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    • 10. 发明授权
    • Non-volatile memory devices including first and second blocking layer patterns
    • 包括第一和第二阻挡层图案的非易失性存储器件
    • US08530954B2
    • 2013-09-10
    • US12491529
    • 2009-06-25
    • Dong-Hyun KimChang-Jin Kang
    • Dong-Hyun KimChang-Jin Kang
    • H01L29/792
    • H01L21/28282
    • Non-volatile memory devices include a tunnel insulating layer on a channel region of a substrate, a charge-trapping layer pattern on the tunnel insulating layer and a first blocking layer pattern on the charge-trapping layer pattern. Second blocking layer patterns are on the tunnel insulating layer proximate sidewalls of the charge-trapping layer pattern. The second blocking layer patterns are configured to limit lateral diffusion of electrons trapped in the charge-trapping layer pattern. A gate electrode is on the first blocking layer pattern. The second blocking layer patterns may prevent lateral diffusion of the electrons trapped in the charge-trapping layer pattern.
    • 非易失性存储器件包括在衬底的沟道区上的隧道绝缘层,隧道绝缘层上的电荷俘获层图案和电荷俘获层图案上的第一阻挡层图案。 第二阻挡层图案位于邻近电荷俘获层图案侧壁的隧道绝缘层上。 第二阻挡层图案被配置为限制捕获在电荷俘获层图案中的电子的横向扩散。 栅电极位于第一阻挡层图案上。 第二阻挡层图案可以防止捕获在电荷俘获层图案中的电子的横向扩散。