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1. 发明专利

JP2011105524A Apparatus for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶的装置
公开(公告)号：JP2011105524A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：JP2009259234
申请日：2009-11-12
申请人： Denso Corp , Toyota Central R&D Labs Inc , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人： TAKAHANE HIDETAKA , KONDO HIROYUKI , HIROSE FUSAO , ADACHI AYUMI , GUNJISHIMA TSUKURU
IPC分类号： C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for producing an SiC single crystal, which provides a single crystal having an enlarged diameter and an elongated length while keeping the quality of the crystal. SOLUTION: In the apparatus for producing an SiC single crystal, a guide part 40 for introducing a sublimation gas to a seed crystal 23 and constituting a growth space of the SiC single crystal 22 is arranged between the seed crystal 23 and an SiC raw material 30 in a container body 10. The guide part 40 is configured to have a plurality of guide members 41-44 equipped with cylindrical parts 41a-44a each having a hollow part. The plurality of guide members 41-44 are provided inside the container body 10 while the guide members are separated from each other in the axis direction of the container body 10. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造SiC单晶的装置，其提供具有扩大直径和细长长度的单晶，同时保持晶体的质量。解决方案：在用于制造SiC单晶的装置中，将用于将升华气体引入晶种23并构成SiC单晶22的生长空间的引导部40布置在晶种23和SiC之间原料30在容器主体10中。引导部40构成为具有多个具有圆筒部41a〜44a的导向部件41〜44，各部具有中空部。多个引导构件41-44设置在容器主体10内部，同时引导构件在容器主体10的轴线方向上彼此分离。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2011105525A Apparatus for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶的装置
公开(公告)号：JP2011105525A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：JP2009259235
申请日：2009-11-12
申请人： Denso Corp , Toyota Central R&D Labs Inc , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人： TAKAHANE HIDETAKA , KONDO HIROYUKI , HIROSE FUSAO , ADACHI AYUMI , GUNJISHIMA TSUKURU
IPC分类号： C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for producing an SiC single crystal, which provides a single crystal having an enlarged diameter and an elongated length while keeping the quality of the crystal. SOLUTION: In the apparatus for producing an SiC single crystal, a guide part 40 is constituted by laminating a plurality of guide members 41-44 equipped with cylindrical parts 41a-44a each having a hollow part in the axis direction of a container body 10. In either one of opposing distal end faces of two guide members 41-44 adjacent in the lamination direction, a plurality of projected parts projecting toward the distal end face of other guide member are provided in a state separated in a circumferential direction, and the guide member on the seed crystal side is laminated on the guide member on the SiC raw material 30 side through the projected parts. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造SiC单晶的装置，其提供具有扩大直径和细长长度的单晶，同时保持晶体的质量。解决方案：在用于制造SiC单晶的装置中，引导部40通过层叠多个引导构件41-44而构成，多个引导构件41-44具有在容器的轴向方向上具有中空部的圆筒部41a〜44a 在沿着层叠方向相邻的两个引导构件41-44的相对的远端面中的任一个中，沿着圆周方向分离的状态设置有朝向另一个引导构件的前端面突出的多个突起部，并且晶种侧的引导构件通过突出部分层叠在SiC原料30侧的引导构件上。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2014214032A ＳｉＣ種結晶及びＳｉＣ単結晶の製造方法有权
标题翻译： SiC晶体及其制造方法SiC单晶
公开(公告)号：JP2014214032A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013090375
申请日：2013-04-23
申请人：株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社デンソー , Denso Corp , 昭和電工株式会社 , Showa Denko Kk
发明人： GUNJISHIMA TSUKURU , TAKAHANE HIDETAKA , SHONAI TOMOHIRO
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】SiC単結晶をc面成長させる場合において、c面成長時の多形安定性を向上させ、高品質な単結晶を得ることを可能にすること。【解決手段】SiC種結晶は、c面に対して略平行な面からなる成長面を備えている。前記SiC種結晶は、前記成長面の中に描ける最大内接円(前記最大内接円が複数個存在する場合には、前記最大内接円の内、オフセット方向の最も下流側に存在するもの)の外側に突出部を備えている。前記突出部は、オフセット方向上流側に存在し、かつ、前記オフセット方向下流側から前記オフセット方向上流側に向かって幅が狭くなっている。このようなSiC種結晶を用いてSiC単結晶をc面成長させる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高c平面生长期间的多晶型稳定性的SiC晶种，以便在交流平面上生长SiC单晶时获得高质量的单晶。解决方案：SiC晶种包括：生长表面，包括大致平行于交流平面的表面; 以及在生长面内部（当存在多个最大内切圆时，存在于最大内切圆中的偏移方向的下游侧上的最大内接圆）之外的最大内切圆之外的突出部分。突起部分存在于偏移方向的上游侧，并且具有从偏移方向的下游侧朝向偏移方向的上游侧的宽度。使用这种SiC晶种在c面上生长SiC单晶。

