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1. 发明授权

US4517121A Method of increasing the supraconductive critical temperature in quasi unidimensional organic supraconductors and new supraconductive compounds thus obtained 失效
标题翻译：增加准一维有机超光光度计的超导性临界温度的方法和如此获得的新的超导光化合物
公开(公告)号：US4517121A
公开(公告)日：1985-05-14
申请号：US479068
申请日：1983-03-22
申请人： Denis Jerome , Claude More , Guy-Roland Roger , Jean-Pierre Sorbier , Jean-Marc Delrieu , Michel Ribault , Jean M. Fabre , Andre Fournel , Louis Giral , Klaus Bechgaard
发明人： Denis Jerome , Claude More , Guy-Roland Roger , Jean-Pierre Sorbier , Jean-Marc Delrieu , Michel Ribault , Jean M. Fabre , Andre Fournel , Louis Giral , Klaus Bechgaard
IPC分类号： H01L39/12 , C07F9/90 , C07F1/12 , C07F5/06 , C07F7/24
CPC分类号： H01L39/121
摘要： A process for increasing the critical supraconductive temperature of the organic molecular crystalline compound (TMTSF).sub.2 X in which TMTSF is di-2,2'-bi-4,5-dimethyl-1,3-diselenol and X is C1O.sub.4, PF.sub.6, TaF.sub.6, SbF.sub.6, AsF.sub.6 or ReO.sub.4 comprising cross-linking the chains of the crystalline compound with at least one metal selected from gold, silver, aluminum, lead, indium, gallium or selenium.
摘要翻译： PCT No.PCT / FR82 / 00123 Sec。 371日期1983年3月22日 102（e）1983年3月22日PCT PCT。1982年7月21日PCT公布。出版物WO83 / 00410 日本1983年2月3日。一种增加有机分子结晶化合物（TMTSF）2X的关键超导温度的方法，其中TMTSF是二-2,2'-二-4,5-二甲基-1,3-硒硒酚，以及 X是C1O4，PF6，TaF6，SbF6，AsF6或ReO4，其包括使结晶化合物的链与至少一种选自金，银，铝，铅，铟，镓或硒的金属交联。

2. 发明授权

US07026588B2 Microwave treatment of objects and single-piece components 有权
标题翻译：微波处理对象和单件组件
公开(公告)号：US07026588B2
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：US10433962
申请日：2001-12-07
申请人： Michel Delmotte , Claude More
发明人： Michel Delmotte , Claude More
IPC分类号： H05B6/70
CPC分类号： H05B6/705 , H05B6/688 , H05B6/70 , H05B6/701 , Y02B40/146
摘要： The invention concerns a device for microwave treatment in an applicator (1), characterized in that it comprises, arranged in the applicator, impedance adapting dielectric means (2, 7, 8) having shapes and dimensions adapted to the objects (10) to be treated and to the characteristics of wave propagation modes.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在施用器（1）中进行微波处理的装置，其特征在于，其包括设置在施加器中的阻抗适配电介质装置（2,7,8），其具有适于所述物体（10）的形状和尺寸处理和波传播模式的特点。

3. 发明授权

US5609891A Method to treat materials by microwave 失效
标题翻译：微波处理材料的方法
公开(公告)号：US5609891A
公开(公告)日：1997-03-11
申请号：US487642
申请日：1995-06-07
申请人： Didier Delaunay , Henri Jullien , Claude More , Lhoussain Outifa , Michel Delmotte , Bernard Maestrali
发明人： Didier Delaunay , Henri Jullien , Claude More , Lhoussain Outifa , Michel Delmotte , Bernard Maestrali
IPC分类号： B29C33/06 , H05B6/80 , B29C35/08
CPC分类号： B29C33/06 , H05B6/80
摘要： A device for microwave treatment of materials includes a mold (1) used to hold the material (3) to be treated and a microwave generator which is used to apply to the mold (1) the microwave energy necessary for treatment of the material. The mold includes at least two dielectric materials (4,5,6,7) surrounding the material (3) to be treated. The dielectric materials have dielectric permittivities which differ so that the attenuation of one elementary segment of length l located between the points of side z(n-1) and zn of the longitudinal dimension of the material (3) to be treated which includes at least one section broken up into segments of length l, is controlled by the relationship: ##EQU1## in which: .alpha. is the attenuation in the elementary segment in question,.alpha.o is the initial attenuation in the body of the section which includes the elementary segment in question,Po is the microwave power applied to the section, P(n-1) is the microwave power transmitted in the plane of side z(n-1).
摘要翻译：用于微波处理材料的装置包括用于保持待处理材料（3）的模具（1）和用于向模具（1）施加用于处理材料所需的微波能量的微波发生器。模具包括围绕待处理材料（3）的至少两个电介质材料（4,5,6,7）。电介质材料具有不同的介电介电常数，使得长度为1的一个基本段的衰减位于要处理的材料（3）的纵向尺寸的z（n-1）面和zn侧的点之间，其至少包括分为长度l的段的一个部分由以下关系控制：其中：α是所讨论的基本段中的衰减，αo是包括基本段的部分的体内的初始衰减在这个问题上，Po是施加到该部分的微波功率，P（n-1）是在z（n-1）侧的平面中传输的微波功率。

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