： C08G77/48 , C08G77/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of preparing a silicone resin that is prepared from disilane, and is curable, substantially free of gel, and highly soluble in organic solvents.SOLUTION: A method for preparing a silicone resin includes: reacting at least one halodisilane and, optionally, at least one halosilane with at least one alcohol in the presence of an organic solvent to produce an alcoholysis product; reacting the alcoholysis product with water to produce a hydrolyzate; and heating the hydrolyzate to produce the resin. The organic solvent is methyl ethyl ketone.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制备由乙硅烷制备的可固化的，基本上不含凝胶并且高度可溶于有机溶剂的有机硅树脂的方法。解决方案：一种制备有机硅树脂的方法包括：至少反应一种卤代二硅烷和任选的至少一种卤代硅烷与至少一种醇在有机溶剂的存在下反应以产生醇解产物; 使醇解产物与水反应产生水解产物; 并加热水解产物以制备树脂。有机溶剂是甲基乙基酮。

8. 发明专利

JP2013082938A Silicone resin film, method for preparing the same, and nanomaterial-filled silicone composition 有权
标题翻译：硅树脂薄膜，其制备方法和纳米填充硅酮组合物
公开(公告)号：JP2013082938A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2013003443
申请日：2013-01-11
申请人： Dow Corning Corp , ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人： FISHER MARK , ZHU BIZHONG
IPC分类号： C08L83/04 , C08K3/04
CPC分类号： C08J5/005 , B82Y30/00 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C08K3/04 , C08L83/04 , C09D183/04 , Y10S977/701 , Y10S977/902 , Y10T428/268 , C08L83/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicone composition that forms a silicone resin film superior in all clearness, mechanical properties (e.g., tensile strength, modulus), and thermal properties (e.g., coefficient of thermal expansion, glass transition temperature).SOLUTION: A nanomaterial-filled silicone composition includes: a condensation-curable silicone composition containing a silicone resin having an average of at least two silicon-bonded hydrogen atoms, hydroxy groups, or hydrolysable groups per molecule; and a carbon nanomaterial. The condensation-curable silicone composition includes a silicone resin having the formula (RRSiO)w(RSiO)x (RSiO)y(SiO)z (I), or a rubber-modified silicone resin prepared by forming soluble reaction product and (B) a condensation catalyst.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供形成所有清晰度，机械性能（例如拉伸强度，模量）和热性能（例如，热膨胀系数，玻璃化转变温度）优异的有机硅树脂膜的硅氧烷组合物，。解决方案：纳米材料填充的硅氧烷组合物包括：含有平均具有至少两个与硅键合的氢原子，羟基或每个分子的可水解基团的有机硅树脂的可缩合固化的硅氧烷组合物; 和碳纳米材料。可凝缩固化的硅氧烷组合物包括具有下式的有机硅树脂（R 1 2 SiO 1/2 ）w（R 2 2 SiO 2 SB SB =“POST”> 2/2 ）x（R 2 SiO 3/2 ）（ⅰ），或通过形成可溶性反应产物制备的橡胶改性的有机硅树脂和（B）缩合催化剂。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

AT441942T 未知
公开(公告)号：AT441942T
公开(公告)日：2009-09-15
申请号：AT07755589
申请日：2007-04-18
申请人： DOW CORNING , ITN ENERGY SYSTEMS INC
发明人： ANDERSON NICOLE R , KATSOULIS DIMITRIS ELIAS , REESE HERSCHEL HENRY , ZHU BIZHONG , WOODS LAWRENCE M , ARMSTRONG JOSEPH H , RIBELIN ROSINE M
IPC分类号： H01L31/0336 , C08L83/04 , H01L31/032 , H01L31/072
摘要： A copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. The CIS-based photovoltaic device further includes a substrate formed from a silicone composition. The substrate, because it is formed from the silicone composition, is both flexible and sufficiently able to withstand annealing temperatures in excess of 500° C. to obtain maximum efficiency of the device.

10. 发明专利

DE602007003216D1 未知
公开(公告)号：DE602007003216D1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：DE602007003216
申请日：2007-04-18
申请人： DOW CORNING , DOW CORNING TORAY CO LTD , ITN ENERGY SYSTEMS INC
发明人： BARNARD THOMAS DUNCAN , HARIMOTO YUKINARI , HATANAKA HIDEKATSU , ITOH MAKI , KATSOULIS DIMITRIS ELIAS , SUTO MICHITAKA , ZHU BIZHONG , WOODS LAWRENCE M , ARMSTRONG JOSEPH H , RIBELIN ROSINE M
IPC分类号： H01L31/0336 , C08L83/04 , H01L31/032 , H01L31/072
摘要： A copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. The CIS-based photovoltaic device further includes a substrate including a silicone layer formed from a silicone composition and a metal foil layer. The substrate, due to the presence of the silicone layer and the metal foil layer, is both flexible and sufficiently able to withstand annealing temperatures in excess of 500° C. to obtain maximum efficiency of the device.

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