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1. 发明申请

US20070212833A1 Methods for making a nonvolatile memory device comprising a shunt silicon layer 审中-公开
标题翻译：用于制造包括分流硅层的非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：US20070212833A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：US11374337
申请日：2006-03-13
申请人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/792 , H01L27/11568
摘要： A nitride read only memory comprises a selectively grown, epitaxial, shunt silicon layer (shunt layer) that reduces the bit line sheet resistance and increases bit line mobility. The shunt layer can be grown by a in situ, P-doped deposit at high temperature. A bit line interface without native oxide and excellent electron mobility can be achieved using the methods for selective epitaxial growth described herein.
摘要翻译：氮化物只读存储器包括选择性地生长的外延并联硅层（分流层），其减少位线片电阻并增加位线移动性。分流层可以通过原位，P掺杂的沉积物在高温下生长。可以使用本文所述的用于选择性外延生长的方法来实现不具有天然氧化物和优异的电子迁移率的位线界面。

2. 发明申请

US20070082447A1 Apparatus and method for a non-volatile memory structure comprising a multi-layer silicon-rich, silicon nitride trapping layer 有权
标题翻译：一种用于非易失性存储结构的装置和方法，包括多层富硅的氮化硅捕获层
公开(公告)号：US20070082447A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：US11248507
申请日：2005-10-12
申请人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/3211 , H01L21/28202 , H01L21/28282 , H01L29/42348 , H01L29/513
摘要： A non-volatile memory structure comprises a trapping layer that includes a plurality of silicon-rich, silicon nitride layers. Each of the plurality of silicon-rich, silicon nitride layers can trap charge and thereby increase the density of memory structures formed using the methods described herein. In one aspect, the plurality of silicon-rich, silicon nitride layers are fabricated by converting an amorphous silicon layer by remote plasma nitrogen (RPN).
摘要翻译：非易失性存储器结构包括包含多个富含硅的氮化硅层的捕获层。多个富含硅的氮化硅层中的每一个可以捕获电荷，从而增加使用本文所述的方法形成的存储结构的密度。在一个方面，通过用远程等离子体氮（RPN）转换非晶硅层来制造多个富硅氮化硅层。

3. 发明授权

US07531411B2 Apparatus and method for a non-volatile memory structure comprising a multi-layer silicon-rich, silicon nitride trapping layer 有权
标题翻译：一种用于非易失性存储结构的装置和方法，包括多层富硅的氮化硅捕获层
公开(公告)号：US07531411B2
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：US11248507
申请日：2005-10-12
申请人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Chi-Pin Lu , Ling-Wuu Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788
CPC分类号： H01L21/3211 , H01L21/28202 , H01L21/28282 , H01L29/42348 , H01L29/513
摘要： A non-volatile memory structure comprises a trapping layer that includes a plurality of silicon-rich, silicon nitride layers. Each of the plurality of silicon-rich, silicon nitride layers can trap charge and thereby increase the density of memory structures formed using the methods described herein. In one aspect, the plurality of silicon-rich, silicon nitride layers are fabricated by converting an amorphous silicon layer by remote plasma nitrogen (RPN).
摘要翻译：非易失性存储器结构包括包含多个富含硅的氮化硅层的捕获层。多个富含硅的氮化硅层中的每一个可以捕获电荷，从而增加使用本文所述的方法形成的存储结构的密度。在一个方面，通过用远程等离子体氮（RPN）转换非晶硅层来制造多个富硅氮化硅层。

4. 发明申请

US20130001667A1 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：US20130001667A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：US13170618
申请日：2011-06-28
申请人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Ling-Wuu Yang
发明人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Ling-Wuu Yang
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L27/11521
摘要： A method for making a nonvolatile memory device includes the following steps. A conductive structure is formed, wherein the conductive structure has a first top portion. The first top portion is converted into a second top portion having a domed surface.
摘要翻译：一种制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤。形成导电结构，其中导电结构具有第一顶部部分。第一顶部部分被转换成具有圆顶表面的第二顶部部分。

5. 发明授权

US08581322B2 Nonvolatile memory device and method for making the same 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：US08581322B2
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：US13170618
申请日：2011-06-28
申请人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Ling-Wuu Yang
发明人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Ling-Wuu Yang
IPC分类号： H01L29/788
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L27/11521
摘要： A method for making a nonvolatile memory device includes the following steps. A conductive structure is formed, wherein the conductive structure has a first top portion. The first top portion is converted into a second top portion having a domed surface.
摘要翻译：一种制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤。形成导电结构，其中导电结构具有第一顶部部分。第一顶部部分被转换成具有圆顶表面的第二顶部部分。

