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    • 1. 发明申请
    • PROCEDE DE COLLAGE D'UNE PREMIERE STRUCTURE ET D'UNE SECONDE STRUCTURE
    • 第一结构和第二结构的方法
    • WO2016181090A1
    • 2016-11-17
    • PCT/FR2016/051148
    • 2016-05-13
    • COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
    • IMBERT, BrunoBENAISSA, LamineGONDCHARTON, Paul
    • H01L21/18H01L21/02
    • H01L21/187
    • Ce procédé comporte les étapes a) prévoir la première structure (1) comportant successivement un premier substrat (10), une première couche (11) réalisée à base d'un métal, et un premier oxyde métallique (12) à base du métal, b) prévoir la seconde structure (2) comportant successivement un second substrat (20), une seconde couche (21) réalisée dans un second matériau, et un second oxyde métallique (22) à base du métal, les premier et second oxydes métalliques (12, 22) présentant une enthalpie libre standard de formation ∆G°, le second matériau étant choisi de sorte qu'il possède un oxyde (3) présentant une enthalpie libre standard de formation strictement inférieure à ∆G°, c) coller la première structure (1) et la seconde structure (2) par adhésion directe, d) activer la diffusion des atomes d'oxygène des premier et second oxydes métalliques (12, 22) vers la seconde couche (21) de manière à former l'oxyde (3) du second matériau.
    • 本发明涉及一种方法,包括以下步骤:a)提供第一结构(1),其依次包括第一衬底(10),由金属制成的第一层(11)和第一金属氧化物(12),b )提供第二结构(2),其依次包括第二衬底(20),由第二材料制成的第二层(21)和第二金属氧化物(22),所述第一和第二金属氧化物(12,22) 具有标准的形成自由焓ΔG°,所述第二材料选择为具有严格小于ΔG°的标准自由焓的氧化物(3),c)将所述第一结构(1)和所述第二结构 (2),以及d)激活第一和第二金属氧化物(12,22)的氧原子到第二层(21)的扩散,以形成第二材料的氧化物(3)。