4. 发明专利

JP2014122140A Crucible for producing silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal production apparatus and production method of silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶，碳化硅单晶生产设备的坩埚和碳化硅单晶的生产方法
公开(公告)号：JP2014122140A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012279448
申请日：2012-12-21
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： FURUYA YUKI , GUNJISHIMA TSUKURU , TAKAHANE HIDETAKA
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crucible for producing a silicon carbide single crystal capable of suppressing deterioration of the inner wall of the crucible, and producing a silicon carbide single crystal having reduced carbon inclusion.SOLUTION: A crucible for producing a silicon carbide single crystal is used for growing a silicon carbide single crystal on a silicon carbide seed crystal. At least a part of the inner wall of the crucible for producing a silicon carbide single crystal is coated with a graphite sheet made of compressed graphite.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造能够抑制坩埚内壁的劣化的碳化硅单晶的坩埚，并且制造具有降低的碳夹杂物的碳化硅单晶。解决方案：一种用于生产碳化硅单晶的坩埚晶体用于在碳化硅晶种上生长碳化硅单晶。用于制造碳化硅单晶的坩埚的内壁的至少一部分涂覆有由压缩石墨制成的石墨片。

5. 发明专利

JP2014043394A Method for manufacturing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2014043394A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：JP2013247714
申请日：2013-11-29
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： KONDO HIROYUKI , TAKAHANE HIDETAKA , ADACHI AYUMI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing silicon carbide single crystal, in which a stable growth of a SiC single crystal is made possible when this SiC signal crystal is grown by using a manufacturing apparatus having a thermal insulator arranged around a crucible.SOLUTION: A Si content 21 is arranged in a container body 2a as a crucible 2, and a lid 2b is prepared. An insulator 20 made of graphite, in which Si is not absorbed to enclose the circumference of the crucible 2, is arranged at the outer circumference of the crucible 2. A Si-absorbing step is performed to make the insulator 20 absorb the sublimation gas having leaked from the crucible 2 by heating the crucible 2 and accordingly the Si content 21. After this, the crucible 2 is prepared by arranging a powdery raw material 5 in the container body 2a and by arranging a seed crystal 4 on a pedestal 3 disposed in the lid 2b. An insulator 11 having absorbed the Si obtained at the Si absorbing step is arranged around the outer circumference of that crucible 2, and the crucible 2 is heated to perform a growing step of growing a SiC single crystal 6 on the seed crystal 4.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造碳化硅单晶的方法，其中当通过使用具有布置在坩埚周围的绝热体的制造装置生长该SiC信号晶体时，可以使SiC单晶的稳定生长成为可能。解决方案：将Si含量21设置在作为坩埚2的容器主体2a中，并制备盖2b。在坩埚2的外周配置由石墨制成的绝缘体20，其中Si不被吸收以包围坩埚2的周边。进行Si吸收步骤以使绝缘体20吸收具有通过加热坩埚2和Si含量21从坩埚2泄漏。之后，通过将粉末状原料5布置在容器主体2a中并通过将晶种4布置在设置在底座3上的基座3上来制备坩埚2 盖2b。吸收了在Si吸收步骤中获得的Si的绝缘体11围绕该坩埚2的外周布置，并且对坩埚2进行加热，以进行在籽晶4上生长SiC单晶6的生长步骤。

6. 发明专利

JP2014058446A Method for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2014058446A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2013247715
申请日：2013-11-29
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： KONDO HIROYUKI , TAKAHANE HIDETAKA , ADACHI AYUMI
IPC分类号： C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a SiC single crystal that enables a stable growth of the SiC single crystal on growing the SiC single crystal using a producing apparatus with a heat insulator disposed around a crucible.SOLUTION: A Si absorbing step is performed by providing a vessel body 2a in which an Si containing material 21 is charged and a lid 2b as a crucible 2, disposing a heat insulator 20 of graphite without Si absorbed at the circumference of the crucible 2 so that it surrounds the circumference of the crucible 2, heating the Si containing material 21 by heating the crucible 2 to make the heat insulator 20 absorb a sublimation gas leaked from the crucible 2. Then, a growing step for growing the SiC single crystal on a seed crystal is performed by providing a crucible in which a powdery raw material is charged in the vessel body 2a and the seed crystal is disposed on a pedestal 3 formed on the lid 2b as the crucible 2, and heating the crucible 2 with the Si absorbed heat insulator 20 obtained by the Si absorbing step disposed at the circumference of the crucible 2 so that it surrounds the circumference of the crucible 2.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造SiC单晶的方法，其使用具有设置在坩埚周围的隔热材料的制造装置生长SiC单晶时能够稳定地生长SiC单晶。解决方案：Si吸收步骤通过提供其中装载有Si的材料21的容器主体2a和作为坩埚2的盖2b来进行，在坩埚2的周围设置没有Si的石墨的绝热体20，以使其围绕圆周坩埚2通过加热坩埚2来加热含Si材料21，以使绝热体20吸收从坩埚2泄漏的升华气体。然后，通过提供在晶种上生长SiC单晶的生长步骤其中将粉末状原料装入容器主体2a并将晶种设置在作为坩埚2的形成在盖2b上的基座3上的坩埚，并且用坩埚2加热坩埚2 e Si吸收通过设置在坩埚2的圆周处的Si吸收步骤获得的绝热体20，使得其围绕坩埚2的周围。

