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1. 发明申请

WO2007025793A1 NANOSCALE SILICON PARTICLES 审中-公开
标题翻译：纳米硅胶颗粒
公开(公告)号：WO2007025793A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/EP2006/063953
申请日：2006-07-06
申请人： DEGUSSA AG , BAUMER, Andrea , BRANDT, Martin,S. , STUTZMANN, Martin , WIGGERS, Hartmut
发明人： BAUMER, Andrea , BRANDT, Martin,S. , STUTZMANN, Martin , WIGGERS, Hartmut
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： C01B33/027 , Y10T428/2993
摘要： Nanoscale silicon particles that have a BET specific surface area in the range of 100 to 800 m2/g, that consist of an essentially round, mostly unfacetted crystalline Si core surrounded by an amorphous shell, the amorphous shell comprising silica and hydrogen-terminated silicon atoms and have a paramagnetic defect density in the range of 1013 to 1017 1/mg. Essentially hydrogen terminated, nanoscale silicon particles having a paramagnetic defect density in the range of 10 12 to 10 16 1/mg obtained by treating the nanoscale silicon particles with hydrofluoric acid. Essentially alkyl terminated nanoscale silicon particles having a paramagnetic defect density in the range of 3xl0 12 to 3xl0 16 1/mg obtained by treating the essentially hydrogen terminated, nanoscale silicon particles with one or more compounds selected from the group of 1-alkenes and/or 1-alkynes. Partially alkyl terminated nanoscale silicon particles having a paramagnetic paramagnetic defect density in the range of 3xl0 12 to 3xl0 16 1/mg obtained by treating the nanoscale silicon particles with one or more compounds selected from the group of 1-alkenes and/or 1-alkynes.
摘要翻译：具有100-800m2 / g范围内的BET比表面积的纳米级硅颗粒，其由被无定形壳包围的基本上圆形的，大部分为未结晶的晶体Si核构成，所述无定形壳包含二氧化硅和氢封端的硅原子并且具有1013至1017 1 / mg范围内的顺磁性缺陷密度。基本上氢封端，通过用氢氟酸处理纳米级硅颗粒而获得的具有在10 12至10 16 / mg范围内的顺磁性缺陷密度的纳米尺度硅颗粒。本质上是烷基封端的纳米尺度硅颗粒，其具有通过用一个（例如）处理基本上氢的封端的纳米级硅颗粒获得的3×10 12至3×10 16 / mg范围内的顺磁性缺陷密度或更多选自1-烯烃和/或1-炔烃的化合物。通过用一种或多种化合物处理纳米尺度硅颗粒而获得的部分烷基封端的纳米尺度硅颗粒具有在3×10 12至3×10 16 / mg范围内的顺磁性顺磁性缺陷密度选自1-烯烃和/或1-炔烃。

2. 发明申请

WO2009024414A2 THERMOKRAFTELEMENT ODER PELTIER-ELEMENTE AUS GESINTERTEN NANOKRISTALLEN AUS SILICIUM, GERMANIUM ODER SILICIUM-GERMANIUM LEGIERUNGEN 审中-公开
标题翻译：硅，锗或硅 - 锗合金烧结纳米颗粒的热电偶元件或元件
公开(公告)号：WO2009024414A2
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/EP2008/059268
申请日：2008-07-16
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , EBBERS, André , TROCHA, Martin , LECHNER, Robert , BRANDT, Martin S. , STUTZMANN, Martin , WIGGERS, Hartmut , SCHULZ, Christof
发明人： EBBERS, André , TROCHA, Martin , LECHNER, Robert , BRANDT, Martin S. , STUTZMANN, Martin , WIGGERS, Hartmut , SCHULZ, Christof
IPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung thermoelektrischer Bauelemente oder Peltier-Elemente sowie diese Bauelemente aus gedruckten Siliciumschichten, hergestellt aus Dispersionen von zumindest teilweise dotierten, halbleitenden Partikeln, insbesondere aus Silicium, Germanium oder Silicium- Germanium-Legierungen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造热电元件或珀耳帖元件的方法以及由至少部分掺杂的半导体粒子，尤其是硅，锗或硅锗的分散体制成的印刷硅层的这些部件。合金。

