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1. 发明专利

DE112012000748T5 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE112012000748T5
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：DE112012000748
申请日：2012-02-06
申请人： DENSO CORP , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： WATANABE YUKIHIKO , YAMAMOTO KENSAKU , NOBORIO MASATO , TAKAYA HIDEFUMI , SUGIMOTO MASAHIRO , SOEJIMA NARUMASA , ISHIKAWA TSUYOSHI , MATSUKI HIDEO
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Eine SiC-Halbleitervorrichtung weist auf: ein Halbleiterschaltelement mit: einem Substrat (1), einer Driftschicht (2) und einem Basisbereich (3), die in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet sind; einem Source-Bereich (4) und einem Kontaktbereich (5) im Basisbereich (3); einem Graben (6), der sich von einer Oberfläche des Source-Bereichs (4) erstreckt, um den Basisbereich (3) zu durchdringen; einer Gate-Elektrode (9) auf einem Gate-Isolierfilm (8) im Graben (6); einer Source-Elektrode (11), die elektrisch mit dem Source-Bereich (4) und dem Basisbereich (3) verbunden ist; einer Drain-Elektrode (13) auf einer Rückseite des Substrats (1); und mehreren tiefen Schichten (10) in einem oberen Abschnitt der Driftschicht (2), die tiefer als der Graben (6) reichen. Jede tiefe Schicht (10) weist einen oberen und einen unteren Abschnitt (10b, 10a) auf. Eine Breite des oberen Abschnitts (10b) ist geringer als eine Breite des unteren Abschnitts (10a).

2. 发明专利

DE112012004406T5 Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben 未知
公开(公告)号：DE112012004406T5
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：DE112012004406
申请日：2012-10-17
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD , DENSO CORP
发明人： SOEJIMA NARUMASA , WATANABE YUKIHIKO , TAKAYA HIDEFUMI , MATSUKI HIDEO , SUZUKI NAOHIRO , ISHIKAWA TSUYOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66
摘要： Eine Halbleitereinrichtung hat ein Halbleitersubstrat mit einem Körperbereich, einem Driftbereich, einem Graben, der sich von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch den Körperbereich in den Driftbereich erstreckt, und einen Sourcebereich, der benachbart zu dem Graben in einem Bereich angeordnet ist, der an der Oberfläche des Halbleitersubstrats außen liegt, wobei der Sourcebereich von dem Driftbereich durch den Körperbereich isoliert ist. Eine spezifische Schicht ist auf einem Boden des Grabens angeordnet, und hat eine Charakteristik des Bildens einer Verarmungsschicht an einem Übergang zwischen der spezifischen Schicht und dem Driftbereich. Eine Isolationsschicht bedeckt eine obere Oberfläche der spezifischen Schicht und eine Seitenwand des Grabens. Ein leitfähiger Abschnitt ist auf einem Teil der Seitenwand des Grabens gebildet. Der leitfähige Abschnitt ist mit der spezifischen Schicht verbunden und erreicht die Oberfläche des Halbleitersubstrats.

3. 发明专利

DE112011101964T5 Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitereinrichtung 未知
公开(公告)号：DE112011101964T5
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：DE112011101964
申请日：2011-06-02
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD , DENSO CORP
发明人： TAKAYA HIDEFUMI , MATSUKI HIDEO , SUZUKI NAOHIRO , ISHIKAWA TSUYOSHI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要： Die Durchbruchspannungscharakteristik einer Halbleitereinrichtung kann verbessert werden. Die Halbleitereinrichtung hat ein Abschlussgebiet, das ein Zellgebiet umgibt. In dem Zellgebiet sind Hauptgräben gebildet. In dem Abschlussgebiet sind Abschlussgräben gebildet, die das Zellgebiet umgeben. Einer der Abschlussgräben ist an der innersten Umfangsseite der Abschlussgräben lokalisiert. Eine Raumregion ist auf der Oberfläche einer Drift-Region gestapelt. Die Hauptgräben erreichen die Drift-Region und haben darin gebildete Gate-Elektroden. Der eine der Abschlussgräben erreicht die Drift-Region und ihre Wand und ihr Boden sind bedeckt mit einer Oxidschicht. Eine Oberfläche der Oxidschicht, die den Boden des einen der Abschlussgräben bedeckt, ist mit einer vergrabenen Elektrode bedeckt. Eine Gate-Spannung ist an die vergrabene Elektrode angelegt.