7. 发明专利

JP2011213563A Method for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2011213563A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：JP2010086032
申请日：2010-04-02
申请人： Denso Corp , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人： KONDO HIROYUKI , TAKAHANE HIDETAKA , ADACHI AYUMI
IPC分类号： C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing SiC single crystals, which method enables stable growth of the SiC single crystals when growing the SiC single crystals by using an apparatus for producing wherein a heat insulating material is arranged around a crucible.SOLUTION: In the method for producing the SiC single crystals, an Si inclusion is allocated as a crucible 2 in a container body 2a and a cover body 2b is prepared; a heat insulation material made of black lead and not having absorbed Si is allocated at the outer circumference of the crucible 2 so as to surround the outer circumference of the crucible 2; and by heating the crucible 2, the Si inclusion is heated to cause a sublimated gas leaked from the crucible 2 to be adsorbed by a heat insulating material, thus causing Si to be adsorbed. Then, a powder raw material 5 is allocated in the container body 2a as the crucible 2 and the crucible 2 wherein seed crystals 4 are allocated on a pedestal 3 established on the cover body 2b is prepared; and in such a state that a heat insulating material 11 obtained by the Si-adsorbing process and having adsorbed Si is arranged in the outer circumference of the crucible 2 so as to embrace the outer circumference of the crucible 2, the crucible 2 is heated to vegetate SiC single crystals 6 on the seed crystals 4.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种SiC单晶的制造方法，该方法能够通过使用绝热材料配置在坩埚周围的制造装置来生长SiC单晶时，可以稳定地生长SiC单晶。解决方案：在SiC单晶的制造方法中，将Si夹杂物作为坩埚2分配在容器主体2a中，制作盖体2b; 在坩埚2的外周配置由黑色铅构成的不具有吸收Si的绝热材料，以包围坩埚2的外周; 并且通过加热坩埚2，加热Si夹杂物，引起从坩埚2泄漏的升华气体被绝热材料吸附，从而使Si被吸附。然后，制作作为坩埚2的容器主体2a中的粉末原料5，并且准备在形成在盖体2b上的基座3上分配晶种4的坩埚2。并且在将坩埚2的外周配置为包围坩埚2的外周的状态下，将通过Si吸附法得到的吸附有Si的绝热材料11配置在坩埚2的外周，将坩埚2加热至种子晶体上植物SiC单晶6。

8. 发明专利

JP2017088415A ＳｉＣ単結晶成長装置およびＳｉＣ単結晶成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017088415A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015215686
申请日：2015-11-02
申请人：昭和電工株式会社 , Showa Denko Kk , 株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： FUJIKAWA YOHEI , TAKAHANE HIDETAKA
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】長尺、大口径で、かつ高品質なSiC単結晶を形成することができるSiC単結晶成長装置及びSiC単結晶成長方法の提供。【解決手段】内部にSiC単結晶成長用原料11を収納できる坩堝10と、坩堝10に対向する位置に種結晶設置部21を有する天井部20Aと坩堝10を囲む側壁20Bとを有し、坩堝10を覆う蓋体20と、種結晶設置部21側から坩堝10側へ向かって延在するガイド部30Aと、ガイド部30Aを支持する支持部30Bとを有するガイド部材30と、種結晶設置部21及び/またはガイド部材30を回転させる回転駆動手段40と、を備えるSiC単結晶成長装置100。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017114728A ＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ単結晶审中-公开
公开(公告)号：JP2017114728A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015252261
申请日：2015-12-24
申请人：昭和電工株式会社 , Showa Denko Kk , 株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： FUJIKAWA YOHEI , KONDO HIROYUKI , TAKAHANE HIDETAKA
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】局所的な結晶方位のずれを含むモザイク性を緩和することができるSiC単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係るSiC単結晶の製造方法は、a面成長とm面成長により種結晶を作製する種結晶作製工程と、前記種結晶からc軸方向にSiCを結晶成長させ、モザイク性緩和層を形成するモザイク性緩和工程と、前記モザイク性緩和層を除去する除去工程と、を有する。【選択図】図2

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