3. 发明申请

WO2008071504A2 POROUS SILICON 审中-公开
标题翻译：多孔硅
公开(公告)号：WO2008071504A2
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/EP2007/062032
申请日：2007-11-08
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN , PETRAT, Frank-Martin , STUTZMANN, Martin , DIENER, Joachim , KOVALEV, Dmitri , BRANDT, Martin S.
发明人： PETRAT, Frank-Martin , STUTZMANN, Martin , DIENER, Joachim , KOVALEV, Dmitri , BRANDT, Martin S.
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/027
摘要： Porous silicon composed of particles having an average diameter of 10 to 100 nm, the particles having pores throughout, and the particles in turn containing partially fused crystallites having an average diameter of less than 5 nm.
摘要翻译：由平均直径为10-100nm的颗粒组成的多孔硅，该颗粒整个具有孔，并且该颗粒又包含平均直径小于5nm的部分熔融的微晶。

4. 发明申请

WO2007025536A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SILIZIUMHALTIGER OBERFLÄCHEN UND OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：用于生产硅结构面和光电电子元件
公开(公告)号：WO2007025536A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001537
申请日：2006-09-01
申请人： KOYNOV, Svetoslav , BRANDT, Martin, S. , STUTZMANN, Martin
发明人： KOYNOV, Svetoslav , BRANDT, Martin, S. , STUTZMANN, Martin
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L21/308
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02363 , H01L33/22 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren beschrieben zur Texturierung von siliziumhaltigen Oberflächen und Bauelementen. Dazu wird eine metallhaltige Schicht auf die siliziumhaltige Oberfläche gebracht und diese Oberfläche dann in einer Lösung aus HF oder NH 4 F oder Mischungen davon und einem Oxidationsmittel geätzt. Die Oberfläche zeigt nach der Texturierung eine Oberflächenstruktur mit typischen Strukturgrößen von 50 bis 250 nm. Die Reflektivität der siliziumhaltigen Oberfläche wird durch das Verfahren typischerweise auf weniger als 5% reduziert, wie in der Abbildung am Beispiel der Reflektion einer mit dem Verfahren textu- rierten einkristallinen Siliziumoberfläche gezeigt ist. Das Verfahren lässt sich auf Materialien unterschiedlicher struktureller Modifikation (ein-, poly-, mikro-, nano-, protokristallin oder amorph), Orientierung, Legierung und Dotierung anwenden und ist insbesondere auch für Bauelemente geeignet, die mit Hilfe von Dünnschichttechnik hergestellt werden. Bauelemente, deren Oberflächen mit Hilfe dieses Verfahrens texturiert sind, können vorteilhaft als Solarzellen, Photodetektoren, Leuchtdioden oder zur Ein- und Auskopplung von Licht in Wellenleitern verwendet werden.
摘要翻译：描述了一种用于含硅表面和部件的纹理化的方法。为了这个目的，一个含金属层被施加到表面上，然后含硅 F或它们的混合物，和氧化剂，该表面在HF或NH _{的溶液中被蚀刻。4 面向纹理具有50至250nm的典型的结构尺寸的表面结构的表面上。在含硅表面的反射率通过该方法典型地降低至小于5％，作为织构在图中所述方法捕获的原始单晶硅反射的示例硅表面被示出。该方法可以被应用于不同的结构修饰（单，多，微，纳米，原晶或无定形的）的材料，适用取向合金和掺杂剂，特别适合于被使用薄膜技术制造的部件。部件其表面用该方法是有纹理的，可以有利地用作太阳能电池，光电探测器，发光二极管或用于进出光在波导中的耦合。}

5. 发明申请

WO2006122877A1 DISPERSION CONTAINING SILICON POWDER AND COATING PROCESS 审中-公开
标题翻译：含硅粉和涂层工艺的分散体
公开(公告)号：WO2006122877A1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：PCT/EP2006/062040
申请日：2006-05-04
申请人： DEGUSSA AG , GJUKIC, Mario , LECHNER, Robert , STUTZMANN, Martin
发明人： GJUKIC, Mario , LECHNER, Robert , STUTZMANN, Martin
IPC分类号： C01B33/021 , H01L31/0368
CPC分类号： C23C10/02 , C01B33/029 , C23C10/26 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Dispersion containing silicon powder and a liquid phase, in which the silicon powder is predominantly in crystalline form and the particles in the dispersion have a mean diameter D50 of less than 500 nm and a BET surface area of more than 5 m 2 /g. Process for coating a substrate with a nanosize silicon layer having a thickness of from 1 nm to 5 μm using the dispersion. Process for coating a substrate with a closed, polycrystalline silicon layer by means of aluminium-induced layer exchange, in which a dispersion containing nanosize silicon powder is firstly applied to the surface of an aluminium-coated substrate and, after drying of the nanosize silicon layer, the layer structure composed of substrate, aluminium and nanosize silicon powder is thermally treated in an inert atmosphere at a temperature below the eutectic temperature of the mixture of silicon and aluminium.
摘要翻译：含硅粉末和液相的分散体，其中硅粉末主要是结晶形式，分散体中的颗粒的平均直径D50小于500nm，BET表面积大于5m 2， / SUP> / g以下。使用分散体用厚度为1nm至5μm的纳米尺寸硅层涂覆基板的方法。通过铝诱导层交换用封闭的多晶硅层涂覆基板的方法，其中首先将含有纳米尺寸硅粉末的分散体施加到铝涂覆的基板的表面上，并且在干燥纳米尺寸硅层在低于硅和铝的混合物的共晶温度的温度下，在惰性气氛中对由基底，铝和纳米尺寸硅粉末组成的层结构进行热处理。