6. 发明授权

US08183618B2 Method for fabricating a charge trapping memory device 有权
标题翻译：电荷俘获存储器件的制造方法
公开(公告)号：US08183618B2
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：US12962361
申请日：2010-12-07
申请人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
发明人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： H01L21/28282
摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.
摘要翻译：一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

7. 发明申请

US20070293006A1 METHOD FOR FABRICATING A CHARG TRAPPING MEMORY DEVICE 有权
标题翻译：一种用于制作电荷捕捉存储器件的方法
公开(公告)号：US20070293006A1
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：US11425160
申请日：2006-06-20
申请人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
发明人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28282
摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.
摘要翻译：一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

8. 发明授权

US07863132B2 Method for fabricating a charge trapping memory device 有权
标题翻译：电荷俘获存储器件的制造方法
公开(公告)号：US07863132B2
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：US11425160
申请日：2006-06-20
申请人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
发明人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28282
摘要： A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.
摘要翻译：一种制造电荷俘获存储器件的方法包括：提供衬底; 在所述基板上形成第一氧化物层; 在衬底中形成多个BD区域; 通过工艺对第一氧化物层和衬底的界面进行氮化; 在所述第一氧化物层上形成电荷捕获层; 以及在电荷俘获层上形成第二氧化物层。

9. 发明授权

US07834382B2 Nitride read-only memory cell and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：氮化物只读存储单元及其制造方法
公开(公告)号：US07834382B2
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：US11649902
申请日：2007-01-05
申请人： Chi-Pin Lu
发明人： Chi-Pin Lu
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/7923
摘要： A nitride read-only memory cell and a method of manufacturing the same are provided. First, a substrate is provided, and a first oxide layer is formed on the substrate. Next, a nitride layer is deposited on the first oxide layer via a first gas and a second gas. The flow ratio of the first gas to the second gas is 2:1. After that, a second oxide layer is formed on the nitride layer. Then, a bit-line region is formed at the substrate. Afterward, a gate is formed on the second oxide layer. The first oxide layer, nitride layer, the second oxide layer and the gate compose a stack structure of the cell. Further, a spacer is formed on the side-wall of the stack structure.
摘要翻译：提供一种氮化物只读存储单元及其制造方法。首先，提供基板，在基板上形成第一氧化物层。接下来，经由第一气体和第二气体在第一氧化物层上沉积氮化物层。第一气体与第二气体的流量比为2:1。之后，在氮化物层上形成第二氧化物层。然后，在基板上形成位线区域。之后，在第二氧化物层上形成栅极。第一氧化物层，氮化物层，第二氧化物层和栅极构成电池的堆叠结构。此外，在堆叠结构的侧壁上形成间隔件。

10. 发明申请

US20100059809A1 NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：US20100059809A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：US12268593
申请日：2008-11-11
申请人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Hsing-Ju Lin
发明人： Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh , Hsing-Ju Lin
IPC分类号： H01L29/792 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/792 , H01L29/40114 , H01L29/40117 , H01L29/7881
摘要： A method of fabricating a non-volatile memory is provided. First, a bottom oxide layer is formed on a substrate. Thereafter, a silicon-rich nitride layer is formed on the bottom oxide layer by using NH3 and SiH2Cl2 or SiH4, wherein the thickness of the silicon-rich nitride layer is less than about 40 Å, and the gas flow ratio of NH3 to SiH2Cl2 or SiH4 is about 0.2-0.5. Afterwards, a top oxide layer is formed on the silicon-rich nitride layer. Further, a gate is formed on the top oxide layer. Two doped regions are then formed in the substrate beside the gate.
摘要翻译：提供了一种制造非易失性存储器的方法。首先，在基板上形成底部氧化物层。此后，通过使用NH 3和SiH 2 Cl 2或SiH 4在底部氧化物层上形成富含硅的氮化物层，其中富硅氮化物层的厚度小于约40，NH 3与SiH 2 Cl 2的气体流量比 SiH4约为0.2-0.5。之后，在富硅氮化物层上形成顶部氧化物层。此外，在顶部氧化物层上形成栅极。然后在栅极旁边的衬底中形成两个掺杂区域。

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