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1. 发明申请

US20100084718A1 ADVANCED METAL GATE METHOD AND DEVICE 有权
标题翻译：高级金属门的方法和装置
公开(公告)号：US20100084718A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：US12354558
申请日：2009-01-15
申请人： Chung-Shi LIU , Hsiang-Yi WANG , Cheng-Tung LIN , Chen-Hua YU
发明人： Chung-Shi LIU , Hsiang-Yi WANG , Cheng-Tung LIN , Chen-Hua YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/265 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/51 , H01L29/78
摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device that includes forming a high-k dielectric over a substrate, forming a first metal layer over the high-k dielectric, forming a second metal layer over the first metal layer, forming a first silicon layer over the second metal layer, implanting a plurality of ions into the first silicon layer and the second metal layer overlying a first region of the substrate, forming a second silicon layer over the first silicon layer, patterning a first gate structure over the first region and a second gate structure over a second region, performing an annealing process that causes the second metal layer to react with the first silicon layer to form a silicide layer in the first and second gate structures, respectively, and driving the ions toward an interface of the first metal layer and the high-k dielectric in the first gate structure.
摘要翻译：本公开提供一种制造半导体器件的方法，其包括在衬底上形成高k电介质，在高k电介质上形成第一金属层，在第一金属层上形成第二金属层，形成第一硅在所述第二金属层上方，将多个离子注入到所述第一硅层中，并且所述第二金属层覆盖在所述基板的第一区域上，在所述第一硅层上形成第二硅层，在所述第一区上形成第一栅极结构以及在第二区域上的第二栅极结构，执行使所述第二金属层与所述第一硅层反应以在所述第一和第二栅极结构中分别形成硅化物层的退火处理，并将所述离子驱动到第一栅极结构中的第一金属层和高k电介质。

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