4. 发明专利

DE112012000755T5 Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE112012000755T5
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：DE112012000755
申请日：2012-02-06
申请人： DENSO CORP , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： TAKAYA HIDEFUMI , SUGIMOTO MASAHIRO , SOEJIMA NARUMASA , WATANABE YUKIHIKO , NOBORIO MASATO , YAMAMOTO KENSAKU , MATSUKI HIDEO , ISHIKAWA TSUYOSHI
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Eine SiC-Vorrichtung weist einen MOSFET des Inversionstyps auf, der aufweist: ein Substrat (1), eine Driftschicht (2) und einen Basisbereich (3), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind; einen Source- und einen Kontaktbereich (4, 5) in oberen Abschnitten des Basisbereichs (3); einen Graben (6), der den Source- und den Basisbereich (4, 3) durchdringt; eine Gate-Elektrode (9) auf einem Gate-Isolierfilm (8) in dem Graben (6); eine Source-Elektrode (11), die mit dem Source- und dem Basisbereich (4, 3) verbunden ist; eine Drain-Elektrode (13) auf einer Rückseite des Substrats (1); und mehrere tiefe Schichten (10) in einem oberen Abschnitt der Driftschicht (2), die tiefer als der Graben (6) reichen. Jede tiefe Schicht (10) weist eine Störstellenkonzentrationsverteilung in einer Tiefenrichtung auf, und eine Inversionsschicht wird unter Anlegen der Gate-Spannung in einem Abschnitt der tiefen Schicht (10) auf der Seite des Grabens (6) gebildet.

5. 发明专利

DE102015118698A1 Siliziumkarbidhalbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen der Siliziumkarbidhalbleitereinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015118698A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：DE102015118698
申请日：2015-11-02
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： MATSUKI HIDEO , SAKAKIBARA JUN , AOI SACHIKO , WATANABE YUKIHIKO , ONOGI ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16
摘要： Eine Siliziumkarbidhalbleitereinrichtung enthält ein MOSFET und eine periphere Hochdurchbruchsspannungsstruktur. Ein Sourcebereich hat eine erste Vertiefung (4a). Gräben erstrecken sich von dem Boden der ersten Vertiefung. Eine Gateisolationsschicht hat eine Erweiterung (8a), deren Form der Form der ersten Vertiefung folgt. Die Oberfläche einer Gateelektrode ist so positioniert, dass sie bündig mit oder unterhalb der oberen Oberfläche der Erweiterung ist.

6. 发明专利

DE102009021718A1 未知
公开(公告)号：DE102009021718A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：DE102009021718
申请日：2009-05-18
申请人： DENSO CORP
发明人： MATSUKI HIDEO , OKUNO EIICHI , SUZUKI NAOHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

7. 发明专利

DE19650544A1 Flat antenna and phase comparison mono pulsed radar system 未知
公开(公告)号：DE19650544A1
公开(公告)日：1997-06-12
申请号：DE19650544
申请日：1996-12-05
申请人： DENSO CORP
发明人： SASAKI KUNIHIKO , YUKUMATSU MASANOBU , SAITO TOSHIYA , MATSUKI HIDEO , HAZUMI HIROSHI
IPC分类号： H01Q3/24 , G01S7/03 , G01S7/285 , G01S13/02 , G01S13/06 , G01S13/34 , G01S13/44 , G01S13/66 , G01S13/87 , G01S13/93 , H01Q21/06 , H01Q21/22 , H01Q25/02
摘要： The radar system for use in road vehicles has a receiver antenna 10 that has arrays of detector elements 24 formed on the surface of a dielectric substrate 22, in a predefined matrix structure. The substrate has a laminated region, and this contains the parallel feed lines 26a for the arrays of the detector antenna elements. The feed lines are coupled with the outer ones containing the high frequency switching stages. The outer surface of this second substrate is covered with an earthing conductor.