6. 发明申请

WO2012119740A3 STRAHLUNGSDETEKTOR UND MESSEINRICHTUNG ZUR DETEKTION VON RÖNTGENSTRAHLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2012119740A3
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/EP2012/000945
申请日：2012-03-02
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM MÜNCHEN DEUTSCHES FORSCHUNGSZENTRUM FÜR GESUNDHEIT UND UMWELT (GMBH) , THALHAMMER, Stefan , HOFSTETTER, Markus , HOWGATE, John , STUTZMANN, Martin
发明人： THALHAMMER, Stefan , HOFSTETTER, Markus , HOWGATE, John , STUTZMANN, Martin
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/103
摘要： Ein Strahlungsdetektor (10), insbesondere zur Detektion von Röntgenstrahlung, umfasst ein Trägersubstrat (11), eine Detektorschicht (12), die GaN enthält, auf dem Trägersubstrat (11) angeordnet ist und eine Dicke geringer als 50 μm aufweist, und Kontaktelektroden (13), die mit der Detektorschicht (12) ohmsche Kontakte bilden. Es wird auch eine Messeinrichtung beschrieben, die mit mindestens einem derartigen Strahlungsdetektor (10) ausgestattet ist.

7. 发明申请

WO2010142773A2 SEMICONDUCTOR BIOSENSORS 审中-公开
标题翻译：半导体生物传感器
公开(公告)号：WO2010142773A2
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/EP2010/058183
申请日：2010-06-10
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM MÜNCHEN DEUTSCHES FORSCHUNGSZENTRUM FÜR GESUNDHEIT UND UMWELT (GMBH) , THALHAMMER, Stefan , HOFSTETTER, Markus , HOWGATE, John , STUTZMANN, Martin
发明人： THALHAMMER, Stefan , HOFSTETTER, Markus , HOWGATE, John , STUTZMANN, Martin
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01T1/02 , G01N33/48728
摘要： The present invention relates to semiconductor devices, in particular to a device for monitoring a cell signal such as an electrical signal produced by living cells in response to external stimulation, optionally in real time, comprising (a) at least one discrete area comprising a high electron mobility transistor (HEMT); and (b)non-excitable cells attached to said HEMT (HEMT element). Preferably, said device, and preferably said at least one discrete area which comprises a HEMT, has a surface suitable for cell attachment or growth. Accordingly, the device can be applied in uses and methods for monitoring a cell signal such as an electrical signal produced by living cells in response to external stimulation, optionally in real time. Likewise, the device can be applied for screening compounds that reverse, protect from and/or shield cells from external stimuli which cause damage to cells. Also, kits comprising the device are an aspect of the present invention.
摘要翻译：本发明涉及半导体器件，特别涉及一种用于监测细胞信号（例如，响应于外部刺激而由活细胞产生的电信号，可选地实时地）产生的电信号的装置，包括：（a）至少一个离散的区域，包括高的电子迁移率晶体管（HEMT）; 和（b）附着于所述HEMT（HEMT元件）的不可兴奋细胞。优选地，所述装置，优选地包括HEMT的所述至少一个离散区域具有适于细胞附着或生长的表面。因此，该设备可以应用于可选地实时监视响应于外部刺激的由活细胞产生的电信号的细胞信号的用途和方法。同样，该装置可用于筛选从外部刺激反向，保护和/或屏蔽细胞的化合物，从而引起细胞损伤。而且，包括该装置的试剂盒是本发明的一个方面。

