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1. 发明申请

US20050142672A1 Method for monitoring an ion implanter 有权
标题翻译：监测离子注入机的方法
公开(公告)号：US20050142672A1
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：US10942381
申请日：2004-09-15
申请人： Chun Te Lin , Chih Sheng Yang , Hong Zhi Lee , Ta-Te Chen
发明人： Chun Te Lin , Chih Sheng Yang , Hong Zhi Lee , Ta-Te Chen
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66 , H01L23/544
CPC分类号： H01L22/34
摘要： A method for monitoring an ion implanter is disclosed. In one embodiment, the method comprises providing a wafer, forming a barrier layer on the surface of the wafer wherein the barrier layer has a substantial blocking effect on ion implantation, performing an ion implantation process to the wafer, performing a thermal treatment process, removing the barrier layer, and measuring a physical property of the wafer. The measured physical property of the wafer can be used to ascertain the status of the ion implanter. For instance, the measured physical property can be used to determine whether the ion implanter has problems when the energy or concentration of the implanted ions is changed.
摘要翻译：公开了一种监测离子注入机的方法。在一个实施例中，该方法包括提供晶片，在晶片的表面上形成阻挡层，其中阻挡层对离子注入具有显着的阻塞作用，对晶片执行离子注入工艺，执行热处理工艺，去除阻挡层，并测量晶片的物理性质。可以使用测量的晶片的物理特性来确定离子注入机的状态。例如，当注入的离子的能量或浓度改变时，测量的物理性质可用于确定离子注入机是否存在问题。

2. 发明授权

US07192789B2 Method for monitoring an ion implanter 有权
标题翻译：监测离子注入机的方法
公开(公告)号：US07192789B2
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：US10942381
申请日：2004-09-15
申请人： Chun Te Lin , Chih Sheng Yang , Hong Zhi Lee , Ta-Te Chen
发明人： Chun Te Lin , Chih Sheng Yang , Hong Zhi Lee , Ta-Te Chen
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/425 , G01R31/26
CPC分类号： H01L22/34
摘要： A method for monitoring an ion implanter is disclosed. In one embodiment, the method comprises providing a wafer, forming a barrier layer on the surface of the wafer wherein the barrier layer has a substantial blocking effect on ion implantation, performing an ion implantation process to the wafer, performing a thermal treatment process, removing the barrier layer, and measuring a physical property of the wafer. The measured physical property of the wafer can be used to ascertain the status of the ion implanter. For instance, the measured physical property can be used to determine whether the ion implanter has problems when the energy or concentration of the implanted ions is changed.
摘要翻译：公开了一种监测离子注入机的方法。在一个实施例中，该方法包括提供晶片，在晶片的表面上形成阻挡层，其中阻挡层对离子注入具有显着的阻塞作用，对晶片执行离子注入工艺，执行热处理工艺，去除阻挡层，并测量晶片的物理性质。可以使用测量的晶片的物理特性来确定离子注入机的状态。例如，当注入的离子的能量或浓度改变时，测量的物理性质可用于确定离子注入机是否存在问题。

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