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    • 3. 发明授权
      US4791463A Structure for contacting devices in three dimensional circuitry 失效
    • Structure for contacting devices in three dimensional circuitry
    • 用于在三维电路中接触设备的结构
    • US4791463A
    • 1988-12-13
    • US801037
    • 1985-11-22
    • Satwinder S. Malhi
    • Satwinder S. Malhi
    • H01L21/225 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/78
    • H01L27/10864 , H01L21/2257 , H01L27/10841
    • The present invention is described in conjunction with the fabrication of a dRAM cell which an important application of the present invention. The described cell provides a one-transistor/one-capacitor dRAM cell structure and array in which the cell transistor is formed on the sidewalls of a substrate trench containing the cell capacitor; the word and bit lines cross over this trench. This stacking of the transistor on top of the capacitor yields a cell with minimal area on the substrate and solves a problem of dense packing of cells. One capacitor plate and the transistor channel and source region are formed in the bulk sidewall of the trench and the transistor gate and the other plate of the capacitor are both formed in polysilicon in the trench but separated from each other by an oxide layer inside the trench. The signal charge is stored on the polysilicon capacitor plate by an electrical connection of the source region with the polysilicon capacitor plate. The described embodiment provides an electrical connection which allows separate connection to the capacitor.
    • 结合本发明的重要应用的dRAM单元的制造来描述本发明。 所描述的单元提供单晶体管/单电容器dRAM单元结构和阵列，其中单元晶体管形成在包含单元电容器的基板沟槽的侧壁上; 字和位线跨过这个沟槽。 晶体管在电容器顶部的堆叠产生在衬底上具有最小面积的电池，并解决了电池致密堆积的问题。 一个电容器板和晶体管沟道和源极区域形成在沟槽的体侧壁中，并且晶体管栅极和电容器的另一个板都形成在沟槽中的多晶硅中，但是通过沟槽内的氧化物层彼此分离 。 信号电荷通过源极区域与多晶硅电容器板的电连接而存储在多晶硅电容器板上。 所描述的实施例提供允许分离连接到电容器的电连接。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明授权
      US4829017A Method for lubricating a high capacity dram cell 失效
    • Method for lubricating a high capacity dram cell
    • 润滑高容量电池的方法
    • US4829017A
    • 1989-05-09
    • US912030
    • 1986-09-25
    • Satwinder S. Malhi
    • Satwinder S. Malhi
    • H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/78
    • H01L27/10864 , H01L27/10841
    • A dynamic random access memory cell (14) is disclosed which is characterized by a high capacity storage element and small lateral wafer area. The cell (14) is constructed with a word line (40) overlying a split bit line (48, 50), with an underlying transistor 30, and yet thereunder a high capacitance capacitor (34). The word line (40) includes a member (42) isolated from the bit line (36) and formed therethrough to provide the transistor gate conductor. The transistor gate insulator (44) covers the gate conductor (42), and is encircled by a transistor semiconductor region (46) forming a vertical transistor conduction channel. The split bit line elements (48, 50) are in electrical contact with an underlying transistor drain region (126). The transistor conduction channel (46) is also in contact with an underlying transistor source region forming one plate (52) of the capacitor (34). The capacitor plate (52) is a core which is enclosed annularly by dielectric isolation (54). Another semiconductor capacitor plate (56) encircles the dielectric isolation (54).
    • 公开了一种动态随机存取存储器单元（14），其特征在于高容量存储元件和小的横向晶片面积。 单元（14）由覆盖分割位线（48,50）的字线（40）构成，具有下面的晶体管30，而在高容量电容器（34）之下。 字线（40）包括与位线（36）隔离并形成在其中以提供晶体管栅极导体的构件（42）。 晶体管栅极绝缘体（44）覆盖栅极导体（42），并被形成垂直晶体管导通沟道的晶体管半导体区域（46）包围。 分开的位线元件（48,50）与底层晶体管漏极区（126）电接触。 晶体管传导通道（46）也与形成电容器（34）的一个板（52）的底层晶体管源区接触。 电容器板（52）是通过电介质隔离（54）环形封闭的芯。 另一个半导体电容器板（56）围绕绝缘隔离（54）。
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    • 8. 发明授权
      US4797373A Method of making dRAM cell with trench capacitor 失效
    • Method of making dRAM cell with trench capacitor
    • 制造具有沟槽电容器的dRAM单元的方法
    • US4797373A
    • 1989-01-10
    • US122560
    • 1987-11-12
    • Satwinder S. Malhi , Gordon P. Pollack
    • Satwinder S. Malhi , Gordon P. Pollack
    • H01L21/225 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/302
    • H01L27/10864 , H01L21/2257 , H01L27/10841
    • A dRAM cell and array of cells, together with a method of fabrication, are disclosed wherein the cell includes one field effect transistor and one storage capacitor with both the transistor and the capacitor formed in a trench in a substrate. The transistor source, channel and drain and one capacitor plate are formed essentially vertically in the bulk substrate sidewalls of the trench, and the gate and other capacitor plate are formed in two regions of material inserted into the trench and isolated from the bulk by an insulating layer. Signal charge is stored on the capacitor material inserted into the trench by an electrical connection of the bulk substrate source to the capacitor material through the insulating layer. In preferred embodiments word lines on the substrate surface connect to the upper of the inserted regions which forms the gate, and bit lines on the substrate surface form the drains. The trenches and cells are formed at the crossings of bit lines and word lines; the bit lines and the word lines form perpendicular sets of parallel lines.
    • 公开了一种dRAM单元和单元阵列及其制造方法，其中单元包括一个场效应晶体管和一个存储电容器，晶体管和电容器都形成在衬底中的沟槽中。 晶体管源极，沟道和漏极以及一个电容器板基本垂直地形成在沟槽的主体衬底侧壁中，并且栅极和其它电容器板形成在插入到沟槽中的两个材料区域中，并且通过绝缘体与本体隔离 层。 信号电荷通过绝缘层通过体衬底源与电容器材料的电连接而被存储在插入到沟槽中的电容器材料上。 在优选实施例中，衬底表面上的字线连接到形成栅极的插入区域的上部，衬底表面上的位线形成漏极。 在位线和字线的交叉处形成沟槽和电池; 位线和字线形成垂直的平行线组。
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