8. 发明申请

WO2010115775A1 METHOD FOR SECURITY PURPOSES 审中-公开
标题翻译：安全目的的方法
公开(公告)号：WO2010115775A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/054198
申请日：2010-03-30
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN , RÜHRMAIR, Ulrich , STUTZMANN, Martin , FINLEY, Jonathan , JIRAUSCHEK, Christian , CSABA, György , LUGLI, Paolo , BIEBL, Erwin , DIETMÜLLER, Roland , MÜLLER, Kai , LANGHUTH, Hagen
发明人： RÜHRMAIR, Ulrich , STUTZMANN, Martin , FINLEY, Jonathan , JIRAUSCHEK, Christian , CSABA, György , LUGLI, Paolo , BIEBL, Erwin , DIETMÜLLER, Roland , MÜLLER, Kai , LANGHUTH, Hagen
IPC分类号： G06F21/00
CPC分类号： G06F21/73 , G06F2221/2103 , G06F2221/2129 , H04L9/3247 , H04L9/3278 , H04L2209/605 , H04L2209/805
摘要： A method for security purposes is disclosed, in which a challenge signal is applied to a physical object and a response signal is received from the physical object. The response signal comprises a plurality of characteristic resonant optical mode or a characteristic of the response signal is determined based on a spatial resolution of at least two frequency components of the response signal that is affected by luminescence effect. The inner structure of the physical structure may also comprise a network of non-linear electrical components and at least one component arranged for the reception and emission of electromagnetic radiation. The physical object may finally also be provided with electrical contact for interaction with a measuring device.
摘要翻译：公开了一种用于安全目的的方法，其中将挑战信号应用于物理对象，并从物理对象接收响应信号。响应信号包括多个特征谐振光学模式，或者基于受发光效应影响的响应信号的至少两个频率分量的空间分辨率来确定响应信号的特性。物理结构的内部结构还可以包括非线性电气部件的网络和布置成用于接收和发射电磁辐射的至少一个部件。物理物体最终还可以具有用于与测量装置相互作用的电接触。

9. 发明申请

WO2009150159A1 A METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE LAYERS 审中-公开
标题翻译：一种生产多晶层的方法
公开(公告)号：WO2009150159A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/057122
申请日：2009-06-09
申请人： DRITTE PATENTPORTFOLIO BETEILIGUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. , SCHOLZ, Michael , LECHNER, Robert , STUTZMANN, Martin
发明人： SCHOLZ, Michael , LECHNER, Robert , STUTZMANN, Martin
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02425 , H01L21/02532
摘要： In a method for producing polycrystalline layers a sequence of layers is deposited on a substrate (1), the sequence of layers comprising an amorphous initial layer (4), a metallic activation layer (2) and an intermediate layer (3) disposed between the amorphous initial layer (4) and the activation layer (2). The intermediate layer (3) is produced on the basis of titanium. The sequence of layer is heat treated for producing a polycrystalline final layer at the location of the activation layer (2).
摘要翻译：在多晶层的制造方法中，在衬底（1）上沉积一层层，所述层的序列包括无定形初始层（4），金属活化层（2）和中间层（3）无定形初始层（4）和活化层（2）。中间层（3）以钛为基础制备。对层的顺序进行热处理，以在活化层（2）的位置处产生多晶最终层。

10. 发明申请

WO2012143186A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER POLYKRISTALLINEN SCHICHT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产多晶层
公开(公告)号：WO2012143186A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/EP2012/054623
申请日：2012-03-16
申请人： Dritte Patentportfolio Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. KG , STUTZMANN, Martin , ANTESBERGER, Tobias
发明人： STUTZMANN, Martin , ANTESBERGER, Tobias
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/58
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C14/14 , C23C14/5806 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02664 , H01L21/02672 , H01L21/2225 , H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen Schicht. Dieses Verfahren umfasst die Schritte der Aufbringung einer Schichtfolge, die wenigstens eine mit Verunreinigungen versehene amorphe Ausgangsschicht, eine metallische Aktivatorschicht und eine zwischen Ausgangsschicht und Aktivatorschicht angeordnete Reinigungsschicht auf der Basis von Titan oder Titanoxid zum Abziehen der Verunreinigungen aus der Ausgangsschicht, umfasst, auf ein Substrat; und Durchführen einer Wärmebehandlung nach dem Aufbringen der Schichtfolge zur Ausbildung einer polykristallinen Endschicht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多晶层。该方法包括施加层序列，其包括至少一个添加杂质的无定形输出层，金属活化剂和，设置氧化钛或氧化钛的基础上输出层和活化剂清洁层之间，用于从输出层去除所述污染物的步骤，以在基板 ; 和层序列的沉积之后进行热处理以形成多晶最终层。

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