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    • 1. 发明申请
    • PROPORTIONAL TO TEMPERATURE VOLTAGE GENERATOR
    • 比例为温度电压发生器
    • WO2003001531A1
    • 2003-01-03
    • PCT/US2002/019546
    • 2002-06-20
    • CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.
    • FISCUS, Timothy, E.
    • G11C7/00
    • G11C11/406G11C5/147G11C7/04G11C11/40626
    • A biasing circuit (100) comprising a first circuit (102) and a second circuit (104). The first circuit may be configured to generate a first bias signal (VBIAS) and a second bias signal (VREF). The second bias signal may be defined by a threshold voltage (118) and a first resistance (R). The second circuit may be configured to generate a third bias signal (PCTR) in response to the first and the second bias signals and a second resistance (R1). The third bias signal may have a magnitude that is linearly proportional to absolute temperature (PTAT) and be configured to vary a refresh rate of a memory cell in response to changes in temperature.
    • 偏置电路(100),包括第一电路(102)和第二电路(104)。 第一电路可以被配置为产生第一偏置信号(VBIAS)和第二偏置信号(VREF)。 第二偏置信号可以由阈值电压(118)和第一电阻(R)限定。 第二电路可以被配置为响应于第一和第二偏置信号和第二电阻(R1)产生第三偏置信号(PCTR)。 第三偏置信号可以具有与绝对温度(PTAT)成线性比例的幅度,并且被配置为响应于温度变化来改变存储器单元的刷新率。