8. 发明专利

DE102005017814B4 Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102005017814B4
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：DE102005017814
申请日：2005-04-18
申请人： DENSO CORP
发明人： KOJIMA JUN , ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , MITSUOKA YOSHIHITO , HISADA YOSHIYUKI , MATSUKI HIDEO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/15 , H01L29/24 , H01L29/51
摘要： Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement mit: einem Halbleitersubstrat (1), welches aus einkristallinem Siliziumkarbid hergestellt ist und eine Hauptoberfläche (1a) und eine der Hauptoberfläche (1a) gegenüberliegende Rückseitenoberfläche (1b) aufweist; einer Driftschicht (2), welche aus Siliziumkarbid eines ersten Leitfähigkeitstyps hergestellt ist, auf der Hauptoberfläche (1a) des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist und eine Dotierungskonzentration aufweist, die niedriger als eine Dotierungskonzentration des Halbleitersubstrats (1) ist; einem Basisgebiet (3a, 3b), welches einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, auf einem vorbestimmten Bereich der Driftschicht (2) angeordnet ist und eine vorbestimmte Dicke aufweist; einem Sourcegebiet (4a, 4b), welches den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, auf einem vorbestimmten Oberflächenabschnitt des Basisgebiets (3a, 3b) angeordnet ist und flacher als die Tiefe des Basisgebiets (3a, 3b) ist; einer Oberflächenkanalschicht (5), welche aus Siliziumkarbid des ersten Leitfähigkeitstyps hergestellt ist, auf Oberflächenabschnitten sowohl der Driftschicht (2) als auch des Basisgebiets (3a, 3b) angeordnet ist und eine vorbestimmte Konzentration und eine vorbestimmte Dicke für eine Verbindung zwischen dem Sourcegebiet (4a, 4b) und der Driftschicht (2) aufweist; einem Gateisolierfilm (7), welcher auf einer Oberfläche der Oberflächenkanalschicht (5) angeordnet ist, wobei der Gateisolierfilm einen Film (7a) umfasst, der eine hohe Dielektrizitätskonstante besitzt; einer Gateelektrode (8), welche auf dem Gateisolierfilm (7) angeordnet ist; einer Sourceelektrode (10), welche auf dem Sourcegebiet (4a, 4b) angeordnet ist; und einer Rückseitenelektrode (11), welche auf der Rückseitenoberfläche (1b) des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist, wobei die Hauptoberfläche (1a) wenigstens zwei Oberflächen enthält, von denen eine von einer (0001)-Si-Oberfläche aus um einen Winkel in einem Bereich zwischen 10 Grad und 20 Grad geneigt ist und die andere die (0001)-Si-Oberfläche ist.

9. 发明专利

DE19650544B4 未知
公开(公告)号：DE19650544B4
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：DE19650544
申请日：1996-12-05
申请人： DENSO CORP
发明人： SASAKI KUNIHIKO , YUKUMATSU MASANOBU , SAITO TOSHIYA , MATSUKI HIDEO , HAZUMI HIROSHI
IPC分类号： H01Q3/24 , H01Q21/22 , G01S7/03 , G01S7/28 , G01S7/285 , G01S13/02 , G01S13/06 , G01S13/34 , G01S13/44 , G01S13/66 , G01S13/87 , G01S13/93 , H01Q21/06 , H01Q25/02
摘要： A planar array antenna comprises a plurality of antenna elements disposed in a predetermined matrix pattern. Feeders extend from a feed to the antenna elements. High-frequency switches cooperatively open or close the feeders connected to antenna elements of at least one row of the matrix pattern located at both a right-end and a left-end regions of an antenna surface. Switching signals are supplied to the high-frequency switches from switching terminals for alternately activating the associated antenna elements, thereby providing two time-divisional array antennas offset in position by a distance corresponding to the width of at least one row of the antenna elements controlled.

10. 发明专利

DE102005017814A1 未知
公开(公告)号：DE102005017814A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：DE102005017814
申请日：2005-04-18
申请人： DENSO CORP
发明人： KOJIMA JUN , ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , MITSUOKA YOSHIHITO , HISADA YOSHIYUKI , MATSUKI HIDEO
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/15 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/78
摘要： A silicon carbide semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a principal surface and a backside surface; a drift layer disposed on the principal surface; a base region disposed on the drift layer; a source region disposed on the base region; a surface channel layer disposed on both of the drift layer and the base region for connecting between the source region and the drift layer; a gate insulation film disposed on the surface channel layer and including a high dielectric constant film; a gate electrode disposed on the gate insulation film; a source electrode disposed on the source region; and a backside electrode disposed on the backside